中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專(zhuān)利到全國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）技術(shù)的崛起，這一歷程體現(xiàn)了中國(guó)在核心技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)鏈整合及市場(chǎng)應(yīng)用拓展上的重大跨越。以下從關(guān)鍵階段、技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀三個(gè)維度展開(kāi)深度分析：

---

一、早期奠基：陳星弼院士與超結(jié)MOSFET的開(kāi)拓

1. **陳星弼的科研貢獻(xiàn)與技術(shù)困境**

陳星弼院士是中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)，其研究成果奠定了國(guó)內(nèi)功率器件的理論基礎(chǔ)。他在20世紀(jì)80年代提出“最佳表面變摻雜”理論，并研發(fā)出復(fù)合緩沖耐壓結(jié)構(gòu)（即超結(jié)MOSFET），顯著降低了導(dǎo)通電阻并提升了器件性能。該技術(shù)于1998年獲得美國(guó)專(zhuān)利（專(zhuān)利號(hào)5216275），被220余項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利引用，創(chuàng)造了約幾十億美元的經(jīng)濟(jì)效益。

然而，受限于當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱、資金及市場(chǎng)支持不足，陳星弼團(tuán)隊(duì)在技術(shù)轉(zhuǎn)化上面臨挑戰(zhàn)。其超結(jié)MOSFET專(zhuān)利雖被國(guó)外8家企業(yè)采用，但國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢，反映出早期中國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)商業(yè)化能力上的短板。

2. **科研體制與產(chǎn)業(yè)化的脫節(jié)**

20世紀(jì)末至21世紀(jì)初，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)以科研院所為主導(dǎo)，企業(yè)研發(fā)能力薄弱。陳星弼所在的電子科技大學(xué)微電子研究所雖在技術(shù)上取得突破，但受限于資金匱乏（初期經(jīng)費(fèi)不足2萬(wàn)元）和產(chǎn)業(yè)鏈不完整，難以實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。這一階段凸顯了技術(shù)成果向市場(chǎng)轉(zhuǎn)化的“最后一公里”難題。

---

二、技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建：硅基功率半導(dǎo)體的追趕

1. **產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善**

2000年后，隨著新能源汽車(chē)、光伏等市場(chǎng)的興起，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求激增。國(guó)產(chǎn)IDM和Fabless企業(yè)崛起，逐步構(gòu)建覆蓋硅基MOSFET、IGBT等產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈。至2023年，中國(guó)已形成50余家功率半導(dǎo)體企業(yè)集群，涵蓋襯底材料、器件設(shè)計(jì)、制造封裝等環(huán)節(jié)。

2. **市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下的技術(shù)升級(jí)**

2017-2022年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從441億美元增至481億美元，中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1368.86億元，年均增速4.4%。國(guó)內(nèi)企業(yè)通過(guò)并購(gòu)（如聞泰收購(gòu)安世半導(dǎo)體）、技術(shù)引進(jìn)等方式加速追趕，但在高端車(chē)規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域仍依賴(lài)進(jìn)口，市場(chǎng)集中度較低。

---

三、碳化硅技術(shù)的崛起：第三代半導(dǎo)體的突破

1. 技術(shù)突破與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)

碳化硅（SiC）因其耐高壓、高頻、高溫特性，成為新能源汽車(chē)、可再生能源的關(guān)鍵材料。國(guó)產(chǎn)頭部多家公司打破了國(guó)際巨頭在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。

2. **產(chǎn)能與生態(tài)優(yōu)勢(shì)**

2023年，中國(guó)SiC襯底產(chǎn)能已超越歐美日韓，中國(guó)企業(yè)覆蓋從襯底到功率模塊的全產(chǎn)業(yè)鏈。2025年后中國(guó)將在新能源汽車(chē)、光伏逆變器等領(lǐng)域形成全球最大的SiC應(yīng)用市場(chǎng)。

---

四、挑戰(zhàn)與未來(lái)展望

1. **現(xiàn)存短板**

- **核心技術(shù)依賴(lài)**：部分高端設(shè)備（如SiC離子注入機(jī)）仍需進(jìn)口，芯片設(shè)計(jì)工具（EDA）受制于歐美。

2. **未來(lái)趨勢(shì)**

- **技術(shù)迭代加速**：SiC MOSFET器件底層工藝將成為研發(fā)重點(diǎn)。

- **應(yīng)用場(chǎng)景擴(kuò)展**：智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心AI電源等新興領(lǐng)域?qū)⑼苿?dòng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。

- **全球化競(jìng)爭(zhēng)**：國(guó)內(nèi)企業(yè)需通過(guò)國(guó)際合作（如專(zhuān)利交叉授權(quán)）提升技術(shù)話語(yǔ)權(quán)，同時(shí)規(guī)避地緣政治風(fēng)險(xiǎn)。

---

總結(jié)

從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專(zhuān)利受制于商業(yè)化能力，無(wú)奈賣(mài)出專(zhuān)利，到碳化硅SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)中國(guó)龍的自主突破，中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了從“跟跑”到“并跑”的跨越。未來(lái)，隨著技術(shù)迭代、政策支持與市場(chǎng)需求的三重驅(qū)動(dòng)，中國(guó)有望在全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)更核心地位，但仍需攻克關(guān)鍵設(shè)備的“卡脖子”難題，構(gòu)建可持續(xù)的創(chuàng)新生態(tài)。

審核編輯 黃宇