傾佳電子楊茜為320KW光伏逆變器提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件（MOSFET+SBD+隔離器驅(qū)動+隔離供電）的飛跨電容三電平BOOST MPPT方案

在1500V大組串光伏逆變器中，飛跨電容三電平BOOST電路通過降低器件應(yīng)力、優(yōu)化開關(guān)損耗、提升波形質(zhì)量和動態(tài)響應(yīng)，顯著增強(qiáng)了MPPT效率和系統(tǒng)可靠性，是高壓、高功率密度光伏系統(tǒng)的理想選擇。盡管存在控制復(fù)雜性和電容設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，但其綜合優(yōu)勢在高電壓場景下仍具有不可替代性。國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件（如BASiC基本股份）已經(jīng)逐步成熟，全面取代老舊IGBT模塊的解決方案。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：采用飛跨電容三電平BOOST電路，降低開關(guān)器件電壓應(yīng)力，提升效率。

主開關(guān)管：SiC MOSFET B3M013C120Z（2個(gè)，分別作為高、低邊開關(guān)）。

續(xù)流二極管：SiC二極管 B3D80120H2（零反向恢復(fù)損耗，適用于高頻續(xù)流）。

飛跨電容：選用低ESR薄膜電容（如100μF/630V，平衡中點(diǎn)電壓）。

Boost電感：定制鐵硅鋁磁芯電感（電感值約200μH，電流紋波<10%）。

輸出電容：電解電容+薄膜電容組合（總?cè)葜怠?mF，抑制母線電壓紋波）。

2. 關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算

輸入/輸出電壓：

光伏陣列MPPT范圍：250-800VDC（假設(shè)單串最大功率點(diǎn)電壓）。

母線輸出電壓：1500VDC（滿足三電平逆變需求）。

開關(guān)頻率：50kHz（權(quán)衡效率與EMI）。

電感設(shè)計(jì)：

L=ΔI?fsw?Vin??D?=0.1?400A?50kHz800V?0.5?≈200μH

功率器件選型驗(yàn)證：

MOSFET電流應(yīng)力：Irms?=400A×D?=283A（需并聯(lián)2個(gè)B3M013C120Z，單管176A@25°C）。

二極管電流應(yīng)力：Iavg?=400A×(1?D)=200A（需并聯(lián)2個(gè)B3D80120H2，單管108A@135°C）。

3. 驅(qū)動與保護(hù)電路

隔離驅(qū)動IC：BTD5350MCWR（SOW-8封裝，5000Vrms隔離）。

高邊驅(qū)動配置：隔離電源供電（如BTP1521P +變壓器）。

米勒鉗位功能：連接CLAMP引腳至MOSFET源極，抑制誤導(dǎo)通。

保護(hù)功能：

過流保護(hù)：霍爾傳感器檢測電感電流，觸發(fā)驅(qū)動IC關(guān)斷。

飛跨電容電壓平衡：采用電壓采樣+PI控制，動態(tài)調(diào)整占空比。

4. 控制策略

MPPT算法：增量電導(dǎo)法（動態(tài)響應(yīng)快，適應(yīng)光照變化）。

三電平PWM生成：

載波移相調(diào)制（PS-PWM），降低諧波。

飛跨電容電壓閉環(huán)控制，確保中點(diǎn)電壓穩(wěn)定在750V。

軟啟動：逐步提升占空比，避免浪涌電流。

5. 熱管理與EMI設(shè)計(jì)

散熱設(shè)計(jì)：

MOSFET功率損耗：Ploss?=Irms2??RDS(on)?+Esw??fsw?≈1.2kW（需液冷散熱，結(jié)溫≤150°C）。

二極管損耗：Pdiode?=VF??Iavg?≈2.5kW（強(qiáng)制風(fēng)冷+銅基板）。

EMI優(yōu)化：

PCB布局：高低壓分區(qū)，減少環(huán)路面積。

輸入/輸出端加裝共模電感和X2Y電容。

6. 方案優(yōu)勢

高效率：SiC器件+高頻三電平拓?fù)洌麢C(jī)效率≥98.5%。

高功率密度：緊湊設(shè)計(jì)，功率密度>1kW/kg。

高可靠性：隔離驅(qū)動+飛跨電容電壓平衡，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。

7. 驗(yàn)證與測試

仿真驗(yàn)證：PLECS仿真開關(guān)波形、損耗及熱分布。

樣機(jī)測試：

滿載320KW效率測試（需滿足98%以上）。

飛跨電容電壓波動<5%（動態(tài)負(fù)載階躍測試）。

EMI測試符合CISPR 11 Class A標(biāo)準(zhǔn)。

總結(jié)：本方案通過BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)SiC器件B3M013C120Z以及B3D80120H2的高頻優(yōu)勢和三電平拓?fù)涞碾妷簯?yīng)力優(yōu)化，結(jié)合BTD5350MCWR的可靠驅(qū)動以及高邊驅(qū)動配置：隔離電源供電（如BTP1521P +變壓器），實(shí)現(xiàn)了高效、高功率密度的光伏MPPT Boost電路，適用于1500V系統(tǒng)的320KW級逆變系統(tǒng)。

審核編輯 黃宇