TPS7H2221-SEP 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 1.25 A 的最大連續(xù)電流。

開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，該數(shù)字輸入能夠直接與低壓控制信號連接。首次上電時，使用 Smart Pull Down 來防止 ON 引腳懸空，直到系統(tǒng)排序完成。一旦引腳被故意驅(qū)動為高電平 （V 上 >V IH 系列 ），Smart Pull Down 將斷開連接以防止不必要的功率損失。
*附件：tps7h2221-sep.pdf

TPS7H2221-SEP 負(fù)載開關(guān)還具有自我保護(hù)功能，這意味著它可以防止設(shè)備輸出上的短路事件。

TPS7H2221-SEP 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝，可在 –55°C 至 125°C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 提供供應(yīng)商項目圖紙，VID V62/22609
• 總電離劑量 （TID） 以 30 krad（Si） 為特征
  • TID RLAT（輻射批次驗收測試），適用于每批晶圓至 20 krad（Si）
• 表征單粒子效應(yīng) （SEE）
  • 單粒子閂鎖 （SEL）、單粒子燃盡 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR），不受有效線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 伊芙 ） 的 43 MeV– 厘米 ^2^ /毫克。
  • 以 LET 為特征的單事件瞬態(tài) （SET） 和單事件功能中斷 （SEFI）伊芙43 MeV– 厘米 ^2^ /毫克。
• 輸入工作電壓范圍 （V 在 ）：1.6 至 5.5 V
• 推薦持續(xù)電流 （I 麥克斯 ）： 1.25 安
• 導(dǎo)通電阻 （R 上 ):
  • V 時為 116 mΩ（典型值） 在 = 5 伏
  • V 時為 115 mΩ（典型值） 在 = 3.3 伏
  • V 時為 133 mΩ（典型值） 在 = 1.8 伏
• 輸出短路保護(hù) （I SC ）： 3 A （典型值）
• 低功耗：
  • ON 狀態(tài) （I Q ）： 8.3 μA（典型值）
  • OFF 狀態(tài) （I 標(biāo)清 ）： 3 nA （典型值）
• 慢速導(dǎo)通時序以限制浪涌電流 （t 上 ):
  • t上5 V = 1.68 ms 時，3.61 mV/μs
  • t上3.3 V = 1.51 ms，2.91 mV/μs
  • t上1.8 V = 1.32 ms，2.15 mV/μs 時
• 可調(diào)輸出放電和下降時間：
  • V 時內(nèi)部 QOD 電阻 = 9.2 Ω（典型值） 在 = 3.3 伏
• 太空增強塑料 （SEP）
  • 受控基線
  • 金鍵合絲
  • NiPdAu 鉛表面處理
  • 一個組裝和測試站點
  • 一個制造現(xiàn)場
  • 軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍
  • 延長產(chǎn)品生命周期
  • 延長產(chǎn)品變更通知 （PCN）
  • 產(chǎn)品可追溯性
  • 增強模塑料以實現(xiàn)低釋氣

參數(shù)

方框圖

概述

TPS7H2221-SEP是一款專為輻射環(huán)境設(shè)計的5.5V、1.25A負(fù)載開關(guān)，具有低導(dǎo)通電阻（Ron）和多種保護(hù)功能。該設(shè)備適用于空間衛(wèi)星電源管理和分配、輻射耐受電源樹應(yīng)用等場景。

主要特性

• ?輻射耐受性?：
  • 總劑量電離輻射（TID）特性高達(dá)30 krad(Si)，每片晶圓批次接受輻射驗收測試（RLAT）至20 krad(Si)。
  • 單粒子效應(yīng)（SEE）特性，包括單粒子閂鎖（SEL）、單粒子燒毀（SEB）和單粒子?xùn)艠O擊穿（SEGR），對有效線性能量轉(zhuǎn)移（LET EFF）43 MeV–cm2/mg免疫。
  • 單粒子瞬態(tài)（SET）和單粒子功能中斷（SEFI）特性至LET EFF 43 MeV–cm2/mg。
• ?電氣特性?：
  • 輸入操作電壓范圍（VIN）：1.6至5.5V
  • 推薦連續(xù)電流（IMAX）：1.25A
  • 導(dǎo)通電阻（Ron）：在VIN = 5V時典型值為116mΩ，在VIN = 3.3V時為115mΩ，在VIN = 1.8V時為133mΩ
  • 輸出短路保護(hù)（ISC）：典型值為3A
  • 低功耗：ON狀態(tài)靜態(tài)電流（IQ）典型值為8.3μA，OFF狀態(tài)漏電流（ISD）典型值為3nA
  • 慢啟動時間（tON）以限制涌入電流
• ?封裝與溫度范圍?：采用SC-70封裝，軍事級溫度范圍（-55°C至125°C）。

應(yīng)用

• 空間衛(wèi)星電源管理和分配
• 輻射耐受電源樹應(yīng)用
• 控制器電源上下電的電源軌切換
• 衛(wèi)星電氣電源系統(tǒng)（EPS）

功能描述

• ?Smart Pull Down?：上電時防止ON引腳浮動，直到系統(tǒng)完成排序。
• ?輸出短路保護(hù)?：在輸出短路時限制電流，防止熱損壞。
• ? 快速輸出放電（QOD） ?：通過QOD引腳配置輸出放電速率，便于系統(tǒng)關(guān)機時的電源排序。
• ?熱關(guān)斷?：防止熱失控。

封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SC-70
• ?封裝尺寸?：2.10mm × 2.00mm
• ?質(zhì)量?：6.9mg

引腳功能與配置

• ?IN?：開關(guān)輸入
• ?GND?：設(shè)備接地
• ?ON?：活動高開關(guān)控制輸入，不得懸空
• ?NC?：不連接，推薦連接到GND以防止電荷積累
• ?QOD?：快速輸出放電引腳，可配置輸出放電速率
• ?OUT?：開關(guān)輸出

電氣特性（部分）

• ?輸入電壓范圍?：1.6V至5.5V
• ? 導(dǎo)通電阻（Ron） ?：
  • VIN = 5V時，Ron為90mΩ至150mΩ（-55°C至125°C）
  • VIN = 3.3V時，Ron為89mΩ至150mΩ（-55°C至125°C）
  • VIN = 1.8V時，Ron為103mΩ至300mΩ（-55°C至125°C）
• ? 輸出短路保護(hù)電流限制（ISC） ?：3A（典型值）

設(shè)計與應(yīng)用

• 提供了典型應(yīng)用電路，包括輸入電容、輸出電容、負(fù)載電阻和QOD電阻的選擇指南。
• 詳細(xì)討論了限制涌入電流、設(shè)置關(guān)機電源排序的放電時間等設(shè)計步驟。
• 提供了布局指南，包括輸入和輸出電容的放置、寬跡線的使用等。