近日,華光光電研發的高功率密度808nm面陣模塊通過了中國電子學會科技成果鑒定,項目關鍵技術指標達到國際先進水平。
本次鑒定會由中國工程院院士、中科院理化技術研究所許祖彥擔任主任,中科院物理所、清華大學、山東大學、西安電子科技大學等高校院所專家擔任委員。鑒定委員會聽取了項目組的研制報告、技術報告、查新報告、應用報告以及經濟和社會效益分析報告,聽取了測試組意見和資料審查組報告,審閱了相關材料。經質詢和討論,鑒定委員會認為,該成果技術復雜程度高,研制難度大,具有較高的創新性,關鍵技術指標達到國際先進水平,其中光強近場調制度國際領先。
高能激光技術有廣泛的應用前景,面對泵源受制于人的難題,項目組重點攻克了面陣模塊高效熱管理、峰值功率輸出以及光斑勻化等關鍵技術,成果成功應用于工業制造、醫療裝備等多個領域,對于增強我國高功率半導體激光的控制力和供應鏈安全性具有重要意義。
華光光電始終堅持技術創新,是國內少數掌握半導體激光器外延結構設計與生長、芯片設計與制備的自主知識產權并成功應用于商業化生產的企業之一,下一步,公司將進一步加大研發投入,開發出更多亟需的新產品、新技術,為集團高質量發展貢獻力量。
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原文標題:華光光電一項科技成果被評價為國際先進水平
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