FeRAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速寫(xiě)入、高重寫(xiě)耐久性和低功耗的特點(diǎn)。利用這些特點(diǎn)，F(xiàn)eRAM 被廣泛應(yīng)用于需要高頻率記錄設(shè)備本身及其周?chē)h(huán)境狀態(tài)的工業(yè)和車(chē)載應(yīng)用中。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司(即將更名為RAMXEED有限公司)提供的用于旋轉(zhuǎn)編碼器的 FeRAM(MB85RDP16LX)配有內(nèi)部計(jì)數(shù)器和 FeRAM。這意味著，在用于計(jì)算電機(jī)轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)編碼器時(shí)，不會(huì)影響 FeRAM 本身的快速啟動(dòng)、高速寫(xiě)入和低功耗。存儲(chǔ)在 FeRAM 中的數(shù)據(jù)的計(jì)算和寫(xiě)入是通過(guò)線(xiàn)圈的電動(dòng)勢(shì)等產(chǎn)生的少量電能完成的，因此即使沒(méi)有電源，也能繼續(xù)計(jì)算電機(jī)的轉(zhuǎn)數(shù)。

為旋轉(zhuǎn)編碼器選擇 FeRAM 的五個(gè)理由

01 快速啟動(dòng)速度

與閃存和其他存儲(chǔ)器解決方案不同，F(xiàn)eRAM不需要升壓電源或復(fù)雜的內(nèi)部電源排序。這意味著不需要等待電源穩(wěn)定，并且可以在電源打開(kāi)后立即訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器。

02 高速寫(xiě)入和高重寫(xiě)耐久性

與EEPROM不同，F(xiàn)eRAM不需要寫(xiě)操作的等待時(shí)間，并且能夠進(jìn)行大量重寫(xiě)，使得在內(nèi)存中(即在FeRAM中)進(jìn)行數(shù)據(jù)計(jì)算成為可能。 由于MB85RDP16LX配備了內(nèi)部計(jì)數(shù)器處理計(jì)算電路，可以在內(nèi)存中進(jìn)行數(shù)據(jù)的計(jì)數(shù)器計(jì)算處理，并將計(jì)算后的數(shù)據(jù)覆蓋寫(xiě)入內(nèi)存，而無(wú)需將之前的數(shù)據(jù)讀出內(nèi)存。

03 低功耗

FeRAM在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)不需要升壓電源，并且由于寫(xiě)入時(shí)間短，它所需的功率(能量)遠(yuǎn)低于其他類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器。這使得它能夠在能量收集等弱電源上運(yùn)行，并且即使在電池供電系統(tǒng)中也能長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。 04 抗磁場(chǎng) MRAM是另一種能夠進(jìn)行類(lèi)似于FeRAM的高速寫(xiě)操作的非易失性存儲(chǔ)器。然而，由于MRAM使用磁場(chǎng)方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位(1和0)，它對(duì)磁場(chǎng)非常敏感，因此需要使用防磁屏蔽來(lái)保護(hù)它，以防止數(shù)據(jù)損壞。 不建議在使用磁鐵的地方，特別是電機(jī)周?chē)褂肕RAM。 由于FeRAM的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，它對(duì)磁場(chǎng)和電場(chǎng)具有很高的抗性，并且對(duì)軟件錯(cuò)誤也有抵抗力，因此FeRAM也被用于太空應(yīng)用(太空探索等)。

05 不需要電池

由于FeRAM是非易失性存儲(chǔ)器，它不需要電池來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此非常適合替代具有類(lèi)似規(guī)格并以類(lèi)似方式使用的電池備份SRAM(BB-SRAM)。

通過(guò)將BB-SRAM替換為FeRAM，可以從系統(tǒng)中去除電池，這在保護(hù)環(huán)境和降低維護(hù)成本方面都具有顯著效果。 具有最佳規(guī)格的用于旋轉(zhuǎn)編碼器的非易失性存儲(chǔ)器FeRAM 基于上述1-5點(diǎn)原因，MB85RDP16LX作為用于旋轉(zhuǎn)編碼器的FeRAM，可以在電源啟動(dòng)后立即開(kāi)始工作，所需的電源供電時(shí)間極短，僅為20-30微秒，由旋轉(zhuǎn)編碼器內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)磁鐵和線(xiàn)圈產(chǎn)生的電力供電。它還可以在內(nèi)存中進(jìn)行數(shù)據(jù)計(jì)算，并在計(jì)算數(shù)據(jù)寫(xiě)入后立即關(guān)閉。

問(wèn)題

線(xiàn)圈電動(dòng)勢(shì)供電的時(shí)間只有20-30微秒，這極其短暫。普通的非易失性存儲(chǔ)器無(wú)法在如此短的時(shí)間內(nèi)完成寫(xiě)操作。

解決方案

這種FeRAM產(chǎn)品(MB85RDP16X)能夠在僅提供20-30微秒脈沖電源的環(huán)境中，正確讀取先前數(shù)據(jù)、更新并保存計(jì)數(shù)器計(jì)算后的數(shù)據(jù)，并隨時(shí)關(guān)閉。

歡迎聯(lián)系加賀富儀艾電子(上海)有限公司了解產(chǎn)品更多相關(guān)信息。

更名通知

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司將更名為RAMXEED有限公司，自2025年1月1日起生效。

在更名的同時(shí)，電子郵件地址和網(wǎng)站URL也將進(jìn)行更新，郵政地址和電話(huà)號(hào)碼不會(huì)有任何變化。

更名后，RAMXEED也將繼續(xù)為客戶(hù)提供高性能和高質(zhì)量的FeRAM/ReRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品和服務(wù)。

關(guān)于富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司(即將更名為RAMXEED有限公司)成立于2020年3月，可為客戶(hù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品和各種解決方案，主要是基于鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM)，這是一種高質(zhì)量、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器。作為下一代存儲(chǔ)器，富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，它在讀取數(shù)據(jù)時(shí)需要更少的功率，是小型可穿戴設(shè)備的理想選擇，同時(shí)還在開(kāi)發(fā)以碳納米管為材料的非易失性存儲(chǔ)器(NRAM)。

關(guān)于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子，其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團(tuán)，旨在為客戶(hù)提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司，負(fù)責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國(guó)的銷(xiāo)售業(yè)務(wù)。 加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷(xiāo)售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù)，專(zhuān)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器，繼電器，GaN(氮化鎵)，MCU和電源功率器件，它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶(hù)，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動(dòng)終端、影像設(shè)備、汽車(chē)、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。