01

AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求

超高功率密度：單機(jī)架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦（如英偉達(dá)DGX-2需10kW，未來(lái)GB300芯片預(yù)計(jì)達(dá)1.4kW單芯片功耗），要求電源方案在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。

高頻化與高效率：單個(gè) GPU 的功耗將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，到 2030 年將達(dá)到約 2000 W，而 AI 服務(wù)器機(jī)架的峰值將達(dá)到驚人的 >300 kW。這些要求對(duì)數(shù)據(jù)中心機(jī)架的 AC 和 DC 配電系統(tǒng)進(jìn)行新的架構(gòu)更改，重點(diǎn)是減少?gòu)碾娋W(wǎng)到核心的轉(zhuǎn)換和配電功率損耗。為降低損耗并適配GPU/TPU的高頻運(yùn)算，電源轉(zhuǎn)換頻率逐步提升至MHz級(jí)，同時(shí)需將轉(zhuǎn)換效率從傳統(tǒng)的96%提升至98%以上，以減少散熱成本與碳排放。

高壓化與穩(wěn)定性：輸入電壓向800V DC-HVDC（高壓直流）演進(jìn)，輸出電壓則需精準(zhǔn)降至芯片級(jí)所需的0.8V-12V，要求器件具備寬電壓范圍適應(yīng)性與低噪聲特性。

02

PSU的拓?fù)鋱D及演變

圖 2（a）顯示了開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 機(jī)架電源架構(gòu)的示例圖。每個(gè)電源架由三相輸入供電并容納多個(gè) PSU；每個(gè) PSU 由單相輸入供電。機(jī)架向母線輸出直流電壓（例如 50 V），母線還連接到 IT 和電池架。

AI 趨勢(shì)要求 PSU 進(jìn)行功率演進(jìn)，如圖 2（b）所示。讓我們通過(guò)實(shí)施拓?fù)浜驮O(shè)備技術(shù)建議的示例來(lái)介紹這些 PSU 的每一個(gè)代。

AI 服務(wù)器機(jī)架 PSU 的趨勢(shì)和功率演進(jìn)

第一代 AI PSU高效電能轉(zhuǎn)換基石

在第一代 AI PSU（2010-2018 年）的硅基架構(gòu)框架下，實(shí)現(xiàn)5.5-8kW 功率、50V 輸出、277V 單相輸入

當(dāng)前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)[9]。相較于先前的ORv3 3 kW標(biāo)準(zhǔn)[9]，該標(biāo)準(zhǔn)的大部分要求（包括輸入和輸出電壓以及效率）保持不變，但增加了與AI服務(wù)器需求相關(guān)的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求（稍后詳述）。此外，由于與BBU架的通信方式有所調(diào)整，輸出電壓的調(diào)節(jié)范圍變得更窄。

盡管每個(gè)電源架都通過(guò)三相輸入（400-480 Vac L-L）供電（見(jiàn)圖2），但每臺(tái)PSU的輸入仍為單相（230-277 Vac）。圖3展示了符合ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)的第一代PSU的部署示例：PFC級(jí)可以采用兩個(gè)交錯(cuò)的圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中，650V CoolSiC MOSFET用于快臂開(kāi)關(guān)，600V CoolMOS SJ MOSFET用于慢臂開(kāi)關(guān)。DC-DC級(jí)可以選用650V CoolGaN晶體管的全橋LLC，次級(jí)全橋整流器和ORing則使用80V OptiMOS Power MOSFET。

推薦使用薩瑞微電子800V-1000V整流橋

第二代AI PSU：增加線路電壓

如上所述，隨著機(jī)架功率增加到300kW以上，電源架的功率密度變得至關(guān)重要。因此，下一代PSU的設(shè)計(jì)方向是，在單相架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)8kW至12kW的輸出功率。隨著每個(gè)機(jī)架的功率增加，數(shù)據(jù)中心中的機(jī)架數(shù)量在某些情況下，可能會(huì)受配電電流額定值和損耗的約束。因此，為了降低交流配電的電流和損耗，部分?jǐn)?shù)據(jù)中心可能會(huì)將機(jī)架的交流配電電壓從400/480V提高到600Vac L–L（三相），同時(shí)將PSU的輸入電壓從230/277Vac 提高到347Vac（單相）。

