算力時代的高壓挑戰

隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡，單機柜功率密度已飆升至30kW，傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味著單數據中心年損耗超5000萬度電。仁懋電子專為高壓直流場景打造的MOT12N65T/MOT35N65T，以 “高頻高效、極寒散熱”重新定義服務器電源MOS選型標準。

技術破局：三重復合戰力

1. 導通損耗碾壓式領先

MOT35N65T采用自主SJ超結工藝，實現RDS(on)=220mΩ@10V，較上一代降低22%。在世紀應用中，導通損耗減少18%，助力整機效率突破鈦金級（96%）。

動態均流技術：電流偏差＜3%，避免局部過熱引發的雪崩失效。

2. 高頻開關性能革命

MOT12N65T：優化柵極電荷（Qg=45nC）與米勒電容（Crss=17pF），支持500kHz高頻開關：

- 開關損耗較平面MOS降低40%，滿足GPU集群10ms內200%負載突變的嚴苛需求；

- 零電壓切換（ZVS）死區時間縮短至50ns，提升拓撲響應速度。

3. 超強散熱架構

- 銅基板封裝：熱阻（Rthjc）僅0.6℃/W，較TO-220降低60%；

- 雙面散熱設計：搭配散熱片時結溫＜105℃（競品＞135℃），MTBF提升至150萬小時。

選型推薦

| 需求場景 | 推薦型號 | 特性

| PFC電路 | MOT12N65T | 超低Qg+500kHz高頻響應

| 大電流應用 | MOT35N65T | 動態均流+雙面散熱

當全球算力戰爭進入“每瓦特性能”的終極比拼，仁懋MOSFET以“讓電源消失存在感”的硬核實力，正在為數據中心打造零損耗能量心臟。