TPS2330 和 TPS2331 是使用外部 N 溝道 MOSFET 用作電源應(yīng)用中的高側(cè)開關(guān)。這些設(shè)備的功能，例如 過流保護(hù) （OCP）、浪涌電流控制、輸出功率狀態(tài)報(bào)告和 區(qū)分負(fù)載瞬變和故障的能力是熱插拔的關(guān)鍵要求 應(yīng)用。

TPS2330/31 器件具有欠壓鎖定 （UVLO） 和電源正常 （PG） 功能 報(bào)告以確保設(shè)備在啟動(dòng)時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)并確認(rèn)輸出電壓的狀態(tài) 運(yùn)行期間的導(dǎo)軌。一個(gè)能夠驅(qū)動(dòng)多個(gè) MOSFET 的內(nèi)部電荷泵提供 足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓來完全增強(qiáng) N 溝道 MOSFET。電荷泵控制 MOSFET 的上升時(shí)間和下降時(shí)間 （dV/dt），減少上電/斷電期間的功率瞬變。 斷路器功能將感應(yīng)過流情況的能力與定時(shí)器相結(jié)合 功能;這允許 DSP 等設(shè)計(jì)在電源狀態(tài)期間可能具有高峰值電流 transitions，以忽略可編程周期的 transients。
*附件：tps2330.pdf

迪施 –DISCH 應(yīng)連接到 外部 N 溝道 MOSFET 晶體管連接到 GATE。此銷在 MOSFET 晶體管已禁用。它們還用作內(nèi)部的參考電壓連接 柵極電壓箝位電路。

ENABLE 或 ENABLE – TPS2330的 ENABLE 為低電平有效。ENABLE 的 TPS2331 為 高電平有效。當(dāng)控制器啟用時(shí)，GATE voltage 上電以打開外部 MOSFET 的當(dāng) ENABLE 引腳被拉高 TPS2330 或 ENABLE 引腳為 TPS2331拉低超過 50 μs 時(shí)，MOSFET 的柵極以受控方式放電 速率，并且使能晶體管以釋放輸出的大容量電容。在 此外，該器件在使能時(shí)打開內(nèi)部穩(wěn)壓器 PREREG （參見 VREG） 并關(guān)閉 PREREG 的調(diào)用，則總電源電流遠(yuǎn)小于 5 μA。

FAULT – FAULT 是開漏過流標(biāo)志輸出。當(dāng)過電流 狀態(tài)持續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間以將 TIMER 充電至 0.5 V，器件閉鎖并將 FAULT 拉低。為了重新打開設(shè)備，使能引腳必須 進(jìn)行切換，或者必須重啟輸入功率。

門–GATE 連接到外部的 GATE N 溝道 MOSFET 晶體管。當(dāng)該器件使能時(shí)，內(nèi)部電荷泵電路會(huì)拉取此 通過提供大約 15 μA 來固定。導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率取決于 GATE 終端。如果需要，可以通過連接進(jìn)一步降低導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率 該引腳和地之間的電容器。這些電容器還可以減少浪涌電流并保護(hù) 器件在上電期間防止錯(cuò)誤過流觸發(fā)。電荷泵電路產(chǎn)生 外部 MOSFET 晶體管上的柵源電壓為 9 V–12 V。

在–IN 應(yīng)連接到驅(qū)動(dòng)電源 連接到 GATE 的外部 N 溝道 MOSFET 晶體管。TPS2330/31 提取其運(yùn)營(yíng) current from IN，并在建立 IN 電源之前保持禁用狀態(tài)。設(shè)備 的構(gòu)造支持 3V、5V 或 12V作。

艾森斯，ISET –ISENSE 與 ISET 結(jié)合使用 實(shí)現(xiàn) GATE 的過流感應(yīng)。ISET 設(shè)置產(chǎn)生 過流故障，通過連接到 ISET 的外部電阻器。內(nèi)部電流源汲取 來自 ISET 的 50 μA。帶有一個(gè)從 IN 到 ISENSE 的感應(yīng)電阻器，該電阻器也連接到 外部 MOSFET，檢測(cè)電阻器上的電壓反映了負(fù)載電流。過電流 如果 ISENSE 被拉到 ISET 以下，則假定存在條件。確保斷路器正確 作， V I（艾森斯） 和 V 一世 （ISET） 不應(yīng) 埃奇得 V I（IN） .

PWRGD –PWRGD 發(fā)出欠壓信號(hào) VSENSE 上的條件。該引腳為漏極開路輸出，在欠壓期間被拉至低電平 條件。為了最大限度地減少電壓軌上瞬態(tài)的錯(cuò)誤 PWRGD 響應(yīng)，電壓 SENSE CIRCUIT 包含一個(gè) 20 μs 抗尖峰脈沖濾波器。當(dāng) VSENSE 低于基準(zhǔn)電壓時(shí) （約 1.23 V），PWRGD 為低電平有效，以指示電源軌上的欠壓情況 電壓。當(dāng)設(shè)備處于禁用狀態(tài)時(shí)，PWRGD 可能無法正確報(bào)告電源條件，因?yàn)榇嬖?在禁用模式下，PWRGD 輸出晶體管沒有柵極驅(qū)動(dòng)功率，或者換句話說， PWRGD 是浮動(dòng)的。因此，PWRGD 在 disable 狀態(tài)下被上拉至其上拉電源軌 模式。