對(duì)于DC-DC級(jí)來(lái)說(shuō)，三相LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種理想選擇，其中，750V CoolSiC MOSFET用于初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)，80V OptiMOS 5 Power MOSFET用于次級(jí)全橋整流器和ORing。由于增加了第三個(gè)半橋開(kāi)關(guān)臂，該解決方案能夠提供更高的功率，有效降低輸出電流的紋波，并通過(guò)三個(gè)開(kāi)關(guān)半橋之間的固有耦合實(shí)現(xiàn)自動(dòng)電流分配。

推薦使用薩瑞微高頻開(kāi)關(guān)

高頻開(kāi)關(guān)（500V硅基MOS推薦）

高頻開(kāi)關(guān)（650V硅基MOS推薦）

硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用溝槽式結(jié)構(gòu)，適用于中低頻（<500kHz）、中等功率場(chǎng)景，如輔助電源或低壓側(cè)開(kāi)關(guān)，導(dǎo)通電阻低至30mΩ以下，支持快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)。

高頻開(kāi)關(guān)（600V超結(jié)MOS推薦）

高頻開(kāi)關(guān)（650V超結(jié)MOS推薦）

超結(jié)MOSFET（600V/650V/800V）：通過(guò)電荷平衡技術(shù)突破硅基材料限制，實(shí)現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡（如650V型號(hào)Rds(on)≤15mΩ），適用于1MHz以上高頻場(chǎng)合，可顯著減小磁性元件體積，提升功率密度。

高頻開(kāi)關(guān)（800V超結(jié)MOS推薦）

高頻開(kāi)關(guān)（650V碳化硅MOS推薦）

高頻開(kāi)關(guān)（1200V碳化硅MOS推薦）

高頻開(kāi)關(guān)（1700V碳化硅MOS推薦）

碳化硅MOSFET（650V/1200V/1700V）： 針對(duì)800V高壓輸入與超高頻率（>2MHz）場(chǎng)景，碳化硅器件展現(xiàn)出無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)：

材料特性：禁帶寬度是硅的3倍，支持更高結(jié)溫（175℃）與耐壓，開(kāi)關(guān)損耗降低70%以上，適用于全碳化硅LLC拓?fù)洌D(zhuǎn)換效率可達(dá)98.5%。

第三代AI PSU：三相架構(gòu)與400V配電

為了進(jìn)一步提高機(jī)架功率，第三代 AI PSU 將采用更具顛覆性的機(jī)架架構(gòu)，如下所示：

1

PSU輸入：從單相轉(zhuǎn)為三相，以提高功率密度，并降低成本

2

電源架PSU輸出電壓：從50V提升到400V，以降低母線電流、損耗和成本

三相輸入和 400 V 輸出 PSU 的示例實(shí)現(xiàn)，其中包含推薦的設(shè)備和技術(shù)。PFC 級(jí)是 Vienna 轉(zhuǎn)換器，這是三相 PFC 應(yīng)用的流行拓?fù)洹Ｋ闹饕獌?yōu)勢(shì)在于，由于其分離總線電壓，它允許使用 650 V 設(shè)備，使用兩倍數(shù)量的背對(duì)背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二極管。由于 PFC 輸出是分離電容器，因此每個(gè)電容器電壓為 430 V，并向全橋 LLC 轉(zhuǎn)換器供電，初級(jí)和次級(jí)側(cè)均配備 CoolGaN 晶體管 650 V。兩個(gè) LLC 級(jí)在初級(jí)側(cè)串聯(lián)，在次級(jí)側(cè)并聯(lián)，以向 400 V 母線供電。

