概述

ADL8104 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶高線性度放大器，工作范圍為 0.4 GHz 至 7.5 GHz。

ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型增益為 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 時的典型噪聲系數為 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型輸出功率為 1 dB 壓縮的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型三階截取輸出 (OIP3) 為 32 dBm，漏極電源為 5 V 時的電流僅為 150 mA。該低噪聲放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 時具有典型值為 52 dBm 的高輸出二階截距 (OIP2)，使得 ADL8104 適合應用于軍事和測試儀器。

ADL8104 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出特性。RFIN~ 和 RFOUT~ 引腳內部交流耦合，并集成了偏置電感器，使得 ADL8104 非常適合基于表面貼裝技術 (SMT)、高密度的應用。

ADL8104 采用符合 RoHS 指令的 3 mm × 3 mm 16 引腳 LFCSP 封裝。
數據表：*附件：ADL8104 0.4GHz至7.5GHz的高線性度寬帶低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事通信

特性

• 單一正電源（自偏置）
• 高 OIP2：0.6 GHz 到 7.5 GHz 時為 52 dBm（典型值）
• 高增益：0.6 GHz 到 6 GHz 范圍內為 15 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 低噪聲指數：0.4 GHz 到 6 GHz 范圍內為 3.5 dB（典型值）
• 兼容 RoHS 的 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADL8104是一款MMIC GaAs pHEMT低噪聲寬帶放大器，集成交流耦合電容和偏置電感。圖86顯示了一個簡化原理圖。ADL8104具有交流耦合的單端輸入和輸出端口，在0.4 GHz至7.5 GHz頻率范圍內，其阻抗標稱值等于50歐姆。沒有外部匹配組件是必需的。要調整靜態電流，請在Rauas和Vpp引腳之間連接一個外部電阻。