LP2998系列帶關(guān)斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SD RAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~~DDQ~~分鐘的 1.35 V。該器件包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器，可提供出色的響應(yīng) 負(fù)載瞬變。輸出級(jí)可防止擊穿，同時(shí)提供 1.5 A 連續(xù)電流以及 DDR-SDRAM 端接所需的應(yīng)用中高達(dá) 3 A 的瞬態(tài)峰值。LP2998 系列還集成了 VSENSE 引腳，以提供出色的負(fù)載調(diào)節(jié)和 V裁判輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。
*附件：lp2998.pdf

LP2998 的另一個(gè)功能是低電平有效關(guān)斷（SD）引腳，提供 Suspend To RAM （STR）功能。當(dāng) SD 被拉低時(shí)，VTToutput 將三態(tài) 提供高阻抗輸出，但是，V裁判將保持活動(dòng)狀態(tài)。一在此模式下，可以通過較低的靜態(tài)電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。

特性

AEC-Q100 測(cè)試指南，結(jié)果如下（SO PowerPAD-8）：
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H1C
- 結(jié)溫范圍 –40°C 至 125°C
1.35 V 最小 V~~DDQ~~
拉電流和吸收電流
低輸出電壓偏移
無需外部電阻器
線性拓?fù)?/li>
掛起到 RAM （STR）功能
外部元件數(shù)量少
熱關(guān)斷

參數(shù)

方框圖

一、概述

LP2998是一款線性調(diào)節(jié)器，專為滿足JEDEC SSTL-2和SSTL-18規(guī)范而設(shè)計(jì)，用于DDR-SDRAM和DDR2內(nèi)存的終止。該器件還支持DDR3和DDR3L VTT總線終止，并包含高速運(yùn)算放大器以提供優(yōu)異的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。

二、主要特性

?AEC-Q100測(cè)試認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用
?最低VDDQ電壓?：1.35V
?輸出電流能力?：連續(xù)1.5A，瞬態(tài)峰值可達(dá)3A
?無需外部電阻?：簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
?VSENSE引腳?：提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)
?VREF輸出?：作為芯片組和DIMM的參考電壓
?掛起至RAM（STR）功能?：通過SD引腳實(shí)現(xiàn)低功耗模式
?熱關(guān)斷保護(hù)?：防止過熱損壞

三、引腳功能與配置

?GND?：地
?SD?：關(guān)斷引腳，低電平有效
?VSENSE?：反饋引腳，用于調(diào)節(jié)VTT
?VREF?：緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
?AVIN?：模擬輸入電源引腳
?PVIN?：電源輸入引腳，用于輸出級(jí)
?VTT?：輸出電壓，用于連接終止電阻
?EP?（Exposed Pad）：熱連接，應(yīng)接地

四、電氣特性

?VTT輸出電壓?：根據(jù)VDDQ和輸出電流的不同，在1.125V至1.390V之間
?靜態(tài)電流?：典型值為500μA
?關(guān)斷電流?：SD引腳拉低時(shí)，典型值為150μA
?熱關(guān)斷溫度?：165°C

五、應(yīng)用

?DDR1、DDR2、DDR3及DDR3L終止?
?汽車信息娛樂系統(tǒng)?
?FPGA設(shè)備供電?
?工業(yè)/醫(yī)療設(shè)備?

六、封裝信息

?SO PowerPAD-8?：4.89mm x 3.90mm
?SOIC-8?：4.90mm x 3.91mm
? SO PowerPAD-8（Q1版本） ?：4.89mm x 3.90mm

七、布局與布線指南

?輸入電容?：推薦在PVIN引腳附近放置電容，以改善大負(fù)載瞬態(tài)下的性能
?VSENSE引腳連接?：應(yīng)連接到VTT終止總線的中點(diǎn)，以提供更佳的負(fù)載分布
?VREF旁路電容?：推薦在VREF引腳附近放置0.1μF至0.01μF的陶瓷電容，以減少噪聲
?熱管理?：通過多層布線和熱過孔優(yōu)化散熱

八、注意事項(xiàng)

?ESD保護(hù)?：器件具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù)，存儲(chǔ)或處理時(shí)需采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施
?電源排序?：PVIN電壓應(yīng)等于或低于AVIN電壓
?熱關(guān)斷?：若結(jié)溫超過熱關(guān)斷閾值，器件將進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，直至溫度降至閾值以下

九、文檔與支持

提供相關(guān)的技術(shù)文檔、社區(qū)資源、工具和軟件支持
可通過TI的官方渠道獲取樣品和購(gòu)買產(chǎn)品

以上是LP2998 DDR終止調(diào)節(jié)器的總結(jié)，涵蓋了其主要特性、引腳功能、電氣特性、應(yīng)用、封裝信息、布局布線指南、注意事項(xiàng)以及文檔與支持信息。

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