動態(tài)存儲器的一個顯著特點(diǎn)就是存儲的數(shù)據(jù)具有易失性，必須在規(guī)定時間內(nèi)對其刷新。在本系統(tǒng)中采用8031的定時器1定時中斷實(shí)現(xiàn)對DRAM的刷新。其定時中斷刷新的程序如下：

刷新時，先將Tl置1，在DEC 70H語句的取指周期，8031從外部程序存儲器EPROM取指令，PSEN有效，此時Tl為高，使RAS有效；同時，存儲指令的EPROM地址也送到了地址線上，其低9位也作為行地址同時送給DRAM，實(shí)現(xiàn)對DRAM -行的刷新。由于DEC 70H語句是對內(nèi)部RAM的操作，此時地址線上不會有其他地址，連續(xù)執(zhí)行OlOOH條DEC 70H語句（0200H個字節(jié)），可實(shí)現(xiàn)對1 MB DRAM的刷新（1 MB DRAM需9位刷新地址）。

進(jìn)入中斷程序，立即重設(shè)定時器1參數(shù)并打開定時器，使定時連續(xù)。定時器1的計數(shù)輸入信號來自內(nèi)部的時鐘脈沖，計數(shù)速率是振蕩器頻率的1／12。若用12 MHz石英晶體作振蕩器，則計數(shù)速率為1MHz。設(shè)定時參數(shù)為FFFFH - F63BH一09C4H，則定時刷新周期為2.5 ms。目前一般1 MB DRAM刷新周期為16 ms，所以定時參數(shù)值還可設(shè)置得大些。

數(shù)據(jù)緩存器管理

數(shù)據(jù)緩存器的管理可采用循環(huán)隊(duì)列的方式。由主程序向上位機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù)，并根據(jù)隊(duì)列的頭尾指針位置及前后標(biāo)志判斷隊(duì)列的情況，利用中斷接收新數(shù)據(jù)和刷新DRAM。這種邊接收、邊發(fā)送的運(yùn)行方式可使緩存器保持高效率。刷新DRAM的中斷源級別應(yīng)高于接收數(shù)據(jù)的中斷申請，以保證DRAM的按時刷新。