在近日于舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，全球領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)臺積電揭曉了其備受期待的2納米(N2)制程技術(shù)的詳細規(guī)格。

據(jù)臺積電介紹，相較于前代制程技術(shù)，N2制程在性能上實現(xiàn)了顯著提升，提升幅度高達15%。同時，在功耗控制方面，N2制程也展現(xiàn)出了卓越的能力，功耗降低了30%，能效得到了大幅提升。

N2制程技術(shù)的卓越表現(xiàn)得益于多項創(chuàng)新技術(shù)的應(yīng)用。其中，環(huán)繞式柵極(GAA)納米片晶體管技術(shù)的引入，使得晶體管密度得到了1.15倍的提升。此外，N2?NanoFlex技術(shù)的運用，更是讓制造商能夠在最小的面積內(nèi)集成不同的邏輯單元，進一步優(yōu)化了制程技術(shù)的性能。

然而，隨著技術(shù)水平的提升，N2制程晶圓的價格也相應(yīng)上漲。據(jù)透露，N2制程晶圓的價格將比3納米制程高出10%以上。這在一定程度上反映了先進制程技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)成本。

臺積電此次公布的2納米制程技術(shù)細節(jié)，無疑為業(yè)界帶來了振奮人心的消息。隨著技術(shù)的不斷進步，我們有理由相信，未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。