在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

萬年芯:“國家隊”出手!各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產業

萬年芯微電子 ? 2024-08-10 10:07 ? 次閱讀

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料被認為是當今電子電力產業發展的重要推動力,已在新能源汽車、光儲充、智能電網5G通信微波射頻消費電子等領域展現出較高應用價值,并具有較大的遠景發展空間。以碳化硅為例,根據咨詢機構報告,預估2028年全球碳化硅功率器件市場規模有望達到91.7億美元(約663.53億人民幣)。在萬年芯等企業看來,各國“國家隊”的出手,正是為第三代半導體產業的穩健發展伸出援手。

“國家隊”出手,細看各國對碳化硅/氮化鎵政策

wKgZoma2yhKAU6eWAANiFI_d8Pk772.png圖片源于集邦化合物半導體

早在2021年,國內就出臺了一系列相關政策,全面加大了對第三代半導體產業的支持和投入力度(如圖所示)。而近期,河北、陜西等省發布了第三代半導體相關支持政策,表明各地進一步加大對第三代半導體產業的扶持力度。其中,河北印發的《關于支持第三代半導體等5個細分行業發展的若干措施》,包括在第三代半導體關鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領域組織實施一批技術改造項目,積極爭取將在建和擬建第三代半導體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫。陜西則印發《陜西省培育千億級第三代半導體產業創新集群行動計劃》,將重點開展第三代半導體材料工藝技術與核心產品攻關,打通晶體材料高效生長、器件設計制造等產業發展關鍵節點,打造千億級第三代半導體產業創新集群。

國際方面,美國政府高度重視半導體產業的發展,特別是第三代半導體領域。美國通過《芯片與科學法案》(Chips for America Act)等立法,提供資金支持和稅收優惠,以促進本土半導體產業的發展。此外,美國還通過國防高級研究計劃局(DARPA)等機構,支持第三代半導體材料的研究和應用。歐盟通過“地平線2020”計劃(Horizon 2020)等項目,支持半導體材料的研究和創新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項目”(IPCEI)等機制,提供資金支持,促進成員國在第三代半導體領域的合作和創新。此外,日本通過“新經濟成長戰略”等政策,韓國通過“半導體超級大國戰略”等政策,德國政府通過“高科技戰略”等政策,支持半導體材料的研發和產業化,其中包括促進第三代半導體材料的發展。目前,全球各國都在從政策方面持續對第三代半導體產業進行引導和扶持,有助于推動第三代半導體在各個領域的進一步滲透。

“惠及”上下游,加碼三代半產業扶持

除政策引導和扶持外,在資金補貼方面,各國對于第三代半導體產業發展投入較大,且正在不斷加碼。

這些補助體現了各國政府對第三代半導體產業重要性的認識,以及確保本國在全球第三代半導體供應鏈中保持競爭力的決心。通過這些補助,各國旨在推動第三代半導體技術升級、產能擴大。

除此之外,各國“國家隊”在多個方面支持第三代半導體產業鏈上下游廠商,參與這場日益火熱的全球第三代半導體產業爭奪戰。“國家隊”出手,在壯大本國第三代半導體產業實力的同時,有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導體產業的大軍。在政策扶持和資金支持雙重力量推動下,第三代半導體產業呈現加速發展態勢,從項目落地實施方面可窺見一斑。僅2024年上半年,國內就有數十個碳化硅相關項目披露新進展。而在技術研發和產業化方面,通過產學研合作,國家主導建設的科研機構和高校助力三代半相關廠商加速實現技術升級迭代和產業化。

萬年芯:三代半企業應專注研發,迎接政策

各國對于三代半產業的引導和扶持,體現了對相關領域的重視,有助于加速技術突破。同時,國家的重視和支持,還能夠帶動地方政府和民間資本的投入,形成國家引導、地方支持、民間投資的多元化投融資格局。在萬年芯看來,這也為國內外眾多三代半企業打了一劑強心針。

關于碳化硅功率器件,萬年芯研發包含SiC PIM模塊、智能功率模塊(IPM)、半橋SiC模塊和超低內阻SiC MOSFET等。SiC IPM模塊系列產品,封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片,內置性能強大的驅動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片,電壓650V~1200V,功率300~5000W,適用于驅動電機的變頻器和各種逆變電源;超低內阻SiC MOSFET系列產品,采用自主研發的框架結構,650V系列產品最低Rdon為5毫歐,1200V系列產品最低Rdon為7毫歐;TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力(持續電流200A)、耐壓能力(3300V),適用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網、高鐵、汽車等行業。

wKgZomasfa-ALxANAAT0kgRZeU8906.png

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年,是一家專業從事集成電路、存儲芯片、傳感器類產品、大功率模塊及功率器件等封裝測試研發的高新科技企業。目前已獲得國內專利134項,是國家專精特新“小巨人”企業、“國家知識產權優勢企業”,擁有國家級博士后工作站,為海關AEO高級認證企業,將堅持以實力推動科技創新的高質量發展。

整體來看,各國引導和扶持第三代半導體產業,不僅能夠推動產業的技術進步和產業升級,還能夠在保障產業鏈安全、提升國際競爭力等方面發揮重要作用。隨著各國加大扶持力度,第三代半導體產業的國際競爭將加劇。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    30

    文章

    3067

    瀏覽量

    63979
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2945

    瀏覽量

    49832
  • 第三代半導體

    關注

    3

    文章

    161

    瀏覽量

    7308
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    納微半導體氮化碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化
    的頭像 發表于 02-07 13:35 ?421次閱讀
    納微半導體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術進入戴爾供應鏈

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化器件
    的頭像 發表于 01-23 16:27 ?530次閱讀
    為什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件?

