TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統而設計。
該器件保持快速瞬態響應,并且只需要 20 μF 的最小輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
*附件:tps51200a-q1.pdf
此外,該器件還提供漏極開路 PGOOD 信號來監控輸出調節,并提供可用于在 DDR 應用的 S3(掛起到 RAM)期間對 VTT 放電的 EN 信號。
該器件采用熱效率高的 VSON-10 封裝,具有綠色和無鉛兩種等級。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
特性
- 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用:
- 器件溫度等級 1:–40°C ≤ T
一個≤ 125°C - 器件 HBM ESD 分類 2 級
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 器件溫度等級 1:–40°C ≤ T
- 擴展可靠性測試
- 輸入電壓:支持 2.5V 軌和 3.3V 軌
- VLDOIN 電壓范圍:1.1 V 至 3.5 V
- 灌電流和拉電流端接穩壓器包括壓降補償
- 對于存儲器終端應用 (DDR),需要 20μF 的最小輸出電容(通常為 3 × 10μF MLCC)
- PGOOD 監控輸出調節
- EN 輸入
- REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤
- 遙感 (VOSNS)
- ±10mA 緩沖基準 (REFOUT)
- 內置軟啟動、UVLO 和 OCL
- 熱關斷
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規范;支持 DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應用
- VSON-10 封裝,帶外露導熱墊
參數
方框圖
1. 概述
TPS51200A-Q1是一款專為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統設計的DDR終止調節器,特別適用于空間受限的應用場景。該器件支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4的VTT總線終止,并集成了遠程感測功能。
2. 主要特性
- ?AEC-Q100認證?:適用于汽車應用,溫度范圍為-40°C至125°C。
- ?寬輸入電壓范圍?:支持2.5V和3.3V輸入電壓軌。
- ?靈活的VTT參考電壓?:通過REFIN引腳可靈活設置VTT參考電壓,支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4規格。
- ?低輸出電容要求?:僅需最小20μF的輸出電容即可實現穩定的操作。
- ?內置軟啟動、欠壓鎖定和過流保護?:提供安全可靠的電源管理功能。
- ?熱關斷功能?:防止器件過熱損壞。
- ?PGOOD信號?:監控輸出調節狀態,提供開漏輸出。
- ?小尺寸封裝?:采用VSON-10封裝,尺寸為3.00mm×3.00mm,適合空間受限的應用。
3. 功能描述
- ?源和匯終止調節器?:TPS51200A-Q1集成了一個高性能的低壓差(LDO)線性調節器,能夠同時提供源和匯電流,滿足DDR內存終止的需求。
- ?遠程感測?:通過VOSNS引腳實現遠程電壓感測,確保VTT電壓的準確性。
- ?靈活的REFIN輸入?:REFIN引腳可以通過外部電壓分壓器或直接連接內存供電總線(VDDQ)來設置,提供靈活的輸入跟蹤功能。
- ?REFOUT引腳?:提供±10mA的緩沖參考電壓,用于DDR內存終止。
- ?軟啟動功能?:通過電流鉗制實現軟啟動,避免啟動時的浪涌電流。
- ?使能控制?:通過EN引腳控制設備的開啟和關閉,支持S3和偽S5狀態。
4. 應用
5. 典型應用電路
- 提供了多個典型應用電路,包括DDR3 VTT DIMM應用、DDR2配置、DDR3配置、低功耗DDR3/DDR4配置以及跟蹤配置等,詳細說明了設計參數和元件選擇。
6. 布局與熱考慮
- 強調了正確布局對性能的重要性,提供了布局指南和布局示例。
- 討論了熱設計考慮,包括熱阻、熱傳導和熱管理,確保器件在高功率耗散下的可靠運行。
7. 文檔與支持
- 提供了詳細的數據手冊、應用報告、工具和軟件支持。
- 可通過TI的E2E?在線社區獲取技術支持和討論。
8. 封裝與尺寸
- 采用VSON-10封裝,尺寸為3.00mm×3.00mm,具有裸露的熱墊,用于提高熱性能。
9. 注意事項
- 在使用過程中需遵守靜電放電(ESD)預防措施,避免損壞器件。
- 布局時應遵循提供的布局指南,確保最佳性能。
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