Analog Devices Inc. ADGM1121 0Hz/直流至18GHz DPDT MEMS開(kāi)關(guān)IC

*附件：ADGM1121 0Hz 直流至18GHz DPDT MEMS開(kāi)關(guān)IC是寬帶、雙刀雙擲 (DPDT) 開(kāi)關(guān).pdf

Analog Devices ADGM1121 0Hz/直流至18GHz DPDT MEMS開(kāi)關(guān)IC是寬帶、雙刀雙擲 (DPDT) 開(kāi)關(guān)，采用Analog Devices的微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 開(kāi)關(guān)技術(shù)制造而成。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)小尺寸、寬射頻帶寬、高線(xiàn)性度和低插入損耗開(kāi)關(guān)，工作頻率低至0Hz/直流。Analog Devices ADGM1121 MEMS開(kāi)關(guān)IC采用24引腳、5mm x 4mm x 1mm焊盤(pán)柵格陣列 (LGA) 封裝。得益于以上特性，ADGM1121非常適合用于各種射頻和精密設(shè)備開(kāi)關(guān)需求。集成驅(qū)動(dòng)器芯片產(chǎn)生高電壓以靜電驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)，然后可通過(guò)并行接口和串行外設(shè)接口 (SPI) 進(jìn)行控制。所有開(kāi)關(guān)均可獨(dú)立控制。

特性

• 頻率范圍：直流至18GHz
• 高比特率能力：高達(dá)64Gbps
• 插入損耗低
  • 0.5 dB（8 GHz時(shí)典型值）
  • 1.0 dB（16 GHz時(shí)典型值）
• 73dBm（典型值）的高三階互調(diào)截點(diǎn) (IIP3) 輸入
• 較高的射頻功率處理能力：33dBm（最大值）
• 導(dǎo)通電阻：1.9?（典型值）
• 高直流電流處理能力：200mA
• 高開(kāi)關(guān)周期數(shù)：10000萬(wàn)次（最小值）
• 快速開(kāi)關(guān)時(shí)間：200μs（典型值）
• 集成3.3V驅(qū)動(dòng)器，可通過(guò)并行接口和SPI進(jìn)行簡(jiǎn)單控制
• 節(jié)省空間的集成無(wú)源器件，包括去耦和分流電阻器
• 小型5mm × 4mm × 1mm、24引腳塑料封裝
• 溫度范圍：-40 °C至+85 °C

應(yīng)用

• ATE負(fù)載和探針板
• 帶高速環(huán)回測(cè)試的直流
• 高速SerDes、PICe Gen4/5、USB4和PAM4
• 繼電器替代方案
• 可重新配置濾波器/衰減器
• 軍用和微波無(wú)線(xiàn)電
• 5G毫米波蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施

功能框圖

EVAL-ADGM1121SDZ評(píng)估板

*附件：Evaluating the ADGM1121 0 Hz DC to 16 GHz, 2 x DPDT, MEMS Switch.pdf

Analog Devices Inc. EVAL-ADGM1121SDZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估ADGM1121。ADGM1121是一套雙芯片射頻開(kāi)關(guān)解決方案，包含雙刀雙擲（DPDT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開(kāi)關(guān)和控制芯片，采用緊湊型5.00mm × 4.00mm × 1.00mm LGA封裝。Analog Devices Inc. EVAL-ADGM1121SDZ配有用于射頻和控制信號(hào)及鏈路的連接器，用于控制開(kāi)關(guān)的運(yùn)行并評(píng)估其性能。

特性

• 單電源電壓：3.3V
• 寬頻率范圍：直流至16GHz
• 用于射頻信號(hào)的2.92mm連接器
• 并行接口和SPI
• 用于分析儀校準(zhǔn)的板載校準(zhǔn)傳輸線(xiàn)路

套件內(nèi)容

• EVAL-ADGM1121SDZ評(píng)估板
• 2m USB 2.0（公頭）轉(zhuǎn)USB Mini（公頭）電纜

必要設(shè)備

• 3.3V直流電源或USB端口
• 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 (VNA)
• [EVAL-SDP-CB1Z] (SDP-B) 控制器板
• [分析|控制|評(píng)估 (ACE) 軟件] ，帶EVAL-ADGM1121SDZ插件

審核編輯 黃宇