工業(yè)太陽能電池正從 PERC 向 TOPCon 技術(shù)過渡,雙面應(yīng)用 TOPCon 結(jié)構(gòu)可突破傳統(tǒng)前側(cè)擴(kuò)散限制。polyZEBRA技術(shù),通過將雙極性TOPCon結(jié)構(gòu)集成于電池背面,完全消除前側(cè)寄生吸收,同時(shí)采用低成本工藝(激光圖案化與絲網(wǎng)印刷),旨在實(shí)現(xiàn)與雙面接觸TOPCon技術(shù)相競(jìng)爭(zhēng)的成本效益,電池效率從23.0%提高到24.0%,實(shí)現(xiàn)了1%絕對(duì)值的提升。
polyZEBRA太陽能電池的工藝流程
polyZEBRA太陽能電池的制造工藝流程
關(guān)鍵工藝特點(diǎn)
雙極性TOPCon結(jié)構(gòu):背面同時(shí)集成n型和p型TOPCon結(jié)構(gòu),避免了前側(cè)金屬化帶來的光吸收損失。
低成本工藝:采用激光圖案化和絲網(wǎng)印刷等工業(yè)化低成本工藝,確保技術(shù)的經(jīng)濟(jì)可行性。
鈍化優(yōu)化:通過AlOx/SiNx鈍化層和隧穿氧化層的結(jié)合,顯著降低了表面復(fù)合損失,提升了電池的開路電壓(Voc)和填充因子(FF)。實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)比
去年與本次研究在實(shí)驗(yàn)參數(shù)上的差異
電池厚度和基區(qū)電阻率:較薄的電池和較低的基區(qū)電阻率導(dǎo)致Jsc略有下降,但顯著降低了Rser,提升了FF。
清洗步驟的簡(jiǎn)化:省略額外清洗步驟減少了p型poly-Si/SiOx結(jié)構(gòu)的損傷,提升了Voc。
AlOx覆蓋層厚度增加:較厚的AlOx覆蓋層減少了金屬刺穿隧穿氧化層的風(fēng)險(xiǎn),降低了J0,met,提升了Voc。
金屬化圖案間距縮小:較小的間距顯著降低了Rser,盡管增加了復(fù)合電流,但整體效率仍得到提升。模擬參數(shù)
模擬太陽能電池性能
表面復(fù)合參數(shù):較低的J0,pass值表示良好的表面鈍化,有助于提升Voc。
金屬復(fù)合參數(shù):較低的J0,met值表示良好的金屬-半導(dǎo)體界面,減少復(fù)合損失,提升Voc和FF。
薄層電阻和接觸電阻率:較低的Rsheet和ρc值表示較好的導(dǎo)電性和歐姆接觸,有助于降低串聯(lián)電阻(Rser),提升FF。polyZEBRA太陽能電池的IV性能對(duì)比
polyZEBRA太陽能電池的IV性能數(shù)據(jù)對(duì)比
效率提升:今年的電池效率從23.0%提升到24.0%,主要?dú)w因于Voc和FF的顯著提高。光生載流子的生成量略有減少,但電池內(nèi)部的載流子傳輸和收集效率得到了顯著改善。
開路電壓(Voc):Voc從去年的水平提高了約17 mV,這主要?dú)w因于電池內(nèi)部復(fù)合的減少。
隱含開路電壓(iVoc):iVoc提高了約10 mV,這反映了電池在無光照條件下的性能提升。iVoc的提高表明電池的內(nèi)部質(zhì)量得到了改善,特別是在減少復(fù)合方面。
填充因子(FF):FF提高了約4.7%絕對(duì)值,這表明電池的串聯(lián)電阻(Rser)顯著降低。
短路電流密度(Jsc):Jsc略有下降(約0.2 mA/cm2),這可能是由于電池厚度的減小和基底電阻率的降低。電池參數(shù)對(duì)Rser影響
polyZEBRA太陽能電池的pFF-to-FF損失
基區(qū)電阻率降低:從13 Ωcm降至4 Ωcm,顯著降低了體電阻。
金屬化間距縮小:從1080 μm降至800 μm,縮短了載流子傳輸路徑,進(jìn)一步降低了串聯(lián)電阻。
