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@ ICDT 2025

{聽Ta講報告}

隨著顯示技術向超高清、柔性化、低功耗方向持續演進，顯示行業對創新技術的需求更加迫切。維信諾從材料、器件電路、工藝等方面開展了全方位的技術攻關，以多維度創新推動顯示技術突破邊界。在此次ICDT2025上，維信諾技術專家分享了其在OLED、QD-OLED、LTPO等領域的創新成果。

· 技術突破 ·

Recent Technical and Mass Production Progress on High-Performance ViP AMOLED Technology

ViP技術采用光刻像素化方案，省去了精細金屬掩膜版也就是Fine Matel Mask工藝，徹底消除了相關技術瓶頸，讓OLED技術的本征性能得以更徹底的釋放。同時引入定制化隔離柱結構，實現子像素級別的光學設計、加強型的封裝保護和輔助電路平臺。

搭載ViP技術的新型OLED產品，在壽命、亮度、功耗、可靠性、低亮度畫質等維度相較于Fine Matel Mask技術實現了顯著的提升，在自由形態、高PPI、大尺寸等維度實現了質的突破。

Investigation of high mobility metal oxide TFT for IT AMOLED backplane technology development

全氧化物TFT背板技術因為其較好的均一性和低成本的優點，是具有潛力的高世代線中尺寸OLED背板技術，為了高刷新率和窄邊框需求，我們今年發表了高遷移率氧化物TFT器件成果，成功點亮中尺寸屏體，并展現較好的亮度均一性和可靠性。

Development of High Stable Devices with Smal Chanel Length in High Mobility Oxide TFT

高遷氧化物具有IGZO的低漏電，及接近LTPS的大電流，有利于實現氧化物屏體的高PPI、窄邊框和高刷新率。本實驗在G6獲得好的均一性和穩定性的高遷氧化物器件，器件遷移率大于30cm2/Vs，且溝道長度小至2um器件收斂。各結構的器件均收斂和穩定，滿足高遷氧化物屏體驅動要求，可制備高品質氧化物屏體。

Super high PPI panel design on GOLED (glass base OLED)

VR、AR領域一直是近些年顯示屏產業的熱點 , 尤其是Micro OLED與Fast-LCD技術 , 但Micro OLED的成本太高 , Fast-LCD的響應時間與功耗太高 , 所以本報告的核心在于如何突破玻璃基的OLED技術 , 讓VR、AR可以用到更具性價比的OLED 屏幕。

· 材料創新 ·

High Performance and High Color Purity Green OLEDs for Wide Color Gamut Requirements

隨著終端對屏幕顯示效果需求的不斷提高，寬色域OLED顯示（如Adobe和BT2020標準）在多個領域展現出廣闊的應用前景。我們基于pTSF技術制備了一系列的器件，并和對應的磷光器件進行了比較。相比于磷光器件，pTSF器件表現出了相當甚至更高的電流效率，壽命上面更是有30%以上的提升效果，器件色純度也從DCI-P3色度擴展到了Adobe以及BT2020色度，且器件開啟及工作電壓，以及電容等都沒有產生很大影響。可以看到，pTSF技術具備窄光譜高色純度，高效率，長壽命，低成本等優勢，是未來OLED顯示技術的重要迭代方向。

Optical Efficiency Improvement of QD-OLED Technology with Structural Design and Material Selection

QD-OLED以高色域、廣視角及更優的感知亮度，在中尺寸、高端電視和顯示領域具有廣泛的應用前景，但較低的光轉換效率限制了其在高分辨顯示領域的應用。藉由光學仿真，針對QD-OLED技術中影響光轉換效率的薄膜封裝單元、QD色轉換單元結構設計以及光學選擇層材料等因素綜合優化設計，最終實現>40%出光效率的提升以及>90% BT. 2020高色域顯示，從而推動新一代QD-OLED顯示性能提升及應用。

Research Progress on the Influence of Black Organic Materials on OLED Display Residual Image

COE是一種在薄膜封裝上構建濾色器堆疊結構的低功耗技術，以封裝上的濾色器（CF）取代傳統的核心材料偏光片。近年來，該技術已廣泛應用于柔性顯示器、折疊手機、可穿戴設備等領域。它具有色域寬、功耗低、厚度低等優點。然而，COE結構中的BPDL涂層會導致顯示面板的殘余圖像亮度低，這已成為亟待解決的問題。本文首先解釋了殘留圖像現象與BPDL涂層之間的相關性，并討論了材料與工藝之間的相互作用。其次，通過SEM、AFM、TEM等方法對材料的表面形態和界面形態進行了表征和評價，總結了殘余圖像問題的產生機理。

· 器件電路設計突破 ·

Multi-Region Variable Refresh of LTPO Technology

LTPO是一種結合低溫多晶硅和氧化物的混合型TFT驅動技術，分區多頻技術的引入使其實現了超長待機的突破。本文分析了分區多頻技術面臨的難點及解決方案，探討了關鍵技術的實現進展，并展現了我司LTPO技術在省功耗方面的顯著優勢，為其在顯示領域的應用帶來了廣闊前景。

