P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。這些特性有助于提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關(guān)損耗,還能實現(xiàn)器件并聯(lián)而無熱失控風(fēng)險。
*附件:SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 通過 AEC-Q101 認證
- 超快速開關(guān)
- TO-263-2 封裝
- 零反向恢復(fù)電流
- 高頻運行
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 100% 進行 UIS 測試
優(yōu)勢
- 優(yōu)異的性能
- 減小系統(tǒng)體積
- 提升整體效率
- 減小散熱面積
- 車規(guī)級器件
- 降低系統(tǒng)成本
- 降低電磁干擾
應(yīng)用領(lǐng)域
最大額定值
熱特性
封裝外形
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
肖特基二極管
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
961瀏覽量
35233 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
30文章
3012瀏覽量
63533 -
數(shù)據(jù)手冊
+關(guān)注
關(guān)注
95文章
6149瀏覽量
43080 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2918瀏覽量
49585
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基
發(fā)表于 09-24 16:22
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
/DC轉(zhuǎn)換器等,滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基

評論