前 言
本文為創(chuàng)龍科技SOM-TL3506工業(yè)核心板硬件說明書,主要提供SOM-TL3506工業(yè)核心板的產品功能特點、技術參數(shù)、引腳定義等內容,以及為用戶提供相關電路設計指導。 為便于閱讀,下表對文檔出現(xiàn)的部分術語進行解釋;對于廣泛認同釋義的術語,在此不做注釋。
硬件參考資料目錄如下表所示:
硬件資源
SOM-TL3506核心板板載CPU、ROM、RAM、晶振、電源、LED等硬件資源,并通過郵票孔連接方式引出IO。
圖 1 核心板硬件框圖
圖 2 核心板正面實物圖
圖 3 核心板背面實物圖
CPU
核心板CPU型號兼容RK3506J和RK3506B,兩者均采用WBBGA333L封裝,引腳數(shù)量為333個,尺寸為11.3mm*13.3mm。RK3506J為工業(yè)級,工作溫度范圍為-40°C~85°C;RK3506B為寬溫級,工作溫度范圍為-20°C~70°C。
CPU主要架構如下:
圖 4 RK3506處理器功能框圖
ROM
NAND FLASH
核心板通過FSPI接口連接1片NAND FLASH芯片,型號為深圳市江波龍電子股份有限公司(Longsys)的F35SQA002G-WWT,8-WSON封裝,尺寸為6mm*8mm。F35SQA002G-WWT為工業(yè)級,工作溫度范圍為-40°C~85°C,顆粒類型為SLC,容量為256MByte。
eMMC
核心板通過CPU的SDMMC接口連接1片eMMC芯片,采用4bit數(shù)據線,兼容如下eMMC配置。
備注:元器件實際工作溫度范圍請以官方數(shù)據手冊為準。
eMMC使用壽命受限于可循環(huán)擦寫次數(shù)(P/E),程序固化、升級、信息保存以及刪除都將加快eMMC的損耗。損耗嚴重將可能導致區(qū)塊徹底失效、數(shù)據損壞,從而使設備無法正常啟動。
建議采取如下方案,以延長eMMC使用壽命:
(1) 數(shù)據寫入優(yōu)化:建立緩存機制,零散數(shù)據累計達到一定大小之后,再進行批量寫入,從而減少eMMC擦寫次數(shù)。
(2) 存儲方案調整:通過外置存儲設備(例如SD卡、NVMe硬盤等)分流用戶數(shù)據,從而減少eMMC擦寫次數(shù)。
RAM
核心板通過CPU的專用DDR3總線連接1片DDR3,采用16bit數(shù)據線。DDR3兼容型號有如下表所示,支持DDR3-1500工作模式(750MHz)。
備注:元器件實際工作溫度范圍請以官方數(shù)據手冊為準。
晶振
核心板采用1個工業(yè)級無源晶振Y1。Y1晶振時鐘頻率為24MHz,為CPU提供系統(tǒng)時鐘源。
電源
核心板采用分立電源供電設計,所選的DCDC、LDO電源芯片均滿足工業(yè)級環(huán)境使用要求。電源系統(tǒng)設計滿足系統(tǒng)的供電要求和CPU上電、掉電時序要求,核心板采用5.0V直流電源供電。
LED
核心板板載2個LED,其中LED1為電源指示燈,默認上電時點亮。LED2為用戶可編程指示燈,對應GPIO0_A5_d引腳,高電平點亮。
圖 5 核心板LED實物圖
圖 6 電源指示燈原理圖
圖 7 用戶可編程指示燈原理圖
外設資源
核心板引出CPU主要外設資源及性能參數(shù)如下表所示。
備注:部分引腳資源存在復用關系。
引腳說明
引腳排列
核心板郵票孔引腳采用2x 30pin + 2x 40pin,共140pin規(guī)格,引腳排列如下圖所示。
圖8
引腳定義
核心板引腳定義如下表,其中表格中的“列標題”說明如下。
(1) “核心板封裝”為核心板郵票孔;
(2) “核心板引腳號”為核心板郵票孔封裝引腳序列號;
(3) “芯片引腳號”為CPU引腳序列號; 備注:“芯片引腳號”為"-"表示該引腳信號未連接至CPU引腳。
(4) “芯片引腳名稱”為CPU完整的引腳信號名稱,包含全部復用功能信號;
(5) “引腳功能分配”為核心板推薦功能描述;
(6) “參考電平”為CPU引腳工作電平標準;
(7) “核心板內部連接器件”為核心板內部信號連接方式;
(8) “器件參數(shù)”為核心板內部連接元器件的參數(shù)值;
(9) “核心板內部PCB走線長度”為CPU信號引腳到核心板郵票孔引腳之間的走線長度值;
(10) “走線阻抗”為核心板高速信號的走線阻抗值。
備注:部分引腳內容。
內部引腳使用說明
核心板內部使用引腳說明如下表。
其中“核心板引腳號”為核心板郵票孔連接器引腳序列號;“芯片引腳號”為CPU引腳序列號;“芯片引腳名稱”為CPU完整的引腳信號名稱,包含全部復用功能信號;“引腳功能”為核心板引腳推薦功能描述;“參考電平”為核心板引腳工作電平標準。“芯片引腳號”為"-"表示該引腳信號未連接至CPU引腳。
RM_IO引腳說明
