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IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2025-03-06 14:14 ? 次閱讀

關(guān)鍵要點(diǎn)

BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟動(dòng),會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT,并輸出FO信號(hào)。

在TSD已啟動(dòng)的情況下,由于IGBT的Tj已超過(guò)150°C的絕對(duì)最大額定值,因此需要更換IPM。

該功能監(jiān)控的Tj為L(zhǎng)VIC芯片的Tj,無(wú)法跟上IGBT芯片的急劇溫升,因此,在Tj急劇上升的情況下,該功能無(wú)法有效發(fā)揮作用,這一點(diǎn)需要注意。

本文將介紹第三個(gè)功能——“熱關(guān)斷保護(hù)功能”。請(qǐng)注意,該保護(hù)功能僅適用于BM6337xS系列。BM6357xS系列未配備該功能。

· 短路電流保護(hù)功能(SCP)

·控制電源欠壓誤動(dòng)作防止功能(UVLO)

·熱關(guān)斷保護(hù)功能 (TSD) *僅限BM6337xS系列

·模擬溫度輸出功能(VOT)

·錯(cuò)誤輸出功能(FO)

·控制輸入(HINU、HINV、HINW、LINU、LINV、LINW)

01熱關(guān)斷保護(hù)功能(TSD)

BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver,低邊柵極驅(qū)動(dòng)器)溫度的熱關(guān)斷電路。當(dāng)LVIC的溫度達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路會(huì)啟動(dòng),會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT,并輸出FO信號(hào)。

d18ff028-f977-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

02熱關(guān)斷保護(hù)功能的工作時(shí)序

下面是內(nèi)置于LVIC的LVCC熱關(guān)斷保護(hù)功能的工作時(shí)序圖。d1~d7的工作說(shuō)明是時(shí)序圖中對(duì)應(yīng)編號(hào)處的動(dòng)作。

d1:正常工作過(guò)程中,IGBT導(dǎo)通時(shí)流過(guò)輸出電流Ic

d2:當(dāng)LVIC的Tj上升時(shí),在TSDT處保護(hù)工作開(kāi)始

d3:關(guān)斷下側(cè)橋臂各相的IGBT(無(wú)論LIN輸入如何都關(guān)斷)

d4:輸出FO(180μs(Min)),TSD=H期間180μs以內(nèi)時(shí)。當(dāng)TSD=H期間為180μs以上時(shí),在TSD=H的Tj下降至TSDT-TSDHYS的期間輸出FO(FO=L)

d5:當(dāng)LVIC的Tj下降時(shí),在TSDT-TSDHYS處釋放

d6:即使在LIN=H(虛線)時(shí)被釋放,直到下一個(gè)LIN上升沿,IGBT仍保持關(guān)斷狀態(tài)。(通過(guò)對(duì)各相的LIN輸入使各相逐一恢復(fù)為正常狀態(tài))

d7:正常工作。IGBT導(dǎo)通,并流過(guò)輸出電流Ic

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下面是安裝IGBT IPM時(shí)熱量向內(nèi)部LVIC芯片的傳遞路徑示意圖。IGBT芯片產(chǎn)生的熱量有兩條傳導(dǎo)路徑,一條是經(jīng)由鍵合線傳導(dǎo)至LVIC芯片;另一條是經(jīng)由芯片焊盤(pán)、封裝背面的散熱墊以及散熱器,再回到封裝樹(shù)脂。

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注意事項(xiàng)

·如果TSD功能啟動(dòng)并輸出錯(cuò)誤信號(hào),需要立即停止運(yùn)行,以免出現(xiàn)異常狀態(tài)。

·當(dāng)因錯(cuò)誤輸出而停止運(yùn)行時(shí),如果這是由冷卻系統(tǒng)異常(如散熱器松動(dòng)或脫落、冷卻風(fēng)扇異常停止)引起的,則很可能會(huì)觸發(fā)TSD并輸出錯(cuò)誤信號(hào)。此時(shí),因?yàn)镮GBT芯片的結(jié)溫已超過(guò)150°C絕對(duì)最大額定值,所以需要更換IPM。

·該功能所監(jiān)控的結(jié)溫是低邊IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器芯片(LVIC)的溫度。請(qǐng)注意,因無(wú)法跟上IGBT芯片的急劇溫升,在諸如電機(jī)堵轉(zhuǎn)或過(guò)電流這類的結(jié)溫急劇上升的情況下,該功能無(wú)效。

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原文標(biāo)題:R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能(TSD)

文章出處:【微信號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán),微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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