隨著人工智能技術日益普及，從云端服務器拓展至消費級設備，對高級內存的需求持續攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內存（HBM）的全部產能規劃至2025年。美光科技的中國臺灣業務負責人兼公司副總裁Donghui Lu指出，公司正積極應對AI需求的激增，并預測到2025年，其產品性能將實現顯著提升。

Donghui Lu特別提到，大型語言模型的涌現，對內存及存儲解決方案提出了前所未有的需求。作為存儲領域的領軍企業之一，美光科技完全具備把握這一增長機遇的能力。盡管近期AI領域的投資激增，主要用于新建支持大型語言模型的數據中心，但這一基礎設施仍在逐步完善中，預計需數年時間才能全面成型。

美光科技預計，AI的下一波增長將源自其在智能手機、個人電腦等消費設備中的廣泛應用。這一趨勢將促使存儲容量大幅提升，以更好地支撐AI應用的運行。Donghui Lu介紹稱，HBM融合了先進封裝技術，集成了前端（晶圓制造）與后端（封裝和測試）工藝，為行業帶來了新的挑戰。

在競爭激烈的存儲市場中，企業研發與推出新產品的速度至關重要。Donghui Lu解釋說，HBM的生產可能會對傳統內存生產造成沖擊，因為每個HBM芯片都需要多個傳統內存芯片，這可能會對整體行業產能構成壓力。他強調，內存行業供需之間的微妙平衡是亟待解決的關鍵問題，并警告稱，生產過剩可能引發價格戰，進而導致行業衰退。

Donghui Lu還著重強調了中國臺灣在美光AI業務中的核心地位，指出公司在中國臺灣的研發團隊與制造設施對于HBM3E的開發與生產具有舉足輕重的作用。美光的HBM3E產品通常與臺積電的CoWoS技術相結合，這種緊密合作帶來了顯著優勢。

鑒于極紫外光刻（EUV）技術對于提升存儲芯片性能與密度的重要性，美光已決定推遲在1α和1β節點的應用，轉而優先關注性能與成本效益。Donghui Lu指出，EUV設備成本高昂且技術復雜，需要制造過程進行重大調整以適應。美光的主要目標是以具有競爭力的成本生產高性能存儲產品，推遲采用EUV將有助于更有效地實現這一目標。

美光一直聲稱，其8層和12層HBM3E產品的功耗比競爭對手低30%。公司計劃于2025年在中國臺灣大規模生產采用EUV技術的1γ節點產品。此外，美光還計劃在日本廣島工廠引入EUV技術，盡管時間稍晚。