RM_IO是IO矩陣,共有32個引腳,有如下特性:
RM_IOn(n=0~31)可從function IDn(n=0~98)任選其中一個功能,并且function IDn(n=0~98)的每個功能只能映射于其中一個RM_IOn(n=0~31)。
舉例:RM_IO0選擇I2C0_SCL,則I2C0_SCL不能再映射到RM_IOn(n=1~31)中;RM_IO1選擇I2C0_SDA,則I2C0_SDA不能再映射到RM_IO0、RM_IOn(n=2~31)中。
圖9
設計注意事項:
(1) RM_IO5/RM_IO21已經在核心板內部使用。
(2) PWM0_CH0已在核心板內部使用,底板設計時,請勿通過RM_IO進行映射分配使用。
電氣特性
工作環(huán)境
功耗測試
備注:功耗基于TL3506-EVM評估板運行Buildroot系統(tǒng),在自然散熱狀態(tài)下測得。測試數(shù)據與具體應用場景有關,僅供參考。
狀態(tài)1:系統(tǒng)啟動,評估板不接入其他外接模塊,不執(zhí)行程序。
狀態(tài)2:系統(tǒng)啟動,評估板不接入其他外接模塊,運行測試命令"stress-ng --cpu 3 --vm 3 --vm-bytes 32M --timeout 86400s --temp-path=/userdata &",3個ARM Cortex-A7核心的資源使用率約為100%。
狀態(tài)3:系統(tǒng)啟動,評估板不接入其他外接模塊,運行測試命令"stress-ng --cpu 3 --vm 3 --vm-bytes 32M --timeout 86400s --temp-path=/userdata &",3個ARM Cortex-A7核心的資源使用率約為100%。
熱成像圖
核心板在自然散熱(不安裝散熱器與風扇)的狀態(tài)下,穩(wěn)定工作40min后,使用熱成像儀測得核心板不同工作狀態(tài)的熱分布圖如下所示。其中紅色測溫點為最高溫度點,白色測溫點為畫面中心溫度點。
備注:受測試環(huán)境、熱成像儀因素影響,最高溫度點、白色測溫點存在一定誤差,請參考核心板熱分布圖并結合實際情況,合理選擇散熱方式。
工業(yè)級核心板熱成像
圖 10 狀態(tài)2(最高溫度點為46.0℃
圖 11 狀態(tài)3(最高溫度點為47.0℃)
寬溫級核心板熱成像
圖 12 狀態(tài)2(最高溫度點為46.7℃)
圖 13 狀態(tài)3(最高溫度點為47.6℃)
散熱器設計說明
根據“功耗測試”、“熱成像圖”章節(jié)實測結果,SOM-TL3506核心板在高溫情況下需要考慮散熱設計。用戶如需自行設計散熱器,請注意如下要點:
(1) 請根據核心板熱成像圖中展現(xiàn)的熱源分布,針對發(fā)熱量較大的器件設計合適的散熱結構。 (2) 進行散熱器設計時,應滿足在最高環(huán)境溫度及最大功耗工作期間,處理器結溫低于下圖所示瑞芯微官方推薦的最大結溫。
(3) 為使散熱器與核心板的熱源器件表面的良好接觸,應增加相變導熱墊片,其厚度推薦不大于0.25mm。
圖14
機械尺寸
核心板主要硬件相關參數(shù)如下所示,僅供參考。
備注:
(1) 頂層最高元器件高度:指核心板最高元器件水平面與PCB正面水平面的高度差。核心板最高元器件為電源芯片(U2)。
(2) 核心板高度 = PCB板厚 + 頂層最高元器件高度。
圖 15 核心板機械尺寸圖
圖 16 核心板安裝高度示意圖
底板設計注意事項
最小系統(tǒng)設計
基于SOM-TL3506核心板進行底板設計時,請務必滿足最小系統(tǒng)設計要求,具體如下。
電源設計說明
(1) VDD_5V_SOM
VDD_5V_SOM為核心板的主供電輸入,電源功率建議參考評估板按最大10W進行設計。
圖 17 VDD_5V_SOM電源設計
VDD_5V_SOM在核心板內部未預留總電源輸入的儲能大電容,底板原理圖設計時,請在靠近核心板郵票孔焊盤位置放置儲能大電容,參考設計如下圖所示。
圖 18 儲能電容
(2) VDD_5V_MAIN & VDD_3V3_MAIN & VDD_1V8_MAIN
VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN、VDD_1V8_MAIN為評估底板提供的外設電源。為使VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN、VDD_1V8_MAIN滿足核心板的上電、掉電時序要求,推薦使用VDD_3V3_SOM_OUT電源來控制VDD_5V_MAIN、VDD_3V3_MAIN和VDD_1V8_MAIN的電源使能。
圖 19 VDD_5V_MAIN電源設計
圖 20 VDD_3V3_MAIN電源設計
圖 21 VDD_1V8_MAIN電源設計
