概述
ADGM1001/[ADGM1002]/[ADGM1003]是一款寬帶、單刀雙擲(SP2T)開關，采用ADI公司的微型機電系統(MEMS)開關技術制造而成。利用該技術可實現小型、寬RF帶寬、高線性、低插入損耗開關，其工作頻率可低至0 Hz/DC，可滿足各種RF和精密設備開關需求。該器件采用24引腳5.00 mm × 4.00 mm × 0.90 mm基板柵格陣列(LGA)封裝。

集成式控制芯片可產生靜電驅動該開關所需的高壓，通過互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容型并行接口進行控制。所有開關都可單獨進行控制。

多功能引腳名稱只能通過相關功能來引用。
數據表：*附件：ADGM1001 ADGM1002 ADGM1003 0 Hz DC至34 GHz SPDT MEMS開關技術手冊.pdf

特性

• ADGM1001: 直流至 34 GHz
• 插入損耗
  • 18 GHz 時為 0.8 dB（典型值）
  • 34 GHz 時為 1.5 dB（典型值）
• IIP3：76 dBm（典型值）
• 最大射頻功率：33 dBm
• 導通電阻：3.4 Ω（典型值）
• 最大直流電流：200 mA
• 驅動壽命：1億次循環（最少）
• 開關時間 ON ):200 μ小號（典型）
• 集成 3.3 V 驅動器，可通過并行和 SPI 進行簡單控制
• 可獨立控制的開關
• 節省空間的集成無源元件
• 小，5.00 毫米× 4.00 mm× 0.90 毫米、24 引腳 LGA
• 溫度范圍：–40°C 至 +85°C

框圖

時序圖

引腳配置描述

典型性能特征

工作原理

開關設計

ADGM1001是一款寬帶單刀雙擲（SP2T）開關，采用亞德諾半導體（Analog Devices）的微機電系統（MEMS）開關技術制造。該技術能夠實現高功率、低損耗、低失真的寬帶（GHz范圍）開關，滿足嚴苛的射頻（RF）應用需求。

MEMS技術在該類產品中的一個關鍵優勢是，能同時實現高頻性能與出色的直流精度，這一特性結合卓越的可靠性以及極小的表面貼裝封裝尺寸，使MEMS開關成為所有射頻及精密信號儀器應用的理想開關解決方案。

并行數字接口

ADGM1001可通過并行接口進行控制。通過該接口施加的標準互補金屬氧化物半導體（CMOS）/低壓晶體管 - 晶體管邏輯（LVTTL）信號，可控制所有開關通道的獨立開啟與關閉。

將引腳6（PIN/SPI）置低，可在雙工SP2T模式下啟用并行控制接口。引腳1和引腳2（IN1和IN2）控制ADGM1001的開關功能。當向這些引腳中的一個施加邏輯1時，相應的開關開啟。反之，施加邏輯0時，開關關閉。在SP2T模式下，一次最多可將一個RFx輸入連接到RFC。真值表見表11。

在并行模式下，引腳3和引腳4（AGND/SCLK和AGND/SDO）分別必須連接到地。

當引腳23（V DD ）未施加電源電壓時，所有開關均處于不確定狀態。

SPI數字接口

當引腳6（PIN/SPI）置高時，ADGM1001可通過SPI數字接口進行控制。ADGM1001可使用SPI模式0或模式3，工作時SCLK頻率最高為10MHz。使用SPI時，活動（active）、可尋址（addressable）模式為默認模式，此時通過16位SPI命令訪問設備寄存器。ADGM1001也可在菊花鏈模式下工作。

ADGM1001的SPI引腳為(overline{CS})、SCLK、SDI和SDO 。使用SPI時，保持(overline{CS})為低電平。SDI上的數據在SCLK上升沿被捕獲，SDO上的數據在SCLK下降沿輸出。SDO采用推挽式輸出驅動器架構，因此無需上拉電阻。兩種可用的SPI操作模式均為可尋址模式和菊花鏈模式。

可尋址模式

上電后，可尋址模式為ADGM1001的默認模式。可尋址模式下的單個SPI幀由(overline{CS})下降沿起始，(overline{CS})上升沿結束。它由16個SCLK周期組成。圖52展示了SPI模式0下可尋址模式的時序圖。

SPI命令的第一位指示該命令是讀命令還是寫命令。接下來的七位確定目標寄存器地址。剩余八位提供要寫入目標寄存器的數據。讀命令期間忽略最后八位，因為在此類時鐘周期中，SDO輸出目標寄存器中存儲的數據。

在模式0中，(overline{CS})下降沿時，SDO在SCLK下降沿發送輸出數據位（在模式3中，如圖53所示，第一個SCLK下降沿被忽略 ）。在SDO上觀察到的對齊位為0x25。

目標寄存器地址在第八個SCLK上升沿確定。該寄存器的數據在第八個SCLK下降沿從SDO輸出。讀操作期間，第十五個SCLK下降沿輸出數據。寫操作期間，第十六個SCLK上升沿對寄存器進行寫入。