或者，兩個(gè)背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 雙向開(kāi)關(guān) (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常閉單片雙向開(kāi)關(guān)。這意味著單個(gè) CoolGaN BDS 可以取代四個(gè)分立電源開(kāi)關(guān)，以獲得相同的 RDS(on)，因?yàn)樗?RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。

推薦使用薩瑞微碳化硅二極管MOS系列

SIC SBD推薦

同步整流MOS管推薦

在DC-DC變換器的次級(jí)整流中，同步整流MOS管替代傳統(tǒng)二極管，消除肖特基勢(shì)壘電壓，大幅降低導(dǎo)通損耗：

產(chǎn)品特性：低柵極電荷（Qg<10nC）與極低導(dǎo)通電阻（如40V耐壓型號(hào)Rds(on)≤5mΩ），支持全負(fù)載范圍高效運(yùn)行。內(nèi)置體二極管反向恢復(fù)電荷（Qrr）極低，減少振蕩與EMI干擾，適配高頻同步整流控制方案。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：配合驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)ZVS（零電壓開(kāi)關(guān)）或ZCS（零電流開(kāi)關(guān)），在10kW以上功率模塊中，可將整流效率從95%提升至99%以上。

WBG 對(duì) AI PSU 的好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體（例如 CoolGaN）成為 AI PSU 的最佳選擇，因?yàn)樗鼈冊(cè)诟叩拈_(kāi)關(guān)頻率下提供最佳效率，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器，而不會(huì)影響轉(zhuǎn)換效率。

除了 AI PSU 的標(biāo)稱功率顯著上升外，GPU 還會(huì)吸收更高的峰值功率并產(chǎn)生高負(fù)載瞬變，如圖 7 所示。因此，DC-DC 級(jí)輸出必須足夠動(dòng)態(tài)，而電壓過(guò)沖和下沖必須保持在規(guī)定的限值內(nèi)。可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)增加 DC-DC 級(jí)輸出動(dòng)態(tài)，從而增加控制環(huán)路帶寬。

CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的開(kāi)關(guān)損耗而輕松滿足了更高開(kāi)關(guān)頻率的要求。尤其是在軟開(kāi)關(guān) LLC 轉(zhuǎn)換器中，CoolGaN 具有最低的輸出電容電荷 (Qoss)，這對(duì)于更輕松地實(shí)現(xiàn) ZVS（零電壓開(kāi)關(guān)）起著至關(guān)重要的作用。隨后，這有助于更精確地設(shè)置死區(qū)時(shí)間，從而消除不必要的死區(qū)時(shí)間傳導(dǎo)損耗。

推薦使用薩瑞微LDO、MOSFET系列

輔助電源LDO推薦

輔助電源LDO：為服務(wù)器監(jiān)控芯片、傳感器等提供穩(wěn)定低壓供電（如3.3V/5V），薩瑞微電子的LDO系列具備低靜態(tài)電流（<1μA）、高PSRR（電源抑制比）與快速瞬態(tài)響應(yīng)，確保核心器件在復(fù)雜電源環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

負(fù)載開(kāi)關(guān)MOS管推薦

負(fù)載開(kāi)關(guān)MOS管：用于電源系統(tǒng)的通斷控制與負(fù)載隔離，支持大電流（10A-50A）快速切換，內(nèi)置過(guò)流/過(guò)熱保護(hù)，避免浪涌電流對(duì)后級(jí)電路的沖擊，提升系統(tǒng)安全性。

結(jié)論

與AI算力共成長(zhǎng)，定義電源新高度 在AI服務(wù)器向更高功率、更高效率演進(jìn)的征程中，電源系統(tǒng)的每一次優(yōu)化都依賴于器件級(jí)的技術(shù)突破。薩瑞微電子以“全電壓覆蓋、全技術(shù)兼容、全流程可控”的產(chǎn)品矩陣，為AI服務(wù)器電源提供了從輸入整流到精準(zhǔn)供電的完整解決方案，助力客戶在算力競(jìng)賽中搶占先機(jī)。