TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起。該器件在空間有限的系統(tǒng)中提供了最低的總解決方案成本。同步控制器運(yùn)行固定的 400kHz 偽恒定頻率 PWM，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制，可在 D-CAP? 模式下配置以實(shí)現(xiàn)易用性和最快的瞬態(tài)響應(yīng)，或在電流模式下配置為支持陶瓷輸出電容器。3A 灌電流/拉電流 LDO 可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，只需要 20μF（2 × 10μF）的陶瓷輸出電容。此外，LDO 電源輸入可從外部獲得，以顯著降低總功率損耗。該器件支持所有睡眠狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM），并在 S4/S5 中放電 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）（掛起到磁盤）。該器件具有包括熱關(guān)斷在內(nèi)的所有保護(hù)功能，并采用 20 引腳 HTSSOP PowerPAD? 封裝和 24 引腳 4 × 4 QFN 封裝。
*附件：tps51116.pdf

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 寬輸入電壓范圍：3.0V 至 28V
  • 具有 100ns 負(fù)載階躍響應(yīng)的 D?CAP? 模式
  • 電流模式選項(xiàng)支持陶瓷輸出電容器
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)斷
  • 來自 R 的電流感應(yīng) DS（開） 或 Resistor
  • 2.5V （DDR）、1.8V （DDR2），可調(diào)至
    1.5V （DDR3）、1.35V （DDR3L）、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
    輸出范圍 0.75V 至 3.0V
  • 配備 Powergood、過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)
• 3A LDO （VTT）、緩沖基準(zhǔn) （VREF）
  • 能夠吸收和拉出 3 A 電流
  • LDO 輸入可用于優(yōu)化功率損耗
  • 僅需 20μF 陶瓷輸出電容器
  • 緩沖低噪聲 10mA VREF 輸出
  • VREF 和 VTT 的精度 ±20 mV
  • 支持 S3 中的高阻態(tài)和 S4/S5 中的軟關(guān)斷
  • 熱關(guān)斷

參數(shù)

方框圖

一、概述

TPS51116是一款專為DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3及DDR4內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電源管理IC。它集成了同步降壓控制器、3A的低噪聲線性穩(wěn)壓器（LDO）和緩沖參考電壓源，提供了完整的電源解決方案。

二、主要特性

1. 同步降壓控制器

• ?寬輸入電壓范圍?：支持3.0V至28.0V的輸入電壓。
• ?D-CAP?模式?：具有100ns的負(fù)載階躍響應(yīng)，適用于低外部組件配置。
• ?電流模式?：支持陶瓷輸出電容，提供靈活的電源設(shè)計(jì)。
• ?軟關(guān)斷功能?：在S4/S5狀態(tài)下支持VDDQ、VTT和VTTREF的軟關(guān)斷。

2. 3A LDO

• ?高電流能力?：LDO能夠源和沉3A的峰值電流。
• ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?：僅需20μF（2個(gè)10μF并聯(lián)）的陶瓷輸出電容。
• ?低噪聲緩沖參考?：提供10mA的低噪聲緩沖參考電壓輸出（VTTREF）。

3. 保護(hù)功能

• ?過壓和欠壓保護(hù)?：確保輸出電壓在安全范圍內(nèi)。
• ?熱關(guān)斷?：防止設(shè)備過熱損壞。
• ?電流限制?：防止過流情況損壞電源和負(fù)載。

4. 小型封裝

• ?HTSSOP和QFN封裝?：提供20引腳HTSSOP和24引腳QFN兩種封裝選項(xiàng)，適合空間受限的應(yīng)用。

三、應(yīng)用

• ?內(nèi)存電源供應(yīng)?：適用于DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3及DDR4內(nèi)存系統(tǒng)。
• ?終止電源?：適用于SSTL-2、SSTL-18、SSTL-15和HSTL等終止電源。

四、電氣特性

• ?VDDQ輸出電壓范圍?：0.75V至3.0V（可調(diào)）
• ?VTT輸出電壓?：跟蹤VTTREF，偏差在±20mV至±40mV之間。
• ?參考電壓精度?：±20mV（對(duì)于VREF和VTT）
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：VDDQ約85μs，VTT約200μs

五、布局與熱管理

• ?布局指南?：提供詳細(xì)的布局建議，以減少噪聲和提高電源效率。
• ?熱管理?：通過適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)，確保設(shè)備在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

六、文檔與支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)，包含電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息和布局指南。
• TI社區(qū)資源提供技術(shù)支持和文檔更新通知。

七、封裝信息

• ?HTSSOP封裝?：20引腳，7mm x 7mm x 1.2mm
• ?QFN封裝?：24引腳，4mm x 4mm x 1mm

八、注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)和使用TPS51116時(shí)，應(yīng)仔細(xì)遵循數(shù)據(jù)手冊(cè)中的推薦布局指南和元件選擇，以確保最佳性能和穩(wěn)定性。
• 處理集成電路時(shí)，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)撵o電放電（ESD）預(yù)防措施，避免損壞芯片。