STM32WL33系列

2024年10月14日，意法半導(dǎo)體的STM32WL33系列在2024第九屆IoT創(chuàng)新頒獎(jiǎng)典禮上獲得由知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網(wǎng)頒發(fā)的“IoT年度產(chǎn)品獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在發(fā)掘和表彰IoT行業(yè)中具有開拓精神并為企業(yè)帶來杰出貢獻(xiàn)的領(lǐng)導(dǎo)者，具有創(chuàng)新價(jià)值和深遠(yuǎn)影響的杰出技術(shù)，以及在過去一年中，被市場和行業(yè)用戶所高度關(guān)注和認(rèn)可的創(chuàng)新產(chǎn)品。

STM32WL33系列無線微控制器（MCU）官宣上市，產(chǎn)品集成了新一代Sub-GHz遠(yuǎn)距離射頻收發(fā)器、Arm Cortex-M0+處理器內(nèi)核和針對(duì)智能表計(jì)應(yīng)用定制的外設(shè)以及改進(jìn)的省電功能。新款MCU大大簡化了無線解決方案的設(shè)計(jì)，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并延長了電池續(xù)航時(shí)間。

此外，STM32WL33新產(chǎn)品擁有多協(xié)議支持和自定義調(diào)制，帶來了強(qiáng)大靈活性；高集成芯片降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度；能為開發(fā)人員提供了廣闊的生態(tài)系統(tǒng)支持。

意法半導(dǎo)體高功率冷卻系統(tǒng)10kW解決方案3相Vienna PFC + 壓縮機(jī)一體化解決方案 2024年10月14日，意法半導(dǎo)體高功率冷卻系統(tǒng)10kW解決方案3相Vienna PFC + 壓縮機(jī)一體化解決方案在2024第五屆電機(jī)控制技術(shù)市場表現(xiàn)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上獲得由知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網(wǎng)頒發(fā)的“年度電機(jī)控制器十大主控芯片”。

意法半導(dǎo)體提供一整套高功率冷卻解決方案，以滿足差異化的功率范圍和架構(gòu)的需求。大功率熱管理系統(tǒng)包含意法半導(dǎo)體最新的10kW商用壓縮機(jī)解決方案。通過使用單個(gè)STM32G4微控制器（MCU）來控制多種功能，包括三相維也納PFC、FOC（磁場定向控制）電機(jī)驅(qū)動(dòng)、Nano Edge AI預(yù)測性維護(hù)和KNX集成。

該解決方案還采用意法半導(dǎo)體的1200V IGBT和SiC二極管以及電隔離柵極STGAP驅(qū)動(dòng)器，提供穩(wěn)健、可靠的電源性能。此外，意法半導(dǎo)體還提供另外兩種解決方案：7kW三重FOC和交錯(cuò)式PFC；4kW雙重FOC和交錯(cuò)式PFC。以滿足不同客戶對(duì)熱泵和商用空調(diào)的規(guī)格要求。

主要特性：

?集中智能：
一個(gè)STM32驅(qū)動(dòng)BLDC和dPFC

?ST提供的完整固件工作區(qū)：
MC FOC SDK和Vienna VOC SDK

?集成KNX總線

?高能效可采用SiC MOSFET和SiC二極管

?總CPU負(fù)載低：65%

?功率> 30%àPFC iTHD < 6%，最大功率?-> iTHD < 2%

用于AI服務(wù)器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3

2024年11月5日，用于AI服務(wù)器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3在2024全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上榮獲“年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器”。

“全球電子成就獎(jiǎng)”（World Electronics Achievement Awards）由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore主辦，此獎(jiǎng)旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者。

2024年12月12日，意法半導(dǎo)體在“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上榮獲“年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”；同時(shí)，用于AI服務(wù)器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3也榮獲了“年度影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這些獎(jiǎng)項(xiàng)主要授予在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域擁有一定成就并取得重要成績，技術(shù)水平達(dá)到行業(yè)乃至國內(nèi)外先進(jìn)水平，在推動(dòng)行業(yè)發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新和市場推廣等方面作出優(yōu)異成績的企業(yè)和產(chǎn)品。

基于ST最新的第三代工藝的碳化硅MOS管SCT040TO65G3（TO-LL封裝），是滿足爆發(fā)式增長的AI服務(wù)器市場的最佳選擇。該碳化硅MOS管擁有極低的導(dǎo)通損耗，同時(shí)開關(guān)特性優(yōu)異，魯棒性強(qiáng)，散熱能力出眾。一經(jīng)推出，出色的效率，極佳的穩(wěn)定性，廣受客戶的好評(píng)。 功能：

?非常快速且堅(jiān)固的體二極管

?在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on)

?高速開關(guān)性能

?源開爾文引腳可提高效率

主要優(yōu)勢：

?極低的能量損失和低RON，尤其是在非常高的Tj時(shí) - 更小更輕的系統(tǒng)具有更高的工作頻率

?熱性能

o 高工作溫度（Tjmax = 175°C）

o 降低冷卻要求和散熱器

o 延長使用壽命

?易于驅(qū)動(dòng) - 與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器完全兼容

?非常快速且堅(jiān)固的體二極管–更緊湊的逆變器

用于AI服務(wù)器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3，專為高速相位和緊湊性、高功率和更高效的服務(wù)器和電信電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。這款碳化硅功率MOSFET器件采用ST先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的RDS(on)，同時(shí)具有低電容和極高的開關(guān)操作，可提高應(yīng)用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的性能。