ADL8106 是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (MMIC) 寬帶低噪聲放大器,工作頻率為 20 GHz 至 54 GHz。ADL8106 提供 21.5 dB 的增益,14 dBm 的壓縮 (OP1dB) 時(shí)的輸出功率為 1 dB,在 30 GHz 至 44 GHz 時(shí),輸出三階交調(diào) (OIP3) 的典型值為 21.5 dBm。ADL8106 工作時(shí)需要 3 V 的電源電壓 (V DD ) 輸送的 120 mA 電流,其輸入和輸出在內(nèi)部匹配到 50 Ω,便于集成到多芯片模塊 (MCM) 中。所有數(shù)據(jù)均由通過最小長度為 0.076 mm 到 0.152 mm(3 密耳到 6 密耳)寬金帶狀鍵合連接的 RFIN 和 RFOUT 焊盤獲得。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:ADL8106 GaAs pHEMT低噪聲放大器,20 GHz 至 54 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf
特性
- 增益:30 GHz 到 44 GHz 范圍內(nèi)為 21.5 dB(典型值)
- 輸入回波損耗:30 GHz 到 44 GHz 范圍內(nèi)為 22 dB(典型值)
- 輸出回波損耗:30 GHz 到 44 GHz 范圍內(nèi)為 23 dB(典型值)
- OP1dB:30 GHz 到 44 GHz 范圍內(nèi)為 14 dB(典型值)
- P
SAT:30 GHz 到 44 GHz 時(shí)為 18 dBm(典型值) - OIP3:30 GHz 到 44 GHz 時(shí)為 21.5 dBm(典型值)
- 噪聲指數(shù):30 GHz 到 44 GHz 范圍內(nèi)為 3.0 dB(典型值)
- 120 mA 時(shí) 3 V 電源電壓
- 匹配 50 Ω 的輸入輸出
- 裸片尺寸:2.3 mm x 1.45 mm x 0.1 mm
引腳配置和功能描述
接口示意圖
典型特性
簡(jiǎn)易框圖
典型應(yīng)用
應(yīng)用
?測(cè)試儀器
?軍事和太空
-
低噪聲放大器
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
310瀏覽量
32226 -
GaAs
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
890瀏覽量
23764 -
砷化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
173瀏覽量
19773
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
ADL9006CHIPS:2 GHz至28 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC1049LP5E:GaAs、PHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.3 GHz至20 GHz數(shù)據(jù)表

HMC1049:GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器,0.3 GHz至20 GHz芯片數(shù)據(jù)表

HMC565-DIE:GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器,6-20 GHz數(shù)據(jù)表

HMC8410:0.01 GHz至10 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC1040CHIPS:20 GHz至44 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC1049SCPZ-EP:GaAs,pHEMT,MMIC,低噪聲放大器,0.3 GHz至20 GHz

HMC518:GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器,20-32 GHz數(shù)據(jù)表

HMC8400:2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

ADL7003:50 GHz至95 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,寬帶低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

HMC7950:2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器數(shù)據(jù)表

ADL8106: GAAs、pHEMT、低噪音放大器、18千兆赫至54千兆赫數(shù)據(jù)表 ADI

ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.01 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè)

ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.025 GHz至12 GHz技術(shù)手冊(cè)

評(píng)論