定時(shí)器–TIMER 上的電容器設(shè)置時(shí)間 電源開關(guān)在關(guān)閉前可能處于過流狀態(tài)。當(dāng)過流保護(hù)電路 感應(yīng)到電流過大，啟用電流源，為 TIMER 上的電容器充電。一次 TIMER 上的電壓達(dá)到大約 0.5 V，設(shè)置了斷路器鎖存器，并且功率 開關(guān)已鎖定。必須回收電源或必須切換 ENABLE 引腳以重新啟動(dòng) 控制器。在高功率或高溫應(yīng)用中，最小 50 pF 的電容器非常 建議從 TIMER 接地，以防止任何誤觸發(fā)。

弗雷格 –VREG 是內(nèi)部低壓差的輸出 穩(wěn)壓器，其中 IN1 是輸入。穩(wěn)壓器用于產(chǎn)生穩(wěn)壓電壓 source，小于 5.5 V。應(yīng)在 VREG 和接地有助于抑制噪聲。在此配置中，禁用設(shè)備時(shí)， 內(nèi)部低壓差穩(wěn)壓器也被禁用，這會(huì)斷開內(nèi)部電路的電源 并允許將器件置于低靜態(tài)電流模式。在 IN1 小于 大于 5.5 V，VREG 和 IN1 可以連接在一起。但是，在這些情況下，禁用 器件可能不會(huì)將器件置于低靜態(tài)電流模式，因?yàn)閮?nèi)部的低壓差 穩(wěn)壓器被旁路，從而保持內(nèi)部電路運(yùn)行。如果 VREG 和 IN1 連接在一起，如果 IN1 已經(jīng)有一個(gè) 1 μF 至 10 μF 的旁路電容器。

VSENSE –VSENSE 可用于檢測(cè)欠壓 外部電路上的條件。如果 VSENSE 感應(yīng)到的電壓低于大約 1.23 V，則 PWRGD 為 拉低。

特性

• 單通道高側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
• 輸入電壓：3 V 至 13 V
• 輸出 dV/dt 控制限制浪涌電流
• 具有可編程過流
  閾值和瞬態(tài)定時(shí)器的斷路器
• 帶瞬態(tài)濾波器的電源良好報(bào)告
• CMOS 和 TTL 兼容使能輸入
• 5μA 低待機(jī)電源電流（最大值）
• 采用 14 引腳 SOIC 和 TSSOP 封裝
• –40°C 至 85°C 環(huán)境溫度范圍
• 靜電放電保護(hù)

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

TPS是一款單通道熱插拔電源控制器，專為需要熱插拔功能的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)。它使用外部N溝道MOSFET作為高側(cè)開關(guān)，并具備過流保護(hù)、浪涌電流控制、輸出功率狀態(tài)報(bào)告等功能。

二、主要特性

• ?單通道設(shè)計(jì)?：適用于需要單個(gè)電源開關(guān)控制的應(yīng)用。
• ?輸入電壓范圍?：V至V，適用于多種電源環(huán)境。
• ?浪涌電流控制?：通過dV/dt控制限制浪涌電流，保護(hù)電源系統(tǒng)。
• ?電路斷路器功能?：具有可編程過流閾值和瞬態(tài)定時(shí)器，可區(qū)分負(fù)載瞬態(tài)和故障。
• ?電源良好報(bào)告?：提供電源良好（PWRGD）信號(hào)，用于報(bào)告輸出電壓狀態(tài)。
• ?CMOS/TTL兼容使能輸入?：方便與其他邏輯電路接口。
• ?低待機(jī)功耗?：最大待機(jī)供電電流為μA。
• ?封裝選項(xiàng)?：提供引腳SOIC和TSSOP封裝。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?熱插拔/插拔/對(duì)接電源管理?：如服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備等。
• ?熱插拔PCI設(shè)備?：如擴(kuò)展卡、網(wǎng)卡等。
• ?電子電路斷路器?：需要自動(dòng)斷電保護(hù)的應(yīng)用。

四、電氣特性

• ?GATE輸出電壓?：在不同輸入電壓下，GATE輸出電壓可達(dá)V至V，足夠驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET。
• ?過流保護(hù)閾值?：可通過外部電阻設(shè)置，實(shí)現(xiàn)可編程的過流保護(hù)。
• ?PWRGD閾值?：約.V，低于此值時(shí)PWRGD信號(hào)變?yōu)榈碗娖健?/li>
• ?FAULT輸出?：過流故障時(shí)，F(xiàn)AULT輸出變?yōu)榈碗娖健?/li>

五、功能描述

• ?電荷泵?：內(nèi)部集成電荷泵，提供足夠的門極驅(qū)動(dòng)電壓，并控制MOSFET的開關(guān)速度。
• ?電路斷路器?：結(jié)合過流檢測(cè)和定時(shí)器功能，允許在可編程時(shí)間內(nèi)忽略瞬態(tài)過流。
• ?電源良好報(bào)告?：通過監(jiān)控VSENSE電壓，提供電源良好的狀態(tài)報(bào)告。
• ?使能控制?：TPS的使能引腳為低電平有效（TPS為高電平有效），控制電源開關(guān)。
• ?過流保護(hù)?：當(dāng)檢測(cè)到過流條件時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入恒流模式，并通過FAULT輸出指示故障。

六、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOIC（D）和TSSOP（PW）。
• ?封裝尺寸?：具體尺寸請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的封裝圖。

七、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用電路?：數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了詳細(xì)的應(yīng)用電路圖，包括輸入電容、輸出電容、外部MOSFET等元件的選擇和連接方式。
• ?外部MOSFET選擇?：推薦使用具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的N溝道MOSFET。
• ?TIMER電容選擇?：為防止誤觸發(fā)，建議在最小應(yīng)用中使用pF的TIMER電容。