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      SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      麥辣雞腿堡 ? 來源：派恩杰半導(dǎo)體 ? 2025-02-27 18:25 ? 次閱讀

      P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。這些特性有助于提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關(guān)損耗，還能實現(xiàn)器件并聯(lián)而無熱失控風(fēng)險。

      *附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf

      特性

      • 通過 AEC-Q101 認證
      • 超快速開關(guān)
      • TO-263-2 封裝
      • 零反向恢復(fù)電流
      • 高頻運行
      • 正向電壓具有正溫度系數(shù)
      • 高浪涌電流
      • 100% 進行 UIS 測試

      優(yōu)勢

      • 優(yōu)異的性能
      • 減小系統(tǒng)體積
      • 提升整體效率
      • 減小散熱面積
      • 車規(guī)級器件
      • 降低系統(tǒng)成本
      • 降低電磁干擾

      應(yīng)用領(lǐng)域

      最大額定值

      image.png

      熱特性

      image.png

      封裝外形

      image.png

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 肖特基二極管
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      • 碳化硅
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        發(fā)表于 09-24 16:22

        SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

        SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)
        的頭像 發(fā)表于 02-25 17:03 ?231次閱讀
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        ：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管
        的頭像 發(fā)表于 02-25 17:44 ?217次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-25 18:13 ?254次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-26 16:54 ?225次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-26 17:07 ?213次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-26 17:40 ?195次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-26 18:01 ?215次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-27 17:11 ?177次閱讀
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        SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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        的頭像 發(fā)表于 02-27 17:32 ?210次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-28 17:52 ?225次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 02-28 18:21 ?306次閱讀
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