概述

ADRF5424是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片和引線裝配焊盤，且器件底部經過金屬化處理并接地。

該器件的工作頻率范圍為100 MHz至60 GHz，在55 GHz時提供優于1.5 dB的插入損耗和35 dB隔離性能。ADRF5424的通過路徑和熱切換均具有27 dBm（高達40 GHz時）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5424在+3.3 V正電源電壓和-3.3 V負電源電壓下分別消耗14 μA和120 μA的低電流。該器件具有互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5424設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。
數據表：*附件：ADRF5424載波裸片，硅SPDT開關，100MHz至60GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• • 超寬帶頻率范圍：100 MHz 至 60 GHz
• 反射式設計
• 用于線焊和帶狀鍵合的焊盤
• 低插入損耗
  • 1.0 dB 典型值，最高 18 GHz
  • 1.3 dB 典型值，最高 44 GHz
  • 1.5 dB 典型值，最高 55 GHz
• 高輸入線性度
• P1dB：28 dBm（典型值）
• IP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • 直通路徑：27 dBm，高達 40 GHz
  • 熱切換：27 dBm，高達 40 GHz
• 無低頻雜散信號
• RF 建立時間（50% VCTRL 至 0.1 dB 的最終 RF 輸出）：17 ns
• 14 焊盤、2.471 毫米 x 2.571 毫米、載體上裸片 [CHIP]
  框圖
  
  引腳配置
  
  接口示意圖