全新64層第二代3D NAND存儲產品，這三種產品均支持高速通用閃存存儲(UFS) 2.1標準。全新美光移動3D NAND產品提供256GB、128GB和64GB三種容量選擇。

該全新移動解決方案基于美光業界領先的三級單元(TLC) 3D NAND技術，可幫助智能手機制造商通過人工智能(AI)、虛擬現實和面部識別等新一代移動功能來增強用戶體驗。AI在旗艦級手機中的出現推動了對能更快速高效地訪問數據的更先進的存儲解決方案的需求。分析機構Gartner預測，到2022年，80%的智能手機將具有AI功能，這會增加在本地處理和存儲更多數據的需求。1

此外，由于智能手機已然成為攝影和多媒體共享的首選設備，存儲容量需求將繼續顯著增加，目前旗艦級手機的容量最高為256GB，預計到2021年容量將增長到1TB。全新美光64層TLC 3D NAND存儲解決方案利用針對移動設備進行了優化的架構滿足了這些需求，在更小的空間內提供更多容量的同時，提供一致的高性能和低延遲。

“我們都希望智能手機提供大膽的新功能，而存儲對此起到了日益關鍵的作用。”美光科技移動產品事業部市場副總裁Gino Skulick表示，“美光科技獨家提供移動DRAM和3D NAND，并且我們的尖端設計將繼續實現最先進的智能手機所需要的性能。”

64層TLC 3D NAND：助力移動領域的未來發展

該移動3D NAND產品將更多的存儲單元集中到更小的芯片區域內，并利用美光陣列下的CMOS (CuA)設計，提供一流的芯片區域。美光獨有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機設計中的空間。

美光第二代TLC3D NAND移動技術具有多項競爭優勢，包括以下新功能：

• 美光針對移動設備進行了優化的架構提供一致的高性能和低延遲，能夠增強用戶體驗，同時通過使用高效的峰值功率管理系統將功耗降至最低。

• 全新美光64層TLC 3D NAND產品比上一代TLC 3D NAND快50%。

• 美光64層3D NAND技術比上一代TLC 3D NAND的存儲密度高一倍，封裝尺卻未變。

• UFS 2.1 G3-2L接口規范為移動應用提供極具吸引力的性能，并且帶寬比e.MMC 5.1高出多達200%，同時還提供同步讀寫功能。這為提供在捕獲高分辨率照片的突發數據或將4K視頻記錄到存儲時所需的數據訪問速度奠定了基礎。

• 該新產品基于32GB芯片，尺寸為59.341mm2——是業界市場上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。2

1Gartner市場見解：支持AI的智能手機產生新商機的10個使用案例。（gartner.com/newsroom/id/3842564）

2資料來源：美光科技?；诿拦釨16A 32GB TLC 3D NAND芯片的內部測量結果與具有競爭力的32GB TLC 3D NAND芯片的對比。