過去幾十年來，單片芯片一直是推動技術(shù)進步的主力。但就像工業(yè)革命期間，役畜被更高效強大的機器所取代一樣，半導體行業(yè)如今也處于類似變革的階段。

Multi-Die和基于小芯片的設(shè)計，即將多個專用芯片集成在單個封裝中或?qū)?a href="http://m.xsypw.cn/v/tag/123/" target="_blank">集成電路垂直堆疊，有望帶來比單片芯片更高的性能和靈活性，能夠滿足高性能計算（HPC）以及AI驅(qū)動的工作負載對處理能力永無止境的需求。但是，要開發(fā)這些先進的芯片設(shè)計，需要極其雄厚的資金和前沿的研發(fā)能力。

但如今情況不同了。

Multi-Die技術(shù)、工具、流程和IP都在迅速成熟。工程專業(yè)知識也在不斷發(fā)展。同時，晶圓代工廠的產(chǎn)能持續(xù)擴張?；谶@些考慮，我們預測，到2025年，50%的新型高性能計算芯片設(shè)計將采用Multi-Die技術(shù)。

晶圓代工廠積極布局，準備迎接Multi-Die設(shè)計浪潮

要將Multi-Die設(shè)計推向市場，僅靠研發(fā)是不夠的。它還需要高帶寬、低延遲的互連、具備充足產(chǎn)能的先進制造工藝，以及精密的設(shè)計工具和IP。

通用芯?；ミB技術(shù)（UCIe）等開放行業(yè)標準不斷成熟，有助于簡化和加強異構(gòu)小芯片之間的連接，同時降低風險并縮短設(shè)計周期。UCIe在高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心以及邊緣應用領(lǐng)域的運用日益廣泛，正推動市場對Multi-Die設(shè)計產(chǎn)生巨大需求。

除了先進互連技術(shù)的成熟與普及，晶圓代工廠也在為即將到來的Multi-Die設(shè)計浪潮做準備。這包括采用能實現(xiàn)更密集凸點和更高性能的新型制造工藝。額外的封裝、中介層和集成選項帶來了成本和架構(gòu)上的靈活性。而擴大的產(chǎn)能意味著更多的設(shè)計和原型能夠推向市場。

先進的Multi-Die設(shè)計工具和IP

開發(fā)這些尖端芯片離不開最先進的設(shè)計解決方案，而新思科技始終處于Multi-Die創(chuàng)新的前沿。我們?nèi)媲铱蓴U展的Multi-Die解決方案包括設(shè)計自動化工具和IP，能夠助力實現(xiàn)：

早期架構(gòu)探索

快速軟件開發(fā)和系統(tǒng)驗證

高效的裸片/封裝協(xié)同設(shè)計

魯棒的裸片間和芯片間連接

增強的制造能力和可靠性

我們還提供超高性能、超低延遲、超低功耗和超小面積的Die-to-Die IP解決方案，其中包括UCIe和專用控制器、物理層器件（PHY）以及驗證IP?；赨CIe的IP符合最新的UCIe規(guī)范，而專用的Die-to-Die IP可提供40Gbps的性能、優(yōu)化芯片邊緣利用率和能效，同時具備低延遲，并支持標準和先進的封裝技術(shù)。

我們的Multi-Die解決方案已助力多個基于不同代工工藝的項目成功實現(xiàn)芯片量產(chǎn)?？蛻舨捎寐屎途A代工廠產(chǎn)能都在持續(xù)提升，同時高帶寬低延遲的互連標準也在不斷成熟。

基于以上原因，我們認為，到2025年，至少有一半的新型高性能計算芯片設(shè)計將采用Multi-Die技術(shù)。