談到效率，它是一個非常重要的話題。效率一般指工作產出與投入之比，通俗地講就是在進行某任務時，取得的成績與所用時間、精力、金錢等的比值。產出大于投入，就是正效率，產出小于投入，就是負效率。提高工作效率就是要求正效率值不斷增大，效率越高，產生的價值就越大。對于電路系統來說，工作效率是極其重要的，它可以用來評定系統的能力。尤其是功率應用電路中，產出要大于投入，就要求電路系統具有極高的效率轉換率。

功率應用電路現狀：

功率開關應用電路有很多應用場景，包括光伏逆變器和HID燈鎮流器的所有相關方面和電信及服務器的電源。這些應用的設計師們正面臨著持續改進性能的壓力，同時也需要降低電路板大小并確保可靠運行。

以太陽能電池板中使用的光伏電池為例。由于這一市場的發展日趨成熟，市場對于更緊湊、更高效電子的需求日益增加，保證從太陽獲取的每一毫瓦的能源都能用于負載。逆變器是每個太陽能發電系統的重要組成部分。光伏逆變器將光伏電池陣列產生的直流電流轉變為具有當地線路電壓和頻率的交流電，準備送入電網，或是用于供給離線電網。我們也提供只連接一個面板的微逆變器，以確保任何面板的降額輸出（可能因為陰天或下雪）不會導致對于整體陣列輸出產生不成比例的影響。逆變器設計師通常面臨一些看似矛盾的要求，比如提高性能和最大限度減少損耗，減小外形尺寸并確保可靠性。

問題出現在哪里？

功率開關應用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復二極管。MOSFET和恢復二極管對于采用全橋或零電壓開關／相移拓撲的電信和服務器電源、全橋電機控制系統、不間斷電源、和高強度放電鎮流器（HID）燈而言也非常重要。功率MOSFET是針對所有這些設計的典型首選開關技術，因為它可提供簡單的驅動選項，可在高電壓和高頻率條件下進行高效切換。在大多數此類應用中，額定值600V通常是作為保證安全處理高電壓瞬變的充分上限范圍。

顯而易見，如果MOSFET的效率不夠高，器件本身損耗比較大的話，那么整個電路系統的效率和壽命也不會很高。對于希望消費產品的使用壽命大于典型使用壽命的系統而言，MOSFET可靠性也是非常重要的考慮因素。舉例而言，光伏逆變器或工業電機控制系統有望持續使用10、15或20年（或更久）。另外，對于器件的要求可能還包括在極端溫度下（例如在惡劣的工業環境中）保持良好的性能，或在所有氣候條件下都能保持穩定的輸出。

如何解決問題？

仔細選擇適當的MOSFET器件就能提供解決所有這些問題的巨大優勢。通過最大限度降低MOSFET損耗（大體上分為傳導損耗和開關損耗），有助于提高整體效率。

采用東芝DTMOSIV超級結MOSFET來解決這些問題

東芝電子元件及存儲裝置株式會社推出了基于第四代600V系統超級結（Super Junction）MOSFET＂DTMOSIV＂系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導通電阻（RDS（ON）? A）較現有產品降低了約30%，處于業界領先水平。另外，高速寄生二極管的反向恢復時間約為現有產品的三分之一，降低了MOSFET損耗并有助于提高電路整體功效。

如何來實現？

以往，功率MOSFET常常因為感性負載的反向電流導致器件損壞。因為MOSFET在高頻率下進行開關，所以需要使用快速恢復二極管（FRD），它們的特性也有助于提高效率。更快速的FRD反向恢復時間（trr）有助于最大限度減少開關損耗。

東芝的最新第四代超級結DTMOSIV技術，使得它能將快速恢復二極管集成至MOSFET封裝內部，在保持與前一代MOSFET具有相同封裝尺寸的同時還節省了空間，減少了組件數量，有助于簡化設計和精簡庫存。東芝的DTMOSIV工藝基于深槽填充技術，它減少了工藝步驟數，降低了成本，同時還改進了超級結MOSFET的性能。這樣就能減小電路損耗，提高系統的整體效率和性能。