磁控濺射鍍膜工藝參數對薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底溫度、偏置電壓、濺射氣體等。通過精確控制這些參數，可以優化薄膜的物理、化學和機械性能。

濺射氣壓

1. 對薄膜結晶質量的影響：氣壓過高時，氣體電離程度提高，但濺射原子在到達襯底前的碰撞次數增多，損失大量能量，導致到達襯底后遷移能力受限，結晶質量變差，薄膜可能呈現出非晶態或結晶不完整的狀態；氣壓過低時，氣體電離困難，難以發生濺射起輝效果，沉積速率極低，無法形成連續的薄膜。適中的濺射氣壓能保證濺射粒子有足夠的能量到達襯底并進行良好的結晶，使薄膜具有較好的結晶質量。

2. 對薄膜表面粗糙度的影響：合適的濺射氣壓下，濺射原子能夠均勻地沉積在襯底上，形成較為光滑的薄膜表面。如果氣壓過高或過低，都會破壞這種均勻性，導致薄膜表面粗糙度增加。例如，氣壓過高時，大量的濺射原子在碰撞后以不均勻的方式到達襯底，會使表面粗糙度增大。

3. 對薄膜致密度的影響：氣壓較低時，濺射原子的平均自由程較長，到達襯底時能量較高，能夠更好地填充薄膜中的孔隙，使薄膜致密度增加；而氣壓過高時，濺射原子的能量損失較大，無法有效地填充孔隙，導致薄膜致密度降低。

濺射功率

1. 對沉積速率的影響：濺射功率增加，靶材表面受到的氬離子轟擊能量增強，濺射產額提高，從而使沉積速率加快。但當濺射功率過高時，可能會導致靶材表面過熱，甚至出現靶材“中毒”現象，反而會影響沉積速率的穩定性。

2. 對薄膜結構的影響：低濺射功率下，濺射原子到達襯底的能量較低，原子的遷移能力較弱，薄膜的晶粒尺寸較小，可能形成多晶或非晶結構；高濺射功率下，原子的能量較高，原子的遷移和擴散能力增強，有利于晶粒的生長和結晶，薄膜可能呈現出較大的晶粒尺寸和較好的結晶結構。

3. 對薄膜應力的影響：濺射功率的變化會改變薄膜的生長速率和微觀結構，從而影響薄膜中的應力狀態。一般來說，高濺射功率下沉積的薄膜應力較大，這是因為快速的沉積過程中，薄膜中的原子來不及充分調整位置，導致應力積累。

靶基距

1. 對沉積速率的影響：靶基距過大，濺射原子在飛行過程中與氣體分子的碰撞次數增多，能量損失嚴重，到達襯底的濺射原子數量減少，沉積速率降低；靶基距過小，雖然濺射原子的能量損失較小，但由于濺射原子的分布過于集中，也會影響沉積速率的均勻性。

2. 對薄膜均勻性的影響：合適的靶基距能夠使濺射原子在襯底上均勻分布，從而形成均勻的薄膜。如果靶基距不均勻或不合適，會導致薄膜在不同位置的厚度和性能出現差異，影響薄膜的整體質量。

襯底溫度

1. 對薄膜結晶性的影響：襯底溫度較低時，濺射原子在襯底表面的擴散能力較弱，原子來不及進行有序排列，薄膜容易形成無定形結構；隨著襯底溫度的升高，原子的擴散能力增強，薄膜的結晶性提高，晶粒尺寸增大，結晶更加完整。

2. 對薄膜附著力的影響：適當提高襯底溫度，能夠增強薄膜與襯底之間的附著力。這是因為高溫下，薄膜和襯底之間的界面處原子的相互擴散和化學反應增強，形成了更牢固的結合。但如果襯底溫度過高，可能會導致襯底和薄膜的熱膨脹系數差異增大，產生熱應力，反而會降低附著力。

偏置電壓（若有）

1. 對薄膜質量的影響：在襯底上施加適當的偏置電壓，能夠使濺射出來的離子獲得動能，加速飛向襯底并對襯底進行轟擊，去除襯底表面結合不牢固的原子，留下結合緊密、缺陷少的薄膜原子，從而提高成膜質量。同時，偏置電壓還能吸引一部分氬離子，對襯底表面雜質進行清潔，進一步提高薄膜質量。

2. 對薄膜孔隙率的影響：偏置電壓使沉積離子的能量提高，離子的遷移率增加，能夠打入襯底表面，減少薄膜的孔隙率，提高薄膜的致密度，使薄膜的性能更加優異。但偏置電壓過高時，會產生嚴重的反濺射現象，降低濺射速率，使薄膜內部產生缺陷。

濺射氣體

1. 對薄膜成分的影響：濺射氣體的種類和流量會影響濺射過程中靶材原子與氣體分子的反應，從而改變薄膜的成分。例如，在濺射金屬靶材時，如果通入氧氣等反應性氣體，可能會在薄膜中形成金屬氧化物；如果通入氮氣，則可能形成金屬氮化物。

2. 對薄膜性能的影響：濺射氣體的壓力和流量還會影響濺射原子的能量和數量，進而影響薄膜的性能。例如，氣體流量過大時，會導致濺射原子的能量降低，影響薄膜的結晶性和致密度；氣體流量過小時，可能會使濺射過程不穩定，影響薄膜的均勻性。