Research on Power Saving Solutions for medium-sized AMOLED Display

隨著顯示技術的發展，AMOLED中尺寸面板功能日益豐富，但其功耗問題也隨之顯現。由于中尺寸面板廣泛應用于移動設備，而設備續航普遍受到關注，加之AMOLED中尺寸面板已成為高端移動設備的標配，因此降功耗成為研究重點。從功耗消耗路徑來看，降功耗可從芯片優化、陣列基板優化、發光結構優化及透光結構優化四個方向入手，其中芯片優化和陣列基板優化最為關鍵。此文以中尺寸面板降功耗技術為核心，重點圍繞芯片優化和陣列基板優化展開深入研究，同時詳細闡述了其他優化方向的相關內容，為降低AMOLED功耗提供了系統性解決方案。

Research on Topologyof Consumer Oxide Power Chip

目前在LTPS或LTPO產品應用中， ELVDD、ELVSS分別需求正壓、負壓。在氧化物像素電路中，ELVDD仍然需求為正壓，但 ELVSS 可能需求正壓或零伏或負壓。當 ELVSS 為正壓時，需要具備 sink 功能；當 ELVSS 為零伏或負壓時，需要具備 source 功能。因此，需要一種可以產生三種不同電壓形態的拓撲來滿足氧化物未來的應用要求。通過分析產生三種不同電壓形態的拓撲機理，并基于仿真驗證其可行性，為后續開發氧化物電源芯片提供參考。

A new narrow border design with a new scanning circuit under low frequency AoD

為提高續航能力，穿戴產品一般通過采用AOD顯示模式。OLED AoD技術通過精準控制像素點亮與超低刷新率，平衡了信息顯示與能耗的矛盾，成為智能設備的標配功能。

為實現AoD低頻驅動且不閃爍，傳統設計需搭配多組行掃描電路，增加了邊框。通過設計一種能同時輸出高低頻脈沖信號的行掃描電路，減少了GoA電路組數，達到了兼顧低頻顯示和縮窄邊框的效果。

Gate Driver Circuit to generating Multi-Output using LTPO Technology

利用IGZO的LTPO補償電路與LTPS補償電路相比，GIP電路數量增加，存在功耗和Bezel Size增加的缺點，因此需要改善。

GIP電路采用LTPO CMOS電路，可以整合Logician電路，搭建可輸出Pscan及Nscan的電路。

如果采用LTPO CMOS復合GIP，Layout面積可壓縮75.um，功耗可還降低46%左右。

A Study on Improvement of Low Gray Mura

隨著OLED材料效率的不斷提升，2nit 32Gray的低灰階Mura也越發明顯，需研究和改進。

影響低灰階Mura的主要因素是DTFT的SS離散，另外OLED器件的開口率（OLED內Cap.）也有相關性，通過離散的仿真探究了改進方案。

根據離散仿真結果，Green的開口率降低至70%時，低灰階的ΔE5可以減少10%左右。后續新材料開發可以通過不同開口率的仿真結果進行優化和改進。

Research on Brightness Uniformity Compensation

本文提出一種2-D IRC補償技術方法。在補償系統整合了GIR和LIR和CUC的補償技術，并且對面內不同區域像素的閾值電壓Vth進行補償。該補償系統具備對廣泛灰階域、不同背景下的亮度均一性和色彩差異進行補償。本設計方案簡化面內區域區域電流模型，優化電流統計的方案，優化調試方案，使2-D IRC補償技術具備更低的功耗。

· 工藝精進 ·

Newstructure for improving the reliability of the camera hole area in AMOLED

HIAA技術通過在AA區打孔集成攝像頭，成為實現手機“偽全面屏”的主流方案。當前Ti/Al/Ti結構作為隔斷柱是打孔屏的核心技術路線，但其傳統電化學濕刻法因側向刻蝕量不足，導致后續封裝工藝中易產生黑斑缺陷，影響顯示效果。針對這一問題，研究提出基于Mo連接的原電池側刻技術。

該路線通過構建Mo-AL原電池體系，利用鉬的析氫電勢（0.67V）顯著低于鈦（0.83V）的特性，形成較大電勢差以增強電化學反應驅動力，從而加速鋁層的側向刻蝕速率。同時，研究結合電化學動力學分析及模組可靠性測試，系統性驗證工藝可行性。結果表明，引入Mo連接方案后，側刻效率顯著提升，黑斑缺陷率大幅降低。經測試，該方案制備的模組屏在顯示均一性、可靠性等關鍵指標上均符合指標，為高屏占比屏幕的規模化生產提供了高效、穩定的技術路徑。

未來，顯示技術將逐漸趨向性能極致化、形態柔性化和交互智能化，維信諾通過多種技術及工藝的能效協同和設計上的聯合攻關，顯示屏幕在折疊、卷曲、透明等形態上或許將實現更大突破。