概述
LTC5551 是一款 2.5V 至 3.6V 混頻器，其專為那些需要非常高動態(tài)范圍的 RF 下變頻混頻器應用而優(yōu)化。LTC5551 覆蓋了 300MHz 至 3.5GHz RF 頻率范圍以及 200MHz 至 3.5GHz 的 LO 頻率范圍。LTC5551 具有非常高的 IIP3 和 P1dB 及低功耗特性。該器件的一種典型應用是涵蓋 700MHz 至 2.7GHz 頻率范圍的基站接收機。RF 輸入能夠與眾多頻率相匹配，而且 IF 可在高達 1GHz 的頻率條件下使用。

通過把 ISEL 引腳拉至高電平可啟動一種低功率模式，從而使功耗下降大約 1/3，不過，IIP3 指標也將相應地降至約 +29dBm。另外，還可以使用 EN 引腳來接通和關斷混頻器。

LTC5551 的高集成度較大限度地縮減了總體解決方案成本、電路板空間和系統(tǒng)級偏差，同時為要求苛刻的接收機應用提供了極高的動態(tài)范圍。
數(shù)據(jù)表：*附件：LTC5551 300MHz至3.5GHz超高動態(tài)范圍下變頻混頻器技術手冊.pdf

應用

• GSM、LTE、LTE-Advanced 基站
• 直放站
• DPD 觀測接收機
• 公共安全無線電、軍事和國防
• 航空電子無線電設備和 TCAS 轉發(fā)器
• 有源相控陣天線
• 白頻段無線電接收機

特性

• +36dBm 輸入 IP3
• 2.4dB 轉換增益
• 低噪聲指數(shù)：<10dB
• +18dBm 超高輸入 P1dB
• 670mW 功耗
• 2.5V 至 3.6V 工作電壓
• 50Ω 單端 RF 和 LO 輸入
• 0dBm LO 驅動電平
• 低功率模式
• –40℃ 至 105°C 工作溫度 (TC)
• 小巧的解決方案尺寸
• 使能引腳
• 16 引腳 (4mm x 4mm) QFN 封裝

典型應用

引腳功能

• TP（引腳1） ：測試點引腳。僅用于制造測量，建議連接到地。
• RF（引腳2） ：射頻信號的單端輸入引腳。該引腳內部連接到射頻輸入變壓器的初級側，其初級側對地直流電阻較低。當射頻輸入存在直流電壓時，需使用串聯(lián)隔直電容，以避免損壞集成變壓器。在0.2GHz至3.5GHz頻率范圍內，射頻輸入阻抗與0dBm±6dB的信號源匹配。
• CT（引腳3） ：射頻變壓器次級中心抽頭引腳。該引腳必須連接到地，且要將寄生電阻和電感降至最低，以構成混頻器的直流電流通路。當本振信號關閉時，典型直流電流為80mA；當本振信號開啟時，典型直流電流為134mA。
• GND（引腳4、9、11、17（外露焊盤引腳）） ：接地引腳。這些引腳必須焊接到電路板上的射頻接地層。封裝的外露焊盤金屬層可提供與接地層的電氣連接，并且有助于良好的散熱。
• EN（引腳5） ：使能引腳。當輸入電壓大于1.2V時，混頻器啟用；當輸入電壓小于0.3V時，混頻器禁用。混頻器禁用時，典型輸入電流小于30μA。該引腳內部有下拉電阻。
• Vcc（引腳6、7） ：電源引腳。這兩個引腳內部相連，必須外部連接到2.5V至3.6V的穩(wěn)壓電源，且在引腳附近連接旁路電容。通過這些引腳的典型電流消耗為70mA。
• ISEL（引腳8） ：低功耗選擇引腳。當該引腳被拉低（<0.3V）或懸空時，混頻器以正常模式偏置。當施加約1.2V的低電平或最佳射頻性能的電平后，混頻器以低電流模式工作，這樣能在較低功耗下實現(xiàn)合理的性能。該引腳內部有上拉電阻。
• LO（引腳10） ：本振的單端輸入引腳。該引腳內部連接到射頻輸入變壓器的初級側，其初級側對地直流電阻較低。當本振輸入存在直流電壓時，需使用串聯(lián)隔直電容，以避免損壞集成變壓器。
• TEMP（引腳12） ：溫度感應二極管引腳。該引腳連接到一個二極管的陽極，通過注入電流并測量電壓，可用于測量芯片溫度。
• IF?（引腳14）和IF?（引腳15） ：中頻放大器的集電極開路差分輸出引腳。這些引腳必須通過阻抗匹配電感或變壓器中心抽頭連接到直流電源。每個引腳的典型直流電流消耗為67mA。
• IFBIAS（引腳16） ：該引腳可用于調整中頻放大器的電流。典型直流電壓為2.1V。為獲得最佳性能，該引腳應懸空 。

框圖

應用信息
簡介

LTC5551由一個高線性度的雙平衡混頻器核心、中頻（IF）緩沖放大器、本振（LO）緩沖放大器以及偏置/使能電路組成。有關每個引腳功能的描述，請參見“框圖”部分。射頻（RF）和本振（LO）輸入為單端輸入，中頻（IF）輸出為差分輸出。可采用低側或高側本振注入。如圖1所示的評估電路，利用了一個帶通IF輸出匹配電路和一個IF變壓器，以實現(xiàn)50Ω單端IF輸出。評估板布局如圖2所示。

RF輸入

如圖3所示，混頻器的RF輸入連接到集成變壓器的初級繞組。通過如圖1和圖3所示的π型網(wǎng)絡，可以實現(xiàn)50Ω匹配。RF變壓器的初級側在內部直流接地，初級側的直流電阻約為4Ω。如果RF信號源存在直流電壓，則需要一個隔直電容。

RF變壓器的次級繞組內部連接到混頻器核心。變壓器次級繞組的中心抽頭（CT，引腳3）需要連接到地，且要將寄生電阻和電感降至最低。

為了實現(xiàn)RF輸入匹配，必須驅動LO輸入。使用圖1中列出的元件，RF輸入可以在300MHz至3.5GHz的范圍內實現(xiàn)匹配。圖4顯示了在LO頻率為0.5GHz、1.0GHz、1.8GHz和2.8GHz時測得的RF輸入回波損耗，這些LO頻率分別對應LO范圍的低頻段、中頻段和高頻段。

RF輸入阻抗和輸入反射系數(shù)隨RF頻率的變化情況列于表1中。此數(shù)據(jù)的參考平面為IC的引腳2，無外部匹配，且LO驅動頻率為1.8GHz。