???????? ?文章來源:行家說三代半
?作者:行家說-許若冰
回顧2024年,碳化硅和氮化鎵行業在多個領域取得了顯著進步,并經歷了重要的變化。展望2025年,行業也將面臨新的機遇和挑戰。為了更好地解讀產業格局,探索未來的前進方向,行家說三代半與行家極光獎聯合策劃了《第三代半導體產業-行家瞭望2025》專題報道。
日前,意法半導體意法半導體中國區-功率分立和模擬產品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI接受行家說三代半《第三代半導體產業-行家瞭望2025》欄目專訪,就8英寸SiC的需求、發展以及意法半導體的戰略布局等進行分享。
SiC需求受多重因素影響
但市場機遇仍不斷擴大
行家說三代半:據行家說Research預估,2024年SiC功率半導體市場同比增長14%左右,增速較去年有所下降,您如何看待SiC需求出現較大波動的背后原因?
Francesco MUGGERI:SiC需求波動歸因于多種因素。首先,SiC在汽車電動化和可再生能源項目上快速應用,導致SiC產能出現暫時飽和。此外,供應鏈制約因素和產能限制影響了碳化硅行業持續滿足市場需求的能力。宏觀經濟因素和不同的政府鼓勵措施也是影響SiC功率半導體的需求變化的重要因素。
雖然某些地區的電動汽車市場增長有所放緩,但長遠前景仍然看好,純電動汽車和插電式混動汽車的全球銷量持續增長,對電動汽車的法規支持力度也在不斷提高。
行家說三代半:如果用3個關鍵詞總結2024年SiC行業的發展狀況,您會用哪幾個詞?
Francesco MUGGERI:成熟、創新和擴張。
行家說三代半:盡管2024年SiC行業進入了階段性調整期,但也不乏發展亮點。您認為行業今年取得了哪些新的進步?未來SiC行業的發展方向是什么?
Francesco MUGGERI:2024年,SiC行業在工藝技術和生產效率方面取得了重大進展,主要亮點包括升級到8英寸晶圓,更大的晶圓尺寸可以提高產能,降低成本;以及為高性能應用開發更高效的SiC器件。
SiC行業未來發展方向是進一步改進制造工藝,拓展SiC在各個領域的應用,如工業電源、可再生能源等領域,以及繼續創新,提高產品性能和可靠性。SiC器件在電動汽車和混動汽車市場上的滲透率有望進一步提升,推動產業持續增長。
安意法8吋SiC工廠產能釋放
實現技術迭代與規模效應雙軌突破
行家說三代半:SiC行業競爭越發激烈,如何看待競爭格局變化?面臨主要挑戰和機會有哪些?
Francesco MUGGERI:SiC行業的競爭格局正在快速變化,越來越多的新參與者進入市場,原有公司正在提高產能。主要挑戰包括保持成本競爭力,確保供應鏈韌性,以及跟上技術發展的步伐。
這些挑戰也為技術創新、戰略合作和市場擴張帶來機遇。如果能夠有效擴大業務規模,提供高質量、高性價比的SiC解決方案,這樣的公司將在市場競爭中占據優勢。意法半導體已做好充分的準備,利用其豐富的經驗和強大的市場影響力,應對這些挑戰,抓住機遇。
行家說三代半:現在SiC行業價格戰打得火熱,貴公司如何同時兼顧成本控制、高品質、穩定供應?
Francesco MUGGERI:意法半導體通過多種策略控制產品成本,保持高質量,確保穩定供應。我們投資先進的制造工藝和生產自動化,以提高生產效率,降低成本。供應鏈垂直整合策略使我們能夠控制從原材料到成品的整個供應鏈,確保產品質量和可靠性。此外,我們與主要供應商保持良好的關系,并不斷優化我們的物流倉儲管理,確保SiC產品的穩定供應。意法半導體和三安在重慶的合資工廠將進一步增強我們的產能,滿足中國市場對SiC器件日益增長的需求。
為了更好地支持中國市場對汽車電動化和工業電能及能源管理應用日益增長的需求,ST和三安在中國重慶投資成立了一家8英寸SiC功率器件合資制造廠(安意法半導體有限公司)。合資廠預計于2025年第四季度開始投產,2028年全面建成。該合資廠將采用ST專有的SiC制造工藝,作為ST的專用晶圓代工廠,以滿足中國客戶的需求。
8英寸SiC引領行業變革
AI與儲能市場快速增長
行家說三代半:如何看待8英寸SiC的發展?貴公司在這方面有怎樣布局?
Francesco MUGGERI:升級到8英寸SiC晶圓代表了碳化硅行業取得的一次巨大進步,與小晶圓相比,大尺寸晶圓的良率更高,制造成本更低。意法半導體走在這一發展的前沿,目前在投資建設8英寸SiC產能。我們的制造設施能夠解決晶圓尺寸升級問題,加強碳化硅產品的供應能力,滿足市場對高性能SiC解決方案日益增長的需求。在建立完整的中國本地化8英寸SiC供應鏈方面,意法半導體和三安的重慶的合資公司(安意法半導體有限公司)將發揮關鍵作用,進一步鞏固我們的市場地位。
行家說三代半:貴公司2025年將重點發力哪些市場或者哪些發展目標?
Francesco MUGGERI:2025年,意法半導體將專注于擴大在工業電源、可再生能源、高性能計算等重要市場的布局。我們的發展目標包括推動SiC和GaN技術進步,提高數字化和 AI 的運算能力,并繼續在電源管理解決方案方面創新。我們旨在利用ST的功率半導體技術專長來推動公司營收增長,并提供尖端解決方案滿足各行各業客戶不斷變化的需求。AI應用和儲能系統的快速增長為SiC和GaN技術帶來了新的機遇,而我們先機在握。
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原文標題:意法半導體:推進8英寸SiC戰略,引領行業規模化發展
文章出處:【微信號:STMChina,微信公眾號:意法半導體中國】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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