工藝穩(wěn)定性增強(qiáng):減少了數(shù)據(jù)波動(dòng),確保結(jié)果可重復(fù)性。AlOx厚度對(duì)電池性能的影響
不同背面AlOx覆蓋層厚度對(duì)polyZEBRA太陽能電池性能的影響
AlOx覆蓋層增厚:從60 nm增至75 nm,顯著降低了金屬-半導(dǎo)體界面復(fù)合電流密度,提升了開路電壓。
串聯(lián)電阻的微小增加:較厚的AlOx覆蓋層略微增加了接觸電阻,但對(duì)整體效率的影響較小。
工藝穩(wěn)定性增強(qiáng):本次研究的數(shù)據(jù)點(diǎn)更集中,表明工藝優(yōu)化后電池性能更穩(wěn)定。polyZEBRA太陽能電池金屬化間距影響
在不同后金屬化圖案間距下的性能對(duì)比金屬化間距縮小:從1080 μm降至800 μm,顯著提升了電荷載流子的收集效率,降低了串聯(lián)電阻。
發(fā)射區(qū)寬度減少:從570 μm降至360 μm,減少了p型poly-Si/SiOx區(qū)域的復(fù)合損失。
間隙寬度減少:從110 μm降至75 μm,進(jìn)一步降低了串聯(lián)電阻。
界面復(fù)合的微小增加:較小的間距略微增加了金屬-半導(dǎo)體界面復(fù)合電流密度,但對(duì)整體效率的影響較小。
電池效率提升:較小的間距顯著提升了電池的整體性能,效率提升約0.4%絕對(duì)值。
通過創(chuàng)新的polyZEBRA技術(shù),成功將TOPCon基背接觸太陽能電池的效率提升至24.0%,較去年提升了1%絕對(duì)值。polyZEBRA技術(shù)展示了其在高效背接觸太陽能電池領(lǐng)域的巨大潛力,為工業(yè)級(jí)大規(guī)模生產(chǎn)提供了可行的技術(shù)路徑。美能在線四探針方阻儀
![60bc4d6a-e8dd-11ef-9434-92fbcf53809c.png](https://file1.elecfans.com//web3/M00/07/FB/wKgZO2esBn-AL6SyAAFcBcByCd8931.png)
美能在線四探針方阻儀
采用四探針法測(cè)量方阻和電阻率,動(dòng)態(tài)重復(fù)性達(dá)0.2%,支持全自動(dòng)多點(diǎn)掃描,最大可測(cè)230mm樣品,適用于光伏電池、半導(dǎo)體薄膜等場(chǎng)景。
- 最大樣品滿足230mm×230mm
- 測(cè)量點(diǎn)數(shù)支持5點(diǎn)、9點(diǎn)測(cè)量,同時(shí)測(cè)試5點(diǎn)滿足≤5秒,同時(shí)測(cè)試9點(diǎn)滿足≤10秒
- 測(cè)量精度:保證同種型號(hào)測(cè)量的精準(zhǔn)度不同測(cè)試儀器間測(cè)試誤差在±1%
未來的研究將聚焦于進(jìn)一步降低iVoc-to-Voc損失,同時(shí)保持高填充因子(FF),以實(shí)現(xiàn)更高的電池效率,美能光伏在線四探針方阻儀將提供關(guān)鍵支持,助力實(shí)現(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的太陽能發(fā)電目標(biāo)。
原文出處:《24% Efficient TOPCon-based back contacted polyZEBRA solar cells》(EPJ Photovoltaics, 2025)
*特別聲明:「美能光伏」公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。
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