文章來源：半導體與物理

原文作者：jjfly686

在現代芯片中，數十億晶體管通過金屬互連線連接成復雜電路。隨著制程進入納米級，一個看似“隱形”的問題逐漸浮出水面：金屬線之間的電容耦合。這種耦合不僅會拖慢信號傳輸速度，甚至可能引發數據傳輸錯誤。而解決這一問題的關鍵，正是低介電常數（Low-k）材料。

互連延遲

在22納米制程節點，科學家發現了一個顛覆認知的現象：互連延遲（信號在金屬線中的傳輸延遲）達到了晶體管門延遲的20倍。這意味著，即使晶體管開關速度再快，信號在金屬線中的“堵車”也會嚴重拖累整體性能。

為什么會有如此大的延遲？

電阻（R）與電容（C）的博弈：信號傳輸速度由RC時間常數決定。銅（Cu）雖然電阻率低，但金屬線間的絕緣介質若介電常數（k值）過高，會大幅增加電容（C），導致RC值飆升。電容耦合效應：相鄰金屬線通過絕緣介質形成“隱形電容”，信號變化時會相互干擾，進一步加劇延遲。

電容耦合：從“串擾”到數據錯誤的連鎖反應

當兩條金屬線平行排列時，它們之間的絕緣介質會形成電容。這種電容會導致兩種問題：信號延遲：電容需要充放電時間，拖慢信號跳變速度。串擾：一條線的電壓變化會通過電容耦合干擾相鄰線路。

最危險的場景：

假設一條線試圖從高電壓（如1 V）切換到低電壓（0 V），而兩側的線同時從低電壓切換到高電壓。此時，兩側的高電壓會通過電容耦合“拉扯”中間線的電壓，導致其無法正常降至低電平，最終引發數據傳輸錯誤。

Low-k材料的救贖：如何打破電容困局？

低介電常數材料（Low-k Dielectric）通過降低絕緣介質的*k*值，直接減少金屬線間的電容耦合。其核心原理是：降低介電常數：傳統SiO?的k=3.9，而Low-k材料（如碳摻雜氧化物CDO）的*k*可降至2.5-2.8，電容減少30%-40%。抑制電場傳播：Low-k材料不易支持電場建立，削弱相鄰金屬線間的電荷相互作用，從而降低串擾概率。

銅與Low-k的組合

盡管銅的電阻率極低，但單獨使用無法解決電容問題。銅互連+Low-k介質的組合成為行業標配：銅降低電阻（R）：銅的電阻率（1.68 μΩ·cm）僅為鋁的60%，減少信號傳輸損耗。Low-k降低電容（C）：通過減少k值，RC時間常數同步優化，芯片速度提升20%-30%。

未來展望

隨著制程進入3納米以下，行業開始探索k<2.0的超低介電常數

空氣隙（Air Gap）技術：在金屬線間引入真空孔隙（k=1.0），進一步減少電容。