概述
HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF信號的相位和幅度，最多分別達到360°和40 dB，同時支持180 MHz的3 dB調(diào)制帶寬。 輸出IP3為+24.5 dBm，輸出噪底為-162 dBm/Hz（最大增益設(shè)置），因此輸出IP3/噪底比為186.5 dB。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC630LP3 HMC630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊.pdf

特性

• 連續(xù)相位控制：360°
• 連續(xù)增益控制：40 dB
• 低輸出噪底：
  -162 dBm/Hz
• 高輸入IP3： +34 dBm
• 16引腳3x3mm SMT封裝： 9mm2

應(yīng)用

• 無線基礎(chǔ)設(shè)施HPA與MCPA糾錯
• 預(yù)失真或前饋線性化
• 蜂窩/3G系統(tǒng)
• 波束成形或RF消除電路

邏輯圖

電氣規(guī)格

引腳描述

應(yīng)用電路

• 引腳15和16是冗余的I和Q輸入引腳。
• 增益和相位控制通過I和Q控制端口實現(xiàn)。對于給定的線性增益（G）和相位（θ）設(shè)置，在所有測量中施加到這些端口的電壓計算如下：