    三代半導體廠商加速出海

    近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數據中心、光伏、風電、工業控制等產業的興起,以碳化硅氮化為代表的第三代半導體廠商發展迅速。
    的頭像 發表于 01-04 09:43 ?713次閱讀

    SiC市場激烈,萬年碳化硅領域的深耕與展望

    2024進入尾聲,中國碳化硅(SiC)卻迎來一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產;后有老玩家退場-世紀金光破產清算。碳化硅行業市高投入、高研發、高設備投入的行
    的頭像 發表于 12-20 16:41 ?663次閱讀
    SiC市場激烈,<b class='flag-5'>萬年</b><b class='flag-5'>芯</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b>領域的深耕與展望

    三代半導體產業高速發展

    當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率器件產業高速發展。其中,新能源汽車市場的快速發展是第
    的頭像 發表于 12-16 14:19 ?604次閱讀

    三代寬禁帶半導體:碳化硅氮化介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢,且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)為代表的寬禁
    的頭像 發表于 12-05 09:37 ?965次閱讀
    第<b class='flag-5'>三代</b>寬禁帶半導體:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>介紹

    萬年榮獲2024第三代半導體制造最佳新銳企業獎

    微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產業協同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導體制造最佳新銳企業獎。本次大會核心圍繞著第三代
    的頭像 發表于 10-28 11:46 ?612次閱讀
    <b class='flag-5'>萬年</b><b class='flag-5'>芯</b>榮獲2024第<b class='flag-5'>三代</b>半導體制造最佳新銳企業獎

    萬年榮獲2024第三代半導體制造最佳新銳企業獎

    微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產業協同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導體制造最佳新銳企業獎。本次大會核心圍繞著第三代
    的頭像 發表于 10-25 15:20 ?57次閱讀
    <b class='flag-5'>萬年</b><b class='flag-5'>芯</b>榮獲2024第<b class='flag-5'>三代</b>半導體制造最佳新銳企業獎

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片

    ,而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似,但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV,比氮化碳化硅倍。這些化合物的較高
    的頭像 發表于 09-16 08:02 ?1053次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導熱絕緣片

    氮化碳化硅哪個有優勢

    氮化(GaN)和碳化硅(SiC)都是當前半導體材料領域的佼佼者,它們各自具有獨特的優勢,應用領域也有所不同。以下是對兩者優勢的比較: 氮化
    的頭像 發表于 09-02 11:26 ?2512次閱讀

    碳化硅氮化哪種材料更好

    引言 碳化硅(SiC)和氮化(GaN)是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質,被廣泛應用于高溫、高頻、高功率等極端環
    的頭像 發表于 09-02 11:19 ?1737次閱讀

    萬年三代企業提速,碳化硅跑步進入8英寸時代

    碳化硅晶圓市場。在江西萬年看來,這一趨勢預示著半導體行業即將迎來新一輪的技術革新和市場擴張。“8英寸”擴大產能據權威預測,到2029SiC市場容量將達到100
    的頭像 發表于 08-16 16:48 ?678次閱讀
    <b class='flag-5'>萬年</b><b class='flag-5'>芯</b>:<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半</b>企業提速,<b class='flag-5'>碳化硅</b>跑步進入8英寸時代

    CNBC對話納微CEO,探討下一氮化碳化硅發展

    近日,納微半導體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話,分享了在AI數據中心所需電源功率呈指數級增長的需求下,下一氮化
    的頭像 發表于 06-13 10:30 ?757次閱讀

    納微半導體發布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導體作為GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業領軍者,近日正式推出了其最新研發的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發表于 06-11 16:24 ?1195次閱讀

    碳化硅器件的基本特性都有哪些?

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作為第三代半導體材料的重要代表,近年來在電子器件領域中備受關注。
    的頭像 發表于 05-27 18:04 ?1957次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 黄色三级国产 | h视频在线观看网站 | 欧美日韩伦理 | 老司机精品视频免费 | 亚洲a视频在线 | 天天综合干 | 免费的日本网站 | 国产精品久久久久网站 | 国产成人啪午夜精品网站 | 免费h视频 | 亚洲美女激情视频 | 另类激情亚洲 | 色综合色狠狠天天综合色hd | 久久成人性色生活片 | 77成人| 夜色成人网 | 仓本c仔国产精品 | 国产三级a三级三级野外 | 男人午夜小视频 | 天天做天天玩天天爽天天 | 天天射日日射 | 亚洲一区高清 | 人人艹在线观看 | 欧美一级看片a免费观看 | 99久久精品费精品国产 | 色偷偷男人天堂 | 亚洲好骚综合 | 日韩色网站 | 国产欧美一区二区日本加勒比 | 天天做天天摸 | 色射色| 天天射天天干天天插 | 天堂中文在线最新版地址 | 天天草夜夜| 亚洲综合激情丁香六月 | 国产日韩精品一区二区三区 | 同性男男肉交短文 | 亚洲人成综合网站在线 | 婷婷丁香九月 | 日韩精品视频免费观看 | 成人午夜网址 |