概述

HMC773A采用經過優化的巴倫結構，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。該混頻器采用13 dBm或以上的LO驅動電平工作，具備出色的性能。HMC773A無需線焊，可以使用表貼制造技術。
數據表：*附件：HMC773A GaAs MMIC基波混頻器技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

特性

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• 本振(LO)至射頻(RF)隔離：37 dB（典型值）
• LO至中頻(IF)隔離：37 dB（典型值）
• RF至IF隔離：20 dB（典型值）
• 輸入三階交調截點(IP3)：20 dBm（典型值）
• 輸出二階交調截點(IP2)：50 dBm（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：10 dBm（典型值）
• IF帶寬：DC至8 GHz
• 無源；無需直流偏置
• 3 mm × 3 mm、12引腳陶瓷LCC封裝

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

典型應用電路

圖 77 展示了 HMC773ALC3B 的典型應用電路。HMC773ALC3B 是無源器件，無需外部元件。LO 引腳和 RF 引腳內部已進行交流耦合。當不需要進行 IF 操作時，建議使用交流耦合電容隔直。當需要直流下的 IF 操作時，IF 源和灌電流額定值不得超過 “絕對最大額定值” 部分中規定的值。

評估印刷電路板（PCB）信息

評估 PCB 必須采用射頻電路設計技術，如圖 78 所示。信號線必須具有 50Ω 阻抗，并且封裝接地引腳和裸露焊盤必須直接連接到接地層，類似于圖 78 所示。使用足夠數量的過孔將頂層和底層接地層連接起來。