概述
MAX2680/MAX2681/MAX2682微型、低成本、低噪聲下變頻混頻器專為低電壓工作而設(shè)計(jì)，非常適合便攜式通信設(shè)備應(yīng)用。RF輸入端口的信號與本地振蕩器(LO)端口的信號使用一個(gè)雙平衡混頻器進(jìn)行混頻。這些下變頻混頻器以400MHz至2500MHz之間的RF輸入頻率工作，并且下變頻至10MHz至500MHz之間的IF輸出頻率。

MAX2680/MAX2681/MAX2682采用+2.7V至+5.5V單電源工作，因此可直接由3節(jié)鎳鎘電池或1節(jié)鋰電池供電。這些器件提供范圍廣泛的電源電流和輸入交調(diào)截取點(diǎn)(IIP3)電平，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。此外，每個(gè)器件都具有低功耗關(guān)斷模式，在該模式下，其典型電源電流消耗低于0.1μA。有關(guān)IIP3和電源電流的各種組合，請參閱 選型指南 。

MAX2680/MAX2681/MAX2682采用高頻、低噪聲、先進(jìn)的硅鍺工藝制造，提供節(jié)省空間的6引腳SOT23封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：MAX2682 400MHz至2.5GHz、低噪聲、SiGe下變頻混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 400MHz/900MHz/2.4GHz ISM波段無線電
• 蜂窩電話/無線電話
• IEEE 802.11和無線數(shù)據(jù)
• 個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)
• 無線本地環(huán)路(WLL)
  特性
• 工作頻率為400MHz至2.5GHz
• +2.7V至+5.5V單電源供電
• 低噪聲系數(shù)：900MHz時(shí)為6.3dB (MAX2680)
• 高輸入三階交調(diào)截取點(diǎn)（2450MHz時(shí)的IIP3）
  • 5.0mA時(shí)為-6.9dBm (MAX2680)
  • 8.7mA時(shí)為+1.0dBm (MAX2681)
  • 15.0mA時(shí)為+3.2dBm (MAX2682)
• 低功耗關(guān)斷模式：< 0.1μA
• 超小型表貼封裝

交流電氣特性

典型工作特性(續(xù))

典型操作電路

詳細(xì)說明

MAX2680/MAX2681/MAX2682是400MHz至2.5GHz的硅鍺雙平衡下變頻器混頻器。其設(shè)計(jì)目的是在特定電源電流下實(shí)現(xiàn)最佳的線性度性能。它們由一個(gè)雙平衡吉爾伯特單元混頻器和單端射頻（RF）及中頻（IF）端口組成。片上偏置單元提供低功耗關(guān)斷功能。有關(guān)器件功能和對比，請參考《選型指南》。

應(yīng)用信息

本地振蕩器（LO）輸入

LO輸入是一個(gè)單端寬帶端口，典型電壓駐波比（VSWR）小于2.0:1，頻率范圍為400MHz至2.5GHz。LO信號與RF輸入信號混頻，下變頻后的輸出出現(xiàn)在IFOUT端。通過一個(gè)電容耦合LO端口，LO端口的交流輸入范圍為-10dBm至0dBm（50Ω源）。

RF輸入

RF輸入頻率范圍為400MHz至2.5GHz。RF輸入需要一個(gè)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)以及一個(gè)隔直電容，作為匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分。有關(guān)匹配信息，請參考表1和表2，以及“典型工作特性”部分的“RF端口阻抗與RF頻率”圖表 。

IF輸出

IF輸出頻率范圍為10MHz至500MHz。IFOUT是一個(gè)高阻抗的集電極開路輸出，需要外接電感連接到Vcc以實(shí)現(xiàn)正確偏置。為實(shí)現(xiàn)最佳性能，IF端口需要一個(gè)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。匹配網(wǎng)絡(luò)的配置和元件值取決于所需的輸出阻抗。如需選擇最佳性能的元件，請參考表3和表4，以及“典型工作特性”部分的“IF端口阻抗與IF頻率”圖表。

電源和SHDN旁路

正確進(jìn)行電源旁路對于高頻電路穩(wěn)定性至關(guān)重要。使用一個(gè)10μF電容與一個(gè)1000pF電容并聯(lián)來旁路Vcc。為每個(gè)旁路電容使用單獨(dú)的過孔，并盡量縮短走線長度以減小電感。將電容與接地層的接地引腳相連。采用低電感接地連接方式。

使用一個(gè)1000pF電容對接地的SHDN進(jìn)行去耦，以減小SHDN引腳上的內(nèi)部偏置單元產(chǎn)生的高頻耦合。可使用一個(gè)串聯(lián)電阻（通常為1000Ω）。

布局問題

精心設(shè)計(jì)的印刷電路板（PC）是射頻電路的重要組成部分。為實(shí)現(xiàn)最佳性能，請關(guān)注電源問題，以及RFIN和IFOUT阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的布局。電源布局
為了最小化集成電路不同部分之間的耦合，理想的電源布局是星形配置。一個(gè)大的去耦電容位于中央 Vcc 節(jié)點(diǎn)處。Vcc 走線從該中央節(jié)點(diǎn)引出，各自通向印刷電路板上的一個(gè) Vcc 引腳。在每條走線的末端是一個(gè)具有低等效串聯(lián)電阻（ESR）的旁路電容。這種布局在 Vcc 引腳處提供了局部去耦。在高頻情況下，從中央 Vcc 節(jié)點(diǎn)引出的 Vcc 走線的電感會產(chǎn)生相對較高的阻抗（由 Vcc 走線電感形成），相對于任何其他電源引腳而言阻抗更高，同時(shí)通過旁路電容實(shí)現(xiàn)對地的低阻抗。

阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)布局
射頻輸入（RFIN）和中頻輸出（IFOUT）阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)對與布局相關(guān)的寄生參數(shù)非常敏感。為了最小化寄生電感，應(yīng)使所有走線盡可能短，并將元件放置得盡量靠近芯片。為了最小化寄生電容，在接地層（以及任何其他層）中使用切口將匹配網(wǎng)絡(luò)元件隔開。不過，要避免出現(xiàn)比必要尺寸更大的切口，因?yàn)樗鼈儠鸬娇讖?a target="_blank">天線的作用。