LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 VDDQ分鐘 的 1.35 V。該器件包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器，可提供出色的響應(yīng) 負(fù)載瞬變。輸出級(jí)可防止擊穿，同時(shí)提供 1.5 A 連續(xù)電流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的應(yīng)用中高達(dá) 3 A 的瞬態(tài)峰值。LP2998 系列 還集成了 VSENSE 引腳，以提供出色的負(fù)載調(diào)節(jié)和 V裁判輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。

LP2998 的另一個(gè)功能是低電平有效關(guān)斷 （SD） 引腳，提供 Suspend To RAM （STR） 功能。當(dāng) SD 被拉低時(shí)，VTToutput 將三態(tài) 提供高阻抗輸出，但是，V裁判將保持活動(dòng)狀態(tài)。一 在此模式下，可以通過(guò)較低的靜態(tài)電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。
*附件：lp2998-q1.pdf

特性

• AEC-Q100 測(cè)試指南，結(jié)果如下（SO PowerPAD-8）：
  • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H1C
  • 結(jié)溫范圍 –40°C 至 125°C
• 1.35 V 最小 VDDQ
• 拉電流和吸收電流
• 低輸出電壓偏移
• 無(wú)需外部電阻器
• 線性拓?fù)?/li>
• 掛起到 RAM （STR） 功能
• 外部元件數(shù)量少
• 熱關(guān)斷

參數(shù)

方框圖

1. 概述

LP2998-Q1 是一款線性穩(wěn)壓器，專為滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)，用于 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存的終止。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線終止，并具有低輸出電壓偏移、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高電源抑制比等特點(diǎn)。

2. 主要特點(diǎn)

• ?AEC-Q100 認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用
• ?DDR 終止?：支持 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存
• ?低 V_DDQ?：最小值為 1.35V
• ?高速運(yùn)算放大器?：提供優(yōu)秀的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
• ?輸出階段?：可防止穿透，同時(shí)提供 1.5A 連續(xù)電流和高達(dá) 3A 的瞬態(tài)峰值電流
• ?V_SENSE 引腳?：提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)
• ?V_REF 輸出?：作為芯片組和 DIMMs 的參考電壓
• ?低外部組件計(jì)數(shù)?：無(wú)需外部電阻
• ?熱關(guān)斷保護(hù)?：防止過(guò)熱損壞
• ?掛起至 RAM (STR) 功能?：通過(guò) SD 引腳實(shí)現(xiàn)低功耗模式

3. 應(yīng)用場(chǎng)景

• ?汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)?
• ?工業(yè)/醫(yī)療設(shè)備?
• ?FPGA 供電?

4. 引腳配置與功能

LP2998-Q1 采用 SO PowerPAD-8 封裝，主要引腳包括：

• ?GND?：接地
• ?SD?：關(guān)斷引腳，低電平有效
• ?V_SENSE?：反饋引腳，用于調(diào)節(jié) V_TT
• ?V_REF?：緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
• ?AVIN?：模擬輸入引腳
• ?PVIN?：電源輸入引腳，專用于輸出級(jí)
• ?VTT?：輸出電壓，用于連接終止電阻
• ?EP?：外露焊盤，熱連接，接地

5. 功能描述

• ?線性穩(wěn)壓器?：輸出 V_TT 能夠精確調(diào)節(jié)至 V_DDQ/2，同時(shí)支持源電流和灌電流。
• ?高速運(yùn)算放大器?：提供快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
• ?分離電源軌?：模擬電路和功率輸出級(jí)采用不同的電源軌，降低內(nèi)部功耗。
• ?STR 功能?：SD 引腳拉低時(shí)，V_TT 輸出三態(tài)，但 V_REF 保持激活。

6. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：AVIN 為 2.2V 至 5.5V，PVIN 為 0V 至 AVIN
• ?輸出電壓?：V_TT 根據(jù) V_DDQ 調(diào)節(jié)，例如 V_DDQ = 2.5V 時(shí)，V_TT = 1.25V
• ?負(fù)載調(diào)節(jié)?：通過(guò) V_SENSE 引腳實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程負(fù)載調(diào)節(jié)
• ?靜態(tài)電流?：典型值為 500μA
• ?熱關(guān)斷溫度?：約 165°C

7. 典型應(yīng)用電路

數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了多個(gè)典型應(yīng)用電路，包括 DDR-III、DDR-II、SSTL-2 和 HSTL 應(yīng)用，以及如何通過(guò)反饋電阻進(jìn)行電平移位。

8. 布局與熱設(shè)計(jì)指南

• ?輸入電容?：應(yīng)靠近 PVIN 引腳放置，推薦值為 50μF 電解電容或 10μF 陶瓷電容。
• ?V_SENSE 引腳?：應(yīng)連接到 V_TT 終止總線的中心位置，以提供最佳的負(fù)載調(diào)節(jié)。
• ?熱設(shè)計(jì)?：通過(guò)多層板設(shè)計(jì)、過(guò)孔和銅皮來(lái)優(yōu)化熱性能。

9. 封裝與訂購(gòu)信息

LP2998-Q1 提供 SO PowerPAD-8 封裝選項(xiàng)，具有 RoHS 環(huán)保認(rèn)證。數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了詳細(xì)的封裝尺寸、引腳分配和訂購(gòu)信息。

10. 注意事項(xiàng)

• 在使用期間，應(yīng)遵守?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)中提供的絕對(duì)最大額定值和推薦操作條件。
• 注意靜電放電保護(hù)，避免損壞器件。
• 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的信息僅供參考，實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。