英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650 V G5,進一步豐富了其氮化鎵(GaN)產品組合。這一新產品系列的推出,不僅為消費和工業開關模式電源(SMPS)提供了新的技術選擇,也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統、電視、數據中心和電信整流器,以及可再生能源和家用電器中的電機驅動等廣泛應用提供了支持。
CoolGaN 650 V G5晶體管旨在直接替代CoolGaN晶體管600 V G1,旨在促進現有平臺的迅速重新設計。這一新一代產品在設計上進行了優化,確保其在關鍵應用中的開關性能具有競爭力。相較于之前的產品系列,CoolGaN 650 V G5在多個性能指標上都顯著提升,例如輸出電容中存儲的能量(Eoss)減少了50%,漏源電荷(Qoss)減少了60%,而柵極電荷(Qg)同樣減少了60%。這些顯著的改進使得其在軟開關和硬開關應用中能夠實現卓越的效率,功率損耗相比傳統硅技術大幅降低,降低范圍在20%至60%之間,這一幅度取決于具體應用場景。
除了效率的提升,CoolGaN 650 V G5的高頻運行能力也得到了增強,使得器件在保持極低功率損耗的同時,能夠實現優秀的功率密度。這一特性使得SMPS應用在體積上更小、更輕,或者在特定外形尺寸內能夠擴展輸出功率范圍,從而為工程師在產品設計時提供更多靈活性。
新推出的高壓晶體管系列還提供了多種RDS(on)封裝組合選擇,以滿足不同應用需求。ThinPAK 5×6、DFN 8×8、TOLL和TOLT等封裝類型均屬于提供多達十種RDS(on)類別的SMD封裝。這些產品在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產線上制造,而英飛凌未來還計劃將CoolGaN產品線轉向12英寸生產,這將進一步增強其CoolGaN的產能,確保氮化鎵功率市場的穩定供應鏈。
根據Yole Group的預測,GaN功率市場預計到2029年將達到20億美元,英飛凌憑借CoolGaN 650 V G5的推出,正積極布局這一快速發展的市場。公司希望通過持續的技術創新和產品優化,為客戶提供更高效、更可靠的解決方案,以滿足未來市場的需求。
浮思特科技深耕功率器件領域,為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(MCU)、觸摸芯片,是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。
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