透射電子顯微鏡TEM在LED芯片研究中可以提供有關LED芯片結構、膜層厚度、位錯缺陷等方面的詳細信息。金鑒實驗室具備先進的TEM設備和專業的技術團隊，能夠為客戶提供高精度的LED芯片分析服務，確保每一項測試結果的準確性和可靠性。不同類型的芯片結構在工藝設計上有所不同，金屬電極與外延各層成分分析與厚度測量常常需要通過TEM分析才能獲得更加精確的信息。

電極結構是為了讓電流順利流向發光區，不同電極材料結構同樣影響著芯片的光電性能，如Cr因優良的粘附性常用做與p-GaN的接觸層，Al具有高反射率，增加芯片的出光量，Ti/Pt作為阻擋層防止Au擴散高活潑性的Al層，Au優良的導電性作為表層等。金鑒實驗室可以針對各種電極材料進行詳細的性能測試與分析，幫助客戶優化其芯片設計。

一、TEM 不同掃描模式的作用

TEM線掃提供沿著一條線的元素分布信息，得到線上不同位置的元素種類和相對含量（at%和wt%），提供詳細的產品結構信息，為后續工藝優化或產品結構設計提供參照。

點掃用于獲取感興趣的局部區域（或精確的某個特定位置）的元素種類和相對含量信息。

在面掃模式下，面掃可以獲取整個區域的元素分布信息，直觀呈現不同區域各元素的分布與擴散情況。

二、TEM 在 LED 外延結構分析中的優勢

TEM因其具有非常高分辨率，在LED芯片外延結構分析上具有獨到的優勢。金鑒實驗室擁有先進的高分辨率透射電子顯微鏡，能夠對外延整體結構進行分析，確定P型區、有源區、N型區各層成分與厚度。

TEM有多種成像模式，可以通過不同的成像模式獲取樣品的不同信息，金鑒實驗室利用高分辨電子顯微像HRTEM，能夠表征材料原子級別的形貌及結構信息，對量子阱結構厚度進行精確測量，幫助客戶在技術研發中把握關鍵參數。

弱束暗場像WBDF常用與對外延位錯的表征，分析位錯類型，結合腐蝕坑密度的方法，對外延位錯密度進行評估與表征。

g=0002 螺位錯觀察

g=11-20刃位錯觀察

金鑒實驗室是一家專注于LED產業的第三方檢測機構，致力于改善LED品質，服務LED產業鏈中各個環節，使LED產業健康發展。金鑒實驗室擁有專業LED質量工程師團隊及精密的儀器設備，通過金鑒實驗室的專業測試，客戶可以更有效地進行材料改進和工藝優化，為未來的技術創新打下堅實基礎。