英飛凌于近期宣布，其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進入第一階段建設，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠。無獨有偶，安森美、意法半導體、羅姆等國際巨頭紛紛投入8英寸碳化硅晶圓市場。在江西萬年芯看來，這一趨勢預示著半導體行業即將迎來新一輪的技術革新和市場擴張。

“8英寸”擴大產能

據權威預測，到2029年SiC市場容量將達到100億美元。在巨大增量市場的吸引下，第三代半導體產業熱鬧非凡。

Wolfspeed是量產8英寸碳化硅晶圓的“先行”廠商，其在美國的工廠已實現穩定生產。該公司還計劃在未來幾年內繼續擴大產能，以滿足日益增長的市場需求；

安森美近期宣布，將于今年晚些時候對8英寸碳化硅晶圓進行認證，并于2025年投產；

意法半導體已在歐洲和亞洲的多個國家設立制造基地。該公司計劃在未來幾年內將多個晶圓廠過渡到8英寸碳化硅晶圓生產。在重慶，意法半導體與三安光電合作建設的8英寸碳化硅器件合資制造工廠，將成為國內首條具備量產能力的8英寸SiC襯底和晶圓制造線。

國內也有不少企業加速布局8英寸碳化硅賽道，如天科合達、天岳先進、芯聯集成、乾晶半導體、同光股份、科友半導體等。

為什么是“8英寸”？

碳化硅功率器件以其高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優勢，在多個領域展現出廣闊的應用前景。在新能源汽車領域，碳化硅器件能夠顯著提升車輛的續航能力和充電效率；在光伏發電和智能電網領域，碳化硅器件則能有效提高能源轉換效率和系統穩定性。此外，碳化硅器件還廣泛應用于工業電源、電機驅動與航空航天等領域。

當前，盡管市場上的SiC尺寸仍以6英寸為主，但國內廠商都在積極布局8英寸。

據測算，SiC晶圓從6英寸擴大到8英寸，SiC芯片產量可增加90%，在8英寸晶圓上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，這有利于進一步降低芯片成本。據業界人士預計，從2026年至2027年開始，現在的6英寸SiC產品都將被8英寸產品替代。

萬年芯的技術突破

盡管碳化硅功率模塊展現出廣闊的市場前景，但目前仍面臨一些挑戰，如襯底和外延材料的成本較高，以及制造工藝的復雜性等。

作為國家專精特新“小巨人”企業，江西萬年芯微電子有限公司同樣在碳化硅功率器件領域取得了顯著突破。萬年芯研發包含SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊和超低內阻SiC MOSFET等，適用于驅動電機的變頻器和各種逆變電源、充電樁電源、5G電源、電網、高鐵、汽車等行業。通過不斷的技術創新和產品優化，萬年芯正逐步成為碳化硅功率器件市場的重要參與者。

隨著第三代半導體企業加速布局8英寸碳化硅晶圓市場，碳化硅功率器件的應用范圍和優勢將進一步得到拓展和發揮。萬年芯等國內企業的崛起，也為我國半導體產業的發展注入了新的活力。