概述
ADMV1010 是一款采用砷化鎵 (GaAs) 設計的緊湊式微波單片集成電路 (MMIC) 單邊帶 (SSB) 降頻器,它采用符合 RoHS 指令的封裝,專門針對點對點微波無線電設計進行優化,工作頻率范圍為 12.6 GHz 至 15.4 GHz。
ADMV1010 的轉換增益為15 dB,鏡頻抑制為 25 dB。ADMV1010 使用一個射頻 (RF) 低噪聲放大器 (LNA),其后是一個同相/正交 (I/Q) 雙平衡混頻器,由一個驅動放大器驅動本地振蕩器 (LO)。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸出,并需要使用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓撲結構減少了對不必要的邊帶進行過濾的需要。ADMV1010 是混合式 SSB 降頻器組件的替代方案,但外形小得多,它可以使用表面安裝制造組件,從而消除了對引線鍵合的需要。
ADMV1010 降頻器采用熱法增強的緊湊式 4.9 mm × 4.9 mm 32 端子 LCC 封裝。ADMV1010 的工作溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C。
數據表:*附件:ADMV1010 12.6GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、I Q降頻器技術手冊.pdf
應用
特性
- RF 輸入頻率范圍:12.6 GHz 至 15.4 GHz
- IF 輸出頻率范圍:2.7 GHz 至 3.5 GHz
- LO 輸入頻率范圍:9 GHz 至 12.6 GHz
- 電源轉換增益:15 dB(典型值)
- 鏡頻抑制:25 dB(典型值)
- SSB 噪聲指數:2 dB(典型值)
- 輸入 IP3:1 dBm(典型值)
- 輸入 P1dB:?7 dBm(典型值)
- 單端 50 Ω RF 和 LO 輸入端口
- 帶裸焊盤的 4.9 mm × 4.9 mm 32 端子 LCC
框圖
引腳配置描述
典型性能特征
應用信息
評估板和典型應用電路針對低側本振(LO)(上邊帶)性能進行了優化,采用 Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90° 混合耦合器。由于這些 I/Q 混頻器是雙平衡混頻器,ADMV1010 能夠支持 3.5GHz 至 9GHz 的中頻(IF)頻率。
典型應用電路
典型應用電路如圖 47 所示。此處展示的應用電路已在評估板電路中復現。
評估板
應用中所使用的電路板必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω的阻抗,封裝接地引腳和外露焊盤應直接連接到接地層,與圖48和圖49中所示類似。使用足夠數量的過孔連接電路板的頂層和底層接地層。圖50中所示的評估電路板可根據需求從亞德諾半導體(Analog Devices)獲取。
布局
將ADMV1010底面的外露焊盤焊接到具有低熱阻和低電阻抗的接地平面上。此焊盤通常焊接到評估板上阻焊層的外露開口處。將這些接地過孔連接到評估板上的所有其他接地層,以實現器件封裝的最大散熱效果。圖48展示了ADMV1010 - EVALZ的印刷電路板(PCB)焊盤圖形,圖49展示了ADMV1010 - EVALZ的鋼網模板 。
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