美光科技將于2025年投產EUV DRAM
隨著人工智能（AI）技術的廣泛應用，從云服務器到消費設備，AI需求正呈現爆炸式增長。美光科技，作為全球領先的半導體制造商，已積極應對這一趨勢。
據美光公司副總裁兼中國臺灣負責人Donghui Lu透露，美光已將其高帶寬內存（HBM）生產能力完全分配給2025年，以滿足未來AI市場的巨大需求。這一決策體現了美光對AI技術發展前景的堅定信心。
不僅如此，美光還計劃于2025年投產EUV DRAM，以進一步提升其產品的性能和競爭力。Donghui Lu表示，美光正充分利用AI需求激增的機遇，加速技術創新和產業升級，預計2025年其產品性能將實現顯著提升。
美光的這一系列舉措，不僅將為其在AI半導體市場贏得更多份額，也將為全球AI技術的快速發展提供有力支持。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2325瀏覽量
183867 -
美光科技
+關注
關注
0文章
198瀏覽量
22725 -
人工智能
+關注
關注
1796文章
47666瀏覽量
240287
發布評論請先 登錄
相關推薦
美光科技計劃大規模擴大DRAM產能
據業內消息，美光科技預計今年將繼續積極擴大其DRAM產能，與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼，美光近期將具體落實對現有
鎧俠新廠房竣工，投產推遲至2025年
日本半導體存儲器企業鎧俠控股（原名東芝存儲器）近期在北上工廠隆重舉行了第二廠房大樓的竣工儀式。然而，由于公司業績的惡化，新廠房的投產時間不得不從原定計劃推遲了一年零九個月，預計將在2025年
美光預測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產EUV DRAM
隨著人工智能技術日益普及，從云端服務器拓展至消費級設備，對高級內存的需求持續攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內存（HBM）的全部產能規劃至2025年。
臺積電亞利桑那州新廠預計2025年初投產
全球領先的芯片代工商臺積電（TSMC）近日宣布，其位于美國亞利桑那州的首家新工廠預計將于2025年初正式投產。這家新廠的建設始于2021年，
美光已在廣島Fab15工廠利用EUV試產1γ DRAM
在存儲芯片領域，技術的每一次革新都牽動著行業的脈搏。近日，存儲芯片大廠美光科技在公布其2024財年第三財季財報的同時，也宣布了一個令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產基于極紫外（EUV）光刻技術的1γ（
美光日本廣島DRAM新廠預計2027年量產
全球知名的DRAM大廠美光，早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據悉，美光計劃斥資6,000至8,000億日元，在廣島興建一座全新
美光科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠
近日，美光科技宣布，將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產工廠，預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估在6000億至8000億日元之間，體現了
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026
美光科技調整計劃，2027年底日本新廠投產
全球領先的半導體制造商美光科技近日宣布，將在日本廣島縣興建一座新的DRAM芯片生產工廠。該項目的總投資預計高達6000億至8000億日元，預計于2026年初正式動工。
美光科技計劃在日本投資建設DRAM芯片工廠
近日，美國芯片巨頭美光科技宣布了一項重大投資計劃。據悉，該公司將在日本廣島縣建設一家全新的DRAM芯片工廠，預計總投資將達到6000至8000億日元。
美光將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠，2027年底或將竣工
美光近期發布公告，將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠，以引入頂尖EUV設備，預計最早于2027年末實現先進
美光宣布將在日本廣島建設DRAM工廠
據悉，新廠將采用EUV光刻機技術，并計劃在2025年量產的下一代1-gamma（nm）節點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業的代際周期，新
美光獲得巨額補貼！
。 這筆補貼將支持美光到 2030 年在美國投資 500 億美元（當前約 3630 億元人民幣），在紐約州克萊建設兩座先進 DRAM 內存“超級晶圓廠，并在總部所在地愛達荷州博伊西建設一座先進
美光計劃部署納米印刷技術，降低DRAM芯片生產成本
3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演
美光科技: 納米印刷助降DRAM成本
近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
工商網監
評論