MDD高效率整流管（如肖特基二極管、超快恢復(fù)二極管等）因其低正向壓降、快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PFC（功率因數(shù)校正）和逆變器等電路。然而，這些器件在高頻、高功率工作環(huán)境下，會(huì)產(chǎn)生顯著的熱量。如果熱管理不當(dāng)，將導(dǎo)致器件溫度過(guò)高，影響整流管的性能，甚至引發(fā)熱失效：
1.高效率整流管的主要熱源
整流管的熱量主要來(lái)自功耗損失，包括：
①正向?qū)〒p耗：由正向電流與正向壓降（VF）產(chǎn)生，P_F=IF×VF。
②反向恢復(fù)損耗：二極管從導(dǎo)通到截止時(shí)，存儲(chǔ)電荷釋放產(chǎn)生的損耗。
③漏電流損耗：高溫下的反向漏電流（IR）導(dǎo)致額外功耗。
在大電流或高頻工作條件下，這些損耗會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫迅速升高，因此有效的散熱管理至關(guān)重要。
2.如何提升高效率整流管的散熱性能？
(1)選擇合適的封裝，優(yōu)化熱阻路徑
整流管的封裝直接影響熱傳導(dǎo)性能。常見(jiàn)封裝及其特點(diǎn)如下：

封裝的熱阻決定了器件的散熱能力，應(yīng)根據(jù)功率和散熱需求選擇合適的封裝。
(2)采用散熱器與導(dǎo)熱材料
功率較大的整流管（如TO-220、TO-247封裝）可通過(guò)安裝散熱片提高散熱效率。
使用導(dǎo)熱硅脂或?qū)釅|片降低器件與散熱片之間的熱阻，提高散熱效率。
在PCB設(shè)計(jì)中，增加銅箔面積（如散熱焊盤、散熱過(guò)孔），幫助熱量更快擴(kuò)散。
(3)優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)
增大銅箔面積：
擴(kuò)展整流管的陽(yáng)極/陰極銅箔，可提升導(dǎo)熱能力。
例如，增加銅箔厚度（1oz→2oz）可降低熱阻，提高散熱能力。
增加散熱過(guò)孔：
連接頂層和底層的銅箔，提高熱量傳導(dǎo)效率。
合理布局器件：
避免熱源（如功率MOSFET、整流管）過(guò)于集中，防止局部過(guò)熱。
盡量保持二極管的陽(yáng)極和陰極端之間的對(duì)流路徑通暢，便于空氣流動(dòng)散熱。
(4)采用強(qiáng)制冷卻方式
風(fēng)冷散熱：使用散熱風(fēng)扇加速空氣流動(dòng)，適用于高功率逆變器、UPS等設(shè)備。
液冷散熱：在高功率工業(yè)設(shè)備（如大功率變頻器）中，液冷系統(tǒng)能有效降低器件溫度。
(5)選擇低VF、低IR的高效率整流管
低VF（正向壓降）意味著更少的導(dǎo)通損耗，例如：
肖特基二極管（如STPS30H100）VF≈0.4V（比普通整流二極管低）
SiC碳化硅二極管（如C3D06060A）VF≈1.3V（比超快恢復(fù)二極管低）
低IR（反向漏電流）可減少高溫時(shí)的漏電損耗，避免熱失控現(xiàn)象。
3.典型案例分析
案例：AC-DC PFC整流管過(guò)熱問(wèn)題
問(wèn)題：某服務(wù)器電源PFC級(jí)采用UF5408（超快恢復(fù)二極管），但運(yùn)行時(shí)結(jié)溫高達(dá)140°C，影響系統(tǒng)可靠性。
優(yōu)化方案：
更換為碳化硅SiC二極管（如C3D10060A），降低反向恢復(fù)損耗。
在PCB上增加散熱過(guò)孔，優(yōu)化銅箔散熱結(jié)構(gòu)。
采用TO-247封裝并加裝鋁制散熱片，改善熱傳導(dǎo)。
效果：結(jié)溫降低至95°C，系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
4.選型建議
熱管理的關(guān)鍵措施：
選擇低VF、低IR的高效率整流管（如SiC二極管、肖特基二極管）。
采用低熱阻封裝（如TO-220、TO-247）并配合散熱片、導(dǎo)熱材料。
優(yōu)化PCB布局，增大銅箔面積，增加散熱過(guò)孔，提高熱擴(kuò)散能力。
對(duì)于高功率應(yīng)用，采用風(fēng)冷或液冷散熱，防止器件過(guò)熱失效。
合理的散熱設(shè)計(jì)不僅可以延長(zhǎng)整流管的使用壽命，還能提高電源系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需綜合考慮功率損耗、熱阻、PCB散熱策略，以確保整流管長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。