電子發燒友網報道（文/梁浩斌）2025慕尼黑上海電子展上周落幕，在今年的電子展上，功率半導體廠商匯聚N4館，碳化硅和氮化鎵依然是當前功率半導體行業中最受關注的方向。與此同時，在應用方案上，本次展會上不少廠商在數據中心電源上發力，光伏儲能、OBC等領域，多家碳化硅廠商已經大規模導入產品。當然，近期火熱的人形機器人，也有部分廠商展示出一些基于GaN的方案。

那么下面就來看看本次慕展上，功率半導體領域有哪些值得關注的新品和趨勢。

三安半導體

三安半導體在本次展會上展出了從650V到2000V的SiC MSOFET和SBD產品、650V GaN HEMT、8英寸碳化硅襯底以及碳化硅光波導襯底等全系三代半產品。

據了解，目前三安的碳化硅SBD在光伏領域的市場份額表現亮眼，出貨量在市場上已經具備較大的領先優勢。SiC MOSFET方面在光伏逆變器上正在加速導入，未來配合SBD出貨量優勢將有很大的潛力。

目前三安半導體已經推出第五代SiC SBD，覆蓋650V-2000V、1A-80A規格，具有低正向壓降、低反向漏電流、高浪涌電流和雪崩能力等技術優勢，部分型號通過AEC-Q100車規認證。

在車規方面，三安半導體此前與ST、理想汽車深度合作，但尚未大規模出貨。面向主驅的產品目前主要是1200V 13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，目前處于客戶驗證階段，這也是國內SiC廠商的主流進度。

在2025年，三安半導體還將推出1200V 12mΩ的車規新品，以及2000V 20mΩ的產品，面向未來兆瓦級充電樁應用。

愛仕特

愛仕特在本次展會上亮相了第四代SiC MOS技術新品，包括1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大系列新品，主要特點是全系產品支持15V/18V雙電壓驅動，兼容現有采用硅基功率器件的電路，為應用方案升級SiC提供便利。

在MOSFET的部分，首先是導通電阻得到顯著降低，1200V單管SiC MOSFET的導通電阻低至10mΩ，適用于800V新能源平臺；1700V SiC MOSFET導通電阻為16mΩ，兼顧高耐壓與低損耗，為高壓應用場景提供極致效率，適用于1000V平臺、充電樁、儲能等應用領域。

據了解，目前愛仕特SiC MOSFET單管已經向比亞迪等頭部新能源大廠的OBC產品實現批量供應并上車。另外，現場還展示了新能源汽車主驅的方案，比如基于愛仕特1200V SiC模塊的雙電機控制器，應用于商用車。

工作人員向電子發燒友透露，近期商用車市場上1700V SiC模塊產品供應緊張。在商用車領域，由于電池容量更大，往往電壓會比乘用車更高，隨著包括商用車的電動化進程加速，未來1700V車規SiC模塊的需求也將迎來新一輪增長。

瞻芯電子

瞻芯電子在這次展出了去年推出的第三代1200V SiC MOSFET技術平臺，產品覆蓋了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V等電壓等級。另外還有SiC專用的多種驅動芯片，比如5.7kVrms隔離驅動芯片IVCO141x集成負壓驅動/短路保護，車規級，集成負壓驅動/短路保護功能，以及PMIC芯片。

在封裝方面，瞻芯電子推出了TC3Pak頂部散熱封裝SiC MOSFET產品，采用成熟的第二代1200V SiC MOSFET技術，兼容15V~18V驅動電壓，具有散熱能力強、開關損耗低等特點。SiC模塊方面，瞻芯推出了SMPD封裝的半橋模塊，同樣是頂部散熱，具備尺寸小、重量輕、抗振蕩等特點，被廣泛應用于OBC、便攜儲能、電機驅動、光伏逆變器等領域。

瀚薪科技

一直以來較為低調的瀚薪在本次展會上展出了其最新的第三代H3M SiC MOSFET產品。相比與上一代產品，H3M具有更低的導通電阻，大幅降低了寄生電容，開關損耗更低；支持15V/18V柵-源電壓驅動，更靈活適配不同客戶對驅動電壓的要求；更高的雪崩能量，增強設備的魯棒性和安全性；降低Ron溫度系數，提高器件的穩定性和可靠性。

H3M SiC MOSFET覆蓋650V、750V、1200V、1400V、3300V的電壓等級，目前1200V及以下電壓產品已經量產，并提供TO-247-4、TO-247-3、TO-220、TO-263-2、TO-263-7、TOLL、T2PAK（頂部散熱）等封裝，適配新能源汽車（空調壓縮機控制器，BMS，OBC，DC-DC）、光伏逆變器、充電樁、工業電源等高需求領域。

在SiC二極管方面，瀚薪H4S系列產品覆蓋

650V/750V/1200V/1400V/1700V電壓等級，電流范圍2A~60A，具備業界極低Vf、超高浪涌電流能力等特性，廣泛用于光伏儲能系統、車載充電機、數據中心電源等高頻高效場景。

據介紹，目前瀚薪與揚杰合資的6寸晶圓廠已經投入運營，而8英寸SiC晶圓廠也正在布局中。

英諾賽科

英諾賽科這次展會上重點展示了數據中心電源的方案，前段時間推出的48V-12V四相2kW 降壓電源方案，也在現場展出了Demo。

四相Buck電源方案的精妙之處在于，總負載電流由四相均攤，每相電流僅為總電流的1/4，由于功率損耗與電流平方成正比，因此損耗顯著降低，效率提升明顯；同時四相波形以90°相位差依次開啟，疊加后總輸出紋波頻率變為單相的4倍，便于濾波，可以采用更少的電容。因此這個方案可以在高功率場景下實現效率、熱管理、動態響應及可靠性的全面提升。

英諾賽科在這個方案上采用了4顆100V GaN半橋驅動 IC（INS2002FQ）和16顆100V雙面散熱的低壓GaN FET（INN100EA035A）。INN100EA035A是英諾賽科在2月推出的一款100V E-Mode GaN新品，主要特性是采用了雙面冷卻，相比傳統的單面冷卻封裝，導熱率高65%。這款產品也主要面向數據中心電源、機器人等48V驅動的應用。

一些觀察

上面提到的只是很小一部分廠商和產品，當然不是說其他廠商沒有值得提到的產品，而是之前我們都已經報道過。

另外有一些觀察，小編在最后給大家匯報一下。一是125kW儲能PCS產品，導入SiC的意愿比較強烈，不少廠商提到儲能市場還是比較樂觀的。

二是MOSFET單管、模塊，對散熱的要求在很多應用中似乎都提高了，從廠商展出的產品，以及交流中提到，頂部散熱封裝在市場上的表現在近期都不錯，尤其是在OBC上的應用。比如華潤微、威兆半導體等展出的MSOP系列封裝頂部散熱的SJ MOSFET產品；士蘭微的HSOP8 SJ MOSFET；飛锃半導體、瞻芯的SMPD封裝模塊等。

三是比亞迪的SiC需求確實非常大，盡管比亞迪已經自建SiC晶圓廠，但目前產能還遠不能滿足自身，還需要大規模對外采購。對于國內SiC廠商的產品來說，目前比亞迪的OBC是主要應用方向。

四是在這次展會上我還發現有功率廠商已經宣布進軍第四代半導體了，開始布局氧化鎵器件。至于為什么要這么快官宣做四代半？這就留給大家來解讀吧。