在電源設計、DC-DC轉換、逆變器等高功率應用中，單顆肖特基二極管（Schottky Diode）往往無法滿足電流或電壓的需求，此時就需要通過并聯(lián)或串聯(lián)的方式來提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管的結構特點和溫度特性，其并聯(lián)與串聯(lián)設計面臨諸多挑戰(zhàn)。合理的匹配與電路設計，是確保系統(tǒng)可靠運行的關鍵。
一、并聯(lián)設計：提高電流承載能力
并聯(lián)是提升總電流能力的常用方法，理論上，N個肖特基管并聯(lián)后，總電流能力為單顆器件的N倍。但在實際應用中，由于各器件之間的正向壓降（VF）存在差異，會導致電流分配不均。VF較低的器件先導通，承擔大部分電流，容易造成其過熱甚至損壞。
為了解決這一問題，工程師常采用以下策略：
選用同一批次、同型號的器件，確保其VF曲線一致性；
在每顆肖特基管前串聯(lián)小阻值均流電阻（如0.1Ω以下），通過電阻壓降實現(xiàn)電流均分；
合理布線與熱平衡設計，確保各器件受熱一致，避免某一顆因局部高溫而提前老化。
此外，還可采用封裝內部已完成并聯(lián)匹配的多芯片肖特基管，如雙肖特基封裝，簡化外部電路設計。
二、串聯(lián)設計：提高耐壓能力
當應用電壓超過單顆肖特基管的耐壓上限（例如100V或150V）時，需將多顆器件串聯(lián)以分擔總電壓。但串聯(lián)同樣存在風險，主要是反向電壓分布不均。肖特基二極管的反向漏電流大且溫度依賴性強，可能導致某顆器件承擔過多電壓，從而提前擊穿。
為此，串聯(lián)設計通常加入以下輔助措施：
并聯(lián)高阻均壓電阻（如100kΩ~1MΩ），在反向狀態(tài)下分壓均衡；
并聯(lián)反向吸收電容，緩解開關瞬態(tài)過壓；
嚴格匹配漏電流特性，使用同廠同批產品，減少個體差異。
三、實際設計建議
若整流管需承受高電流，優(yōu)先考慮封裝更大、電流能力更強的器件，避免無謂并聯(lián)復雜度。若必須并聯(lián)/串聯(lián)，應充分驗證熱、電一致性與穩(wěn)定性，建議在PCB上預留均流/均壓網絡，并結合熱仿真優(yōu)化散熱設計。
總結來說，MDD肖特基二極管的并聯(lián)有助于擴展電流能力，串聯(lián)有助于提升耐壓能力，但都需在匹配性、熱設計及均流/均壓措施上嚴格控制。只有科學的器件組合與合理的外圍設計，才能發(fā)揮肖特基整流在高效率功率系統(tǒng)中的最大優(yōu)勢。