TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，使用低泄漏 P 溝道 MOSFET，可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓，導(dǎo)通電阻和功率損耗的增加最小。

多個(gè) timing 選項(xiàng)可用于支持各種系統(tǒng)加載條件。對(duì)于重電容負(fù)載，C 版本中的慢速導(dǎo)通時(shí)序可最大限度地減少浪涌電流。在輕電容負(fù)載的情況下，B 版本中的快速定時(shí)減少了所需的等待時(shí)間。
*附件：tps22916.pdf

開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，該數(shù)字輸入能夠直接與低壓控制信號(hào)連接。提供高電平有效和低電平有效 （L） 版本。首次上電時(shí)，使用智能下拉來(lái)防止 ON 引腳懸空，直到系統(tǒng)排序完成。在 ON 引腳被故意驅(qū)動(dòng)為高電平 （≥V 后 IH 系列 ），則斷開 Smart Pulldown 以防止不必要的功率損失。

TPS22916xx 采用小型、節(jié)省空間的 0.78 mm × 0.78 mm、0.4mm 間距、0.5mm 高的 4 引腳晶圓芯片級(jí) （WCSP） 封裝 （YFP）。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +85°C。

特性

• 輸入工作電壓范圍 （V 在 ）：1 V 至 5.5 V
• 最大連續(xù)電流 （I 麥克斯 ）： 2 安培
• 導(dǎo)通電阻 （R 上 ):
  • 5 伏 在 = 60 mΩ（典型值），100 mΩ（最大 85°C）
  • 1.8 伏 在 = 100 mΩ（典型值），150 mΩ（最大 85°C）
  • 1 伏 在 = 200 mΩ（典型值），325 mΩ（最大 85°C）
• 超低功耗：
  • ON 狀態(tài) （I Q ）：0.5 μA（典型值）、1 μA（最大值）
  • OFF 狀態(tài) （I 標(biāo)清 ）：10 nA（典型值）、100 nA（最大值）
  • TPS22916BL/CL/CNL （I 標(biāo)清 ）： 100 nA（典型值），300 nA（最大值）
• 智能 ON 引腳下拉 （R 帕金森 ):
  • ON ≥ V IH 系列 （我 上 ）：10 nA（最大值）
  • ON ≤ V IL （英語(yǔ)） （R 帕金森 ）： 750 kΩ （典型值）
• C 版本中的慢速時(shí)序限制了浪涌電流：
  • 5V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：5 mV/μs 時(shí)為 1400 μs
  • 1.8V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：1 mV/μs 時(shí)為 3000 μs
  • 1V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：0.3 mV/μs 時(shí)為 6500 μs
• b 版本中的快速計(jì)時(shí)減少了等待時(shí)間：
  • 5V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：57 mV/μs 時(shí)為 115 μs
  • 1.8V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：12 mV/μs 時(shí)為 250 μs
  • 1V 導(dǎo)通時(shí)間 （t 上 ）：3.3 mV/μs 時(shí)為 510 μs
• 始終開啟真正的反向電流阻斷 （RCB）：
  • 激活電流 （I RCB ）：–500 mA（典型值）
  • 反向泄漏 （I IN，RCB ）：–300 nA（最大值）
• 快速輸出放電 （QOD）：150 Ω（典型值）（N 版本沒有 QOD）
• 低電平有效使能選項(xiàng)（L 版本）

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?類型?：1-V–5.5-V, 2-A, 60-mΩ 超低泄漏負(fù)載開關(guān)
• ?應(yīng)用?：適用于可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)、平板電腦、便攜式音箱等
• ?特點(diǎn)?：
  • 超低ON電阻：5V時(shí)60mΩ（典型值），1.8V時(shí)100mΩ（典型值），1V時(shí)200mΩ（典型值）
  • 超低功耗：ON狀態(tài)0.5μA（典型值），OFF狀態(tài)10nA（典型值）
  • 智能ON引腳下拉電阻
  • 快速和慢速開啟時(shí)間選項(xiàng)，以限制涌入電流
  • 始終開啟的反向電流阻斷（RCB）功能
  • 快速輸出放電（QOD）功能（N版本無(wú)此功能）
  • 可選的活動(dòng)低使能選項(xiàng)（L版本）

2. 封裝與尺寸

• ?封裝?：0.78 mm × 0.78 mm, 0.4-mm pitch, 0.5-mm height 4-pin Wafer-Chip-Scale (WCSP)封裝（YFP）
• ?溫度范圍?：-40°C至+85°C

3. 電氣特性

• ?輸入操作電壓范圍?：1V至5.5V
• ?最大連續(xù)電流?：2A
• ?ON電阻?：
  • 5V時(shí)：60mΩ（典型值），100mΩ（85°C最大值）
  • 1.8V時(shí)：100mΩ（典型值），150mΩ（85°C最大值）
  • 1V時(shí)：200mΩ（典型值），325mΩ（85°C最大值）
• ?功耗?：
  • ON狀態(tài)靜態(tài)電流（IQ）：0.5μA（典型值），1μA（最大值）
  • OFF狀態(tài)靜態(tài)電流（ISD）：10nA（典型值），100nA（最大值），TPS22916BL/CL/CNL版本為300nA（最大值）

4. 功能描述

• ?開啟與關(guān)閉控制?：通過(guò)數(shù)字ON引腳控制，兼容1.2V、1.8V、2.5V、3.3V或5.5V GPIO
• ? 快速輸出放電（QOD） ?：當(dāng)開關(guān)禁用時(shí)，連接在VOUT和GND之間的放電電阻可防止輸出浮動(dòng)
• ? 反向電流阻斷（RCB） ?：當(dāng)VOUT大于VIN且反向電流超過(guò)閾值時(shí)，開關(guān)將禁用并在反向電壓條件存在時(shí)保持關(guān)閉狀態(tài)
• ?智能ON引腳下拉電阻?：當(dāng)ON引腳電壓低于閾值時(shí)，下拉電阻連接以防止引腳浮動(dòng)

5. 應(yīng)用場(chǎng)景

• 適用于需要超低泄漏電流和超低功耗的應(yīng)用，如便攜式設(shè)備中的電源管理

6. 布局與散熱

• ?布局指南?：輸入和輸出電容器應(yīng)盡可能靠近設(shè)備放置，以減少寄生跡線電感的影響
• ?散熱考慮?：最大IC結(jié)溫必須限制在125°C以下，使用寬跡線有助于最小化寄生電氣效應(yīng)

7. 文檔與支持

• 提供數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用指南和相關(guān)文檔
• 可通過(guò)TI官網(wǎng)獲取文檔更新通知和支持資源

8. 注意事項(xiàng)

• 在使用過(guò)程中需遵守靜電放電（ESD）防護(hù)措施
• 設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)確保符合所有安全、監(jiān)管和其他要求

TPS22916xx系列負(fù)載開關(guān)以其超低泄漏電流、超低功耗和靈活的控制選項(xiàng)，適用于各種便攜式電子設(shè)備中的電源管理應(yīng)用。