概述
HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次諧波(x2) MMIC下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為1.74 mm2。 2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設計，僅需-4 dBm的標稱驅動。 所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得，該夾具通過直徑為0.025 mm (1 mil)、最小長度<0.31 mm (<12 mils)的焊線連接。 此下變頻器IC對基于混合型二極管的下變頻器MMIC組件是更小、更可靠的極佳替代品。
數據表：*附件：HMC265次諧波混頻器芯片技術手冊.pdf

應用

• 微波點對點無線電
• LMDS
• SATCOM

特性

• 集成LO放大器： -4 dBm輸入
• 次諧波(x2) LO
• 集成IF放大器： 增益：3 dB
• 小尺寸： 1.32 x 1.32 x 0.1 mm

邏輯圖

電氣規格

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應通過共晶方式或使用導電環氧直接連接到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號傳輸（圖1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實現此目的的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片附著到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后再將其連接到接地層（圖2）。

為了縮短鍵合線長度，微帶襯底應盡可能靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076 - 0.152毫米（3 - 6密耳）。

應在Vdd輸入處使用射頻旁路電容。建議使用100 pF單層電容（通過共晶或導電環氧安裝），放置在距離芯片不超過0.762毫米（30密耳）處。圖3中的照片展示了HMC265 MMIC芯片的典型組件。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有裸芯片應放置在基于醚華夫格或凝膠的靜電防護容器中，然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開，所有芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
• 清潔度 ：在清潔環境中操作芯片，請勿使用液體清潔系統清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態 ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號線和偏置電纜，以減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預制件或導電環氧進行貼裝。貼裝表面應清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10的氮氫混合氣體時，工具尖端溫度應為290°C。請勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過20秒，貼裝過程中擦拭時間不得超過3秒。
• 環氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環氧，確保芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄環氧邊。按制造商的固化時間表固化環氧。

引線鍵合

使用直徑0.025毫米（1密耳）的純金線進行球鍵合或楔鍵合。熱壓超聲鍵合時，推薦使用的典型工作臺溫度為150°C，球鍵合壓力為40 - 50克，楔鍵合壓力為18 - 22克。使用最小限度的超聲波能量，以實現可靠鍵合。鍵合從芯片開始，在封裝或襯底上結束。所有鍵合線應盡可能短，長度小于0.31毫米（12密耳）。