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TPS53626 用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 存儲器的 2 相 D-CAP+ ? 降壓控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-03-24 15:18 ? 次閱讀

TPS53626 器件是一款無驅動器、符合 VR13 SVID 標準的同步降壓 控制器。先進的控制功能,如 D-CAP+ 架構,具有 重疊脈沖支持下沖減少 (USR) 和過沖減少 (OSR) 提供快速瞬態響應、最低的輸出電容和高 效率。該器件還支持在 CCM 或 DCM 模式下進行單相作,以實現 輕載效率提升。該器件集成了一整套 VR13 I/O 功能包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。 SVID 接口地址允許在 00h 到 07h 之間編程。可調 V 的控制轉換速率可設置為高達 20mV/uS。
*附件:用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 內存的 2 相 D-CAP+ ? 降壓控制器數據表.pdf

TI NexFET 功率級配合使用,該整體解決方案可提供 極高的速度和低開關損耗。TPS53626 還提供四個 使用單個外部配置 VCCIO 和 VMCP 設置的默認模式 resistor 來節省元件數量和電路板空間。

TPS53626 器件封裝采用節省空間的熱增強型 32 引腳 VQFN 封裝 封裝,工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

  • 符合 Intel VR13 串行 VID (SVID) 標準
  • 1 相或 2 相作
  • VR13 VCCIO 和 VMCP 的默認配置模式
  • 支持 Droop 和非 Droop 應用
  • 步長為 5mV 的 8 位 DAC
  • 輸出范圍:0.25 V 至 1.52 V
  • 優化輕負載和重負載下的效率
  • 8 個獨立的過沖減少 (OSR) 和下沖減少 (USR) 級別
  • 用于高效高頻開關的無驅動器配置
  • 支持分立、電源模塊、功率級或 DrMOS MOSFET 實現
  • 精確、可調的電壓定位
  • 300kHz 至 1MHz 頻率選擇
  • 獲得專利的 AutoBalance 相位平衡
  • 用于負載瞬態升壓的可編程導通脈沖擴展
  • 可編程自動 DCM 和 CCM作
  • 可選 8 級電流限制
  • 4.5V 至 28V 轉換電壓范圍
  • 小型 4 mm × 4 mm、32 引腳 VQFN PowerPad 封裝

參數
image.png

方框圖
image.png

1. 產品基本信息

  • ?型號?:TPS53626
  • ?封裝類型?:VQFN RSM 32引腳
  • ?工作溫度范圍?:-40°C至105°C
  • ?狀態?:活躍(推薦用于新設計)

2. 環保與合規性

  • ?RoHS合規?:符合歐盟RoHS指令要求
  • ?無鹵?:滿足JS709B低鹵素要求
  • ?綠色產品?:是

3. 封裝與尺寸

  • ?封裝尺寸?:4x4mm,0.4mm引腳間距
  • ?熱焊盤?:有,需焊接到PCB上以實現最佳熱性能和機械性能

4. 訂購信息

  • ?樣品可用性?:是
  • ?包裝數量?:3000(RSMR版本),250(RSMT版本)

5. 特性概述

  • ?應用領域?:適用于VR13 CPU VCORE和DDR內存的2相降壓控制
  • ?關鍵特性?:未具體說明,但通常包括高效率、低噪聲、快速瞬態響應等

6. 設計資源與支持

  • ?技術支持?:通過vr@list.ti.com獲取完整的數據表和其他設計支持工具
  • ?社區與文檔?:提供TI社區資源鏈接,用戶可獲取技術支持和經驗交流
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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