(3) 底板設計時,如需考慮電源突然下電對系統(tǒng)數(shù)據存儲帶來的風險,可參考我司底板設計PLP(掉電保護)接口,配套我司TL-PLP掉電保護模塊使用。實現(xiàn)底板突然掉電時,切換為TL-PLP模塊供電,使系統(tǒng)在完成數(shù)據保存后再斷電。
圖 22 底板PLP接口設計
備注:請在底板增加如下圖所示快速下電電路,以滿足快速上電、掉電應用場景下及時泄放底板的電源,確保系統(tǒng)下一次上電符合CPU和底板器件的上電時序要求。
圖 23 底板快速下電電路設計
系統(tǒng)啟動說明
SARADC_IN0為啟動配置引腳,已在核心板內部接10K電阻上拉至1.8V電源,在評估底板上默認懸空,則系統(tǒng)默認啟動順序為NAND FLASH、eMMC、SD卡、USB接口。
系統(tǒng)上電后,由CPU內部BootRom的引導代碼依次從NAND FLASH、eMMC/SD卡、USB接口檢測SPL啟動程序,從第一個包含SPL啟動程序的設備開始啟動。SPL啟動后,將優(yōu)先從SD系統(tǒng)卡(非常規(guī)SD卡)引導U-Boot鏡像,否則,將從原啟動設備引導U-Boot鏡像,注意eMMC版本的核心板不支持SD卡功能。
SARADC_IN1在核心板內部通過10K電阻上拉至1.8V,用于對地短路進入Recovery模式。建議不要將該引腳作為ADC使用,優(yōu)先使用其它SARADC通道。若不使用該功能可懸空處理。
詳情請查閱“6-開發(fā)參考資料Rockchip官方參考文檔CommonMMC”目錄下的官方參考文檔《Rockchip_Developer_Guide_SD_Boot_CN》。
圖 24 評估底板BOOT MODE參考設計
系統(tǒng)復位信號
T3/NPORn/RESETn/PU/3V3為CPU復位輸入引腳,核心板內部已通過1K電阻上拉至3.3V,默認情況請懸空處理,以避免影響上電時序。
備注:由于T3/NPOR/RESETn/PU/3V3和VDD_3V3_SOM_OUT基本同時上電,如外設使用T3/NPOR/RESETn/PU/3V3進行上電復位且有嚴格上電時序要求,建議增加Buffer(RS1G07XC5)進行延遲上電復位以滿足外設上電時序。
圖 25 T3/NPORn/RESETn/PU/3V3電路設計
其他設計注意事項
保留Micro SD卡接口
對于NAND FLASH配置核心板,評估底板通過SDMMC總線引出Micro SD接口(eMMC配置核心板不支持Micro SD卡功能),主要用于調試過程中使用系統(tǒng)啟動卡來啟動系統(tǒng),或批量生產時基于Micro SD卡快速固化系統(tǒng)至NAND FLASH,底板設計時建議保留此外設接口。
保留USB2.0OTG接口
評估底板通過USB2.0 OTG0總線引出USB2.0 OTG接口,當Micro SD卡無法使用時,可通過拉低SARADC_IN0信號,進入Maskrom模式,通過USB2.0 OTG接口更新系統(tǒng)至eMMC或NAND FLASH,底板設計時建議保留此外設接口。
保留UART0接口
評估底板通過CH340T芯片將UART0總線轉換為Type-C接口,作為系統(tǒng)調試串口使用,底板設計時建議保留UART0作為系統(tǒng)調試串口。
VDD_ADJ_SD_OUT相關IO說明
VDD_ADJ_SD_OUT為核心板輸出的1.8V/3.3V切換電源,最大輸出電流為200mA,只能供電給IO分配為使用pin72、pin74~78、pin51~59的評估底板外設。
當軟件配置核心板的G1/GPIO0_D0_d為高電平時,VDD_ADJ_SD_OUT輸出3.3V;配置G1/GPIO0_D0_d為低電平時,VDD_ADJ_SD_OUT輸出1.8V。
由于eMMC配置核心板的eMMC或NAND FLASH配置核心板的Micro SD卡已使用SDMMC接口(pin72、pin74~78),上電過程中會存在動態(tài)切換1.8V/3.3V電平,如pin51~59的IO需要上拉,其上拉電源必須使用VDD_ADJ_SD_OUT,不建議將引腳pin72、pin74~78、pin51~59作為GPIO功能使用。
如IO資源不足必須將引腳pin72、pin74~78、pin51~59用作GPIO功能,請?zhí)砑与娖睫D換芯片以實現(xiàn)電平穩(wěn)定。
圖 26
由于篇幅過長等原因,部分引腳內容及板卡硬件內容均不逐一展示,如需獲取完整版詳細資料,請關注創(chuàng)龍科技微信公眾號或官網,也可以在評論區(qū)留言,感謝您的支持!
審核編輯 黃宇
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