光纜一公里的損耗值(dB)受光纖類型、工作波長及制造工藝等因素影響，具體表現(xiàn)如下：

一、單模光纖損耗

典型值

1310nm波長：損耗約 0.35dB/km(國際電信聯(lián)盟規(guī)定典型值≤0.35dB/km)。

1550nm波長：損耗約 0.25dB/km(現(xiàn)代工藝可逼近理論極限0.15dB/km)。

工程案例：某10km單模光纖鏈路(含2個連接器和1個熔接頭)，總損耗6.8dB，折算每公里 0.68dB(含接頭損耗)。

低損耗場景

跨海光纜實測：40公里中繼段平均損耗 0.198dB/km(局部微彎點損耗峰值0.35dB/km)。

先進(jìn)工藝：通過優(yōu)化沉積工藝，衰減可降至 0.2dB/km以下。

二、多模光纖損耗

1310nm波長：損耗約 0.36dB/km(傳輸距離短，模間色散限制性能)。

適用場景：多用于短距離傳輸(如數(shù)據(jù)中心內(nèi)部)，長距離需中繼設(shè)備。

三、損耗與工作波長的關(guān)系

總體趨勢：損耗隨波長增加而減小，但存在例外區(qū)間。

850nm：損耗約2.5dB/km(短波長，吸收強(qiáng))。

1310nm：損耗約0.35dB/km(常用窗口，平衡衰減與色散)。

1550nm：損耗約0.2dB/km(最低損耗窗口，適合長距離傳輸)。

特殊區(qū)間：900~1300nm和1340~1520nm因羥基(OH?)吸收，損耗較高。

四、影響損耗的其他因素

光纖質(zhì)量

材料純度：雜質(zhì)(如過渡金屬離子)會導(dǎo)致吸收損耗增加。

制造工藝：預(yù)制棒折射率波動、拉絲溫度控制影響衰減。

環(huán)境因素

彎曲損耗：彎曲半徑<30mm時，1550nm波長信號衰減呈指數(shù)增長。

溫度影響：溫度每下降10℃，宏彎損耗增加0.02dB/km。

連接與接續(xù)

連接器損耗：每個ST/SC連接器約0.5dB，APC型連接器需定期清潔。

熔接損耗：典型值0.1dB/點，機(jī)械微彎點可能產(chǎn)生0.35dB峰值。

五、總結(jié)與選型建議

選型建議：

長距離/高帶寬需求：選單模光纖(1550nm波長優(yōu)先)。

短距離/低預(yù)算：選多模光纖(注意模間色散限制)。

特殊環(huán)境：考慮抗彎曲、抗輻射光纖(如太空通信用摻鍺芯層光纖)。

實際工程中，建議結(jié)合具體波長、光纖質(zhì)量及鏈路設(shè)計(含連接器、熔接頭)綜合計算總損耗，并預(yù)留10%~20%余量以應(yīng)對老化及環(huán)境變化。

審核編輯 黃宇