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DS28E04-100 4096位、可尋址、1-Wire EEPROM,帶有PIO技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-02-26 15:29 ? 次閱讀
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概述

DS28E04-100是具有7個(gè)地址輸入的4096位,1-Wire? EEPROM芯片。地址輸入直接映射到1-Wire 64位器件ID號(hào)上,使主機(jī)系統(tǒng)能夠在多器件1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中直接識(shí)別出DS28E04-100的物理地置和功能。4096位EEPROM陣列配置為16頁,每頁32字節(jié),另外還有用來進(jìn)行寫操作的32字節(jié)暫存器。EEPROM存儲(chǔ)器頁可單獨(dú)進(jìn)行寫保護(hù)或置為EPROM仿真模式,此時(shí)每一位只能由1變?yōu)?。除存儲(chǔ)器外,DS28E04-100還具有兩個(gè)通用I/O端口,可用于輸入或產(chǎn)生電平和/或脈沖輸出。狀態(tài)變化寄存器還用于指示端口狀態(tài)變化。DS28E04-100通過單觸點(diǎn)1-Wire總線進(jìn)行通信。通信符合標(biāo)準(zhǔn)的Dallas Semiconductor 1-Wire協(xié)議。
數(shù)據(jù)表:*附件:DS28E04-100 4096位、可尋址、1-Wire EEPROM,帶有PIO技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

  • 4096位EEPROM存儲(chǔ)器,劃分成16頁,每頁256位
  • 7個(gè)地址輸入,用于配置物理地置
  • 兩個(gè)通用PIO引腳,具有脈沖產(chǎn)生功能
  • 獨(dú)立的存儲(chǔ)器頁面可永久寫保護(hù)或進(jìn)入OTP EPROM仿真模式(寫入0)
  • 采用1-Wire協(xié)議,通過單線數(shù)字信號(hào),以15.3kbps或111kbps速率與主機(jī)通信
  • 寄生或VCC供電
  • 基于PIO狀態(tài)或PIO狀態(tài)變化的的條件搜索
  • 有噪聲時(shí),通過切換點(diǎn)滯回和濾波優(yōu)化性能
  • 2.8V至5.25V寬電壓范圍,-40°C至+85°C溫度范圍進(jìn)行讀寫操作
  • 16引腳,150mil SO封裝

應(yīng)用

  • 接入產(chǎn)品、光網(wǎng)絡(luò)單元和PBX
  • 配件/PCB識(shí)別
  • null

典型操作電路
image.png

引腳配置
image.png

框圖
image.png

圖1中的框圖顯示了S28E04-100的主要控制和存儲(chǔ)器部分之間的關(guān)系。DS28E04-100有五個(gè)主要數(shù)據(jù)部分:1) 64位器件ID號(hào),2) 32字節(jié)緩存,3)16頁32字節(jié)EEPROM,4)特殊功能寄存器,5) PIO控制寄存器。單線協(xié)議的層次結(jié)構(gòu)如圖2所示。總線主設(shè)備必須首先提供八個(gè)ROM功能命令中的一個(gè),1)讀取ROM,2)匹配ROM,3)搜索ROM,4)條件搜索ROM,5) SkipROM,6) Resume,7) Overdrive-Skip ROM或8) Overdrive-Match ROM。以標(biāo)準(zhǔn)速度執(zhí)行完一個(gè)過驅(qū)ROMcommand字節(jié)后,器件進(jìn)入過驅(qū)模式,所有后續(xù)通信以更高的速度進(jìn)行。這些ROM功能命令所需的協(xié)議如圖14所示。成功執(zhí)行ROM功能命令后,存儲(chǔ)/控制功能變得可訪問,主機(jī)可以提供九個(gè)存儲(chǔ)/控制功能命令中的任何一個(gè)。這些命令的協(xié)議如圖9所示。所有數(shù)據(jù)首先從最低有效位讀取和寫入。
圖二單線協(xié)議的層次結(jié)構(gòu